电阻电路结构制造技术

本发明专利技术公开了一种电阻电路结构包括：四个电阻，第一电阻和第四电阻串联，第二电阻和第三电阻并联，然后串联电路和并联电路串联。第一电阻和第三电阻的类型相同且二者的电阻值随工艺漂移而变化的比例一致以及都具有相同的负温度系数。第二电阻和第四电阻的类型相同且二者的电阻值随工艺漂移而变化的比例一致以及都具有相同的正温度系数；第二电阻和第四电阻的电阻值随工艺漂移的变化关系和第一电阻和第三电阻的电阻值随工艺漂移的变化关系之间互相独立。本发明专利技术能减少工艺偏差对电阻温度系数的影响。

Resistance circuit structure

The invention discloses a resistance circuit structure which comprises four resistors, the first resistor and the fourth resistor in series, the second resistor and the third resistor in parallel, and then the series circuit and the parallel circuit in series. The type of the first resistance and the third resistance are the same, and their resistance values vary in proportion with process drift, and both have the same negative temperature coefficient. The type of the second resistance and the fourth resistance are the same, and the ratio of their resistance values to process drift is the same, and they all have the same positive temperature coefficient. The relationship between the resistance values of the second resistance and the fourth resistance and the resistance values of the first resistance and the third resistance are independent of each other. The invention can reduce the influence of process deviation on resistance temperature coefficient.

【技术实现步骤摘要】
电阻电路结构
本专利技术涉及一种半导体集成电路，特别是涉及一种电阻电路结构。
技术介绍
在半导体集成电路往往需要集成制作电阻，而在集成电路中对应的各种电阻往往都具有温度系数，通常集成电路的电阻包括两种温度系数，即负温度系数和正温度系数。负温度系数的电阻的阻值往往会随温度的增加而降低，负温度系数的电阻通常包括：无金属硅化物的P-多晶硅电阻(UnsalicidedP-PolyResistor，RPPOLYU)，三终端的无金属硅化物的P-多晶硅电阻(ThreeterminalUnsalicidedP-PolyResistor，RPPOLYU3)，RPPOLYU和RPPOLYU3是集成电路制造领域中常用的技术术语。正温度系数的电阻的阻值往往会随温度的增加而增加，正温度系数的电阻通常包括：具有金属硅化物的P-多晶硅电阻(SalicidedP-PolyResistor，RPPOLYS)，无金属硅化物的P+扩散区电阻(unsalicidedP+diffusionResistor，RPDIFFU),第三金属层电阻(RM3)，第二金属层电阻(RM2)。RPPOLYS，RPDIFFU，RM2和RM3是集本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电阻电路结构，其特征在于，包括：第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻；所述第四电阻的第二端连接所述第一电阻的第一端；所述第二电阻的第一端、所述第三电阻的第一端和所述第一电阻的第二端连接在一起；所述第二电阻的第二端和所述第三电阻的第二端连接到一起；所述第一电阻和所述第三电阻的类型相同，所述第一电阻和所述第三电阻的电阻值随工艺漂移而变化的比例一致，所述第一电阻和所述第三电阻都具有相同的负温度系数；所述第二电阻和所述第四电阻的类型相同，所述第二电阻和所述第四电阻的电阻值随工艺漂移而变化的比例一致，所述第二电阻和所述第四电阻都具有相同的正温度系数；所述第二电阻和所述第四电阻的电阻值随工艺漂移...

【技术特征摘要】
1.一种电阻电路结构，其特征在于，包括：第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻；所述第四电阻的第二端连接所述第一电阻的第一端；所述第二电阻的第一端、所述第三电阻的第一端和所述第一电阻的第二端连接在一起；所述第二电阻的第二端和所述第三电阻的第二端连接到一起；所述第一电阻和所述第三电阻的类型相同，所述第一电阻和所述第三电阻的电阻值随工艺漂移而变化的比例一致，所述第一电阻和所述第三电阻都具有相同的负温度系数；所述第二电阻和所述第四电阻的类型相同，所述第二电阻和所述第四电阻的电阻值随工艺漂移而变化的比例一致，所述第二电阻和所述第四电阻都具有相同的正温度系数；所述第二电阻和所述第四电阻的电阻值随工艺漂移的变化关系和所述第一电阻和所述第三电阻的电阻值随工艺漂移的变化关系之间互相独立；电阻电路结构的总电阻值由所述第一电阻和所述第四电阻的串联电阻值以及所述第二电阻和所述第三电阻的并联电阻值相加形成的串并联电阻组成，利用所述串联电阻值中的工艺偏差对所述总电阻的温度系数的影响和所述并联电阻值中的工艺偏差对所述总电阻的温度系数的影响正好正负相反的特性来减少工艺偏差对所述总电阻的温度系数的影响。2.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：宏潇，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31