蚀刻气体混合物、图案形成方法和集成电路装置制造方法制造方法及图纸

提供了一种蚀刻气体混合物、一种使用该蚀刻气体混合物形成图案的方法和一种使用该蚀刻气体混合物制造集成电路装置的方法，该蚀刻气体混合物包括：C1‑C3全氟烷基次氟酸酯；以及C1‑C10有机硫化合物，在该化合物中含有C‑S键。

Etching gas mixture, pattern formation method and integrated circuit device manufacturing method

A method of etching a gas mixture, a pattern formation method using the etched gas mixture and a method of manufacturing an integrated circuit device using the etched gas mixture are provided. The etched gas mixture includes: C1 C3 perfluoroalkyl hypofluoride ester; and C1 C10 organic sulfur compound, in which the C S bond is contained.

【技术实现步骤摘要】
蚀刻气体混合物、图案形成方法和集成电路装置制造方法相关申请的交叉引用通过引用将于2017年11月16日在韩国知识产权局提交的、名称为“EtchingGasMixture,MethodofFormingPatternbyUsingtheSame,andMethodofManufacturingIntegratedCircuitDevicebyUsingtheEtchingGasMixture(蚀刻气体混合物、通过使用蚀刻气体混合物形成图案的方法和通过使用蚀刻气体混合物制造集成电路装置的方法)”的第10-2017-0153318号韩国专利申请的全部内容并入本文。
实施例涉及蚀刻气体混合物、通过使用该蚀刻气体混合物形成图案的方法和通过使用该蚀刻气体混合物制造集成电路(IC)装置的方法。
技术介绍
随着电子技术的发展，可以快速地实现半导体装置的小型化，并且随着用于IC装置的设计规则减少，可以迅速地减小每个半导体装置的关键尺寸。
技术实现思路
实施例可以通过提供一种蚀刻气体混合物来实现，该蚀刻气体混合物包括：C1-C3全氟烷基次氟酸酯；以及C1-C10有机硫化合物，其含有C-S键。实施例可以通过提本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种蚀刻气体混合物，所述蚀刻气体混合物包括：C1‑C3全氟烷基次氟酸酯；以及C1‑C10有机硫化合物，所述C1‑C10有机硫化合物含有C‑S键。

【技术特征摘要】
2017.11.16 KR 10-2017-01533181.一种蚀刻气体混合物，所述蚀刻气体混合物包括：C1-C3全氟烷基次氟酸酯；以及C1-C10有机硫化合物，所述C1-C10有机硫化合物含有C-S键。2.根据权利要求1所述的蚀刻气体混合物，其中，所述C1-C3全氟烷基次氟酸酯包括CF3OF。3.根据权利要求1所述的蚀刻气体混合物，其中，所述蚀刻气体混合物包括：10体积％至99体积％的所述C1-C3全氟烷基次氟酸酯，以及1体积％至90体积％的所述C1-C10有机硫化合物，所有的体积％基于所述蚀刻气体混合物的总体积。4.根据权利要求1所述的蚀刻气体混合物，其中，所述C1-C10有机硫化合物是由CxHyFzSu表示的氟化烃化合物，其中，x是1到10的整数，y是0到10的整数，z是1到20的整数，u是1到4的整数。5.根据权利要求1所述的蚀刻气体混合物，其中，所述C1-C10有机硫化合物是含有C-S键但不含有氢原子的全氟碳化合物。6.根据权利要求1所述的蚀刻气体混合物，所述蚀刻气体混合物还包括惰性气体。7.根据权利要求6所述的蚀刻气体混合物，其中，所述蚀刻气体混合物包括：10体积％至99体积％的所述C1-C3全氟烷基次氟酸酯，0.1体积％至90体积％的所述C1-C10有机硫化合物，以及0.0001体积％至10体积％的所述惰性气体，所有的体积％基于所述蚀刻气体混合物的总体积。8.一种形成图案的方法，所述方法包括：使用根据权利要求1所述的蚀刻气体混合物来蚀刻薄层。9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述薄层包括含有硅的层。10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述薄层包括Si3N4层、SiO2层、SiON层、SiCN层、SiC层、SiOC层、氢化非晶氮化硅层或它们的组合。11.根据权利要求8所述的方法，其中，在所述蚀刻气体混合物中：所述C1-C3全氟烷基次氟酸酯包括CF3OF，并且所述C1-C10有机硫化合物包括含有C-S键的C1-C10全氟碳化合物。12.根据权利要求8所述的方法，其中：所述蚀刻气体混合物还包括惰性气体，所述C1-C3全氟烷基次氟酸酯包括CF3OF，并且所述C1-C10有机硫化合物包括含有C-S键的C1-C10全氟碳化合物。13.根据权利要求8所述的方法，其中，在所述蚀刻气体混合物中：所述C1-C3全氟烷基次氟酸酯包括CF3OF，并且所述C1-C10有机硫化合物包括CF8S。14.根据权利要求8所述的方法，其中，蚀刻所述薄层是在10℃至100℃的温度下执行的。15.根据权利要求8所述的方法，其中，蚀刻所述薄层包括：使用通过向所述蚀刻气体混合物施加能量而获得的等离子体来蚀刻所述薄层。16.一种形成图案的方法，所述方法包括：在薄层上形成蚀刻掩模图案，使得所述蚀刻掩模图案包括开口；使用从根据权利要求1所述的蚀刻气体混合物获得的等离子体，经由所述开口蚀刻所述薄层的一部分，来形成覆盖所述蚀刻掩模图案的含硫钝化层；以及使用所述蚀刻掩模图案和所述含硫钝化层作为蚀刻掩模并使用从所述蚀刻气体混合物获得的等...

【专利技术属性】
技术研发人员：金度勋，金兑炯，白钟敏，宋汉德，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，圆益电子气体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR