一种OLED用ITO蚀刻液及其制备方法和应用技术

本发明专利技术涉及一种金属材料的化学蚀刻用组合物及其制备工艺，具体涉及一种OLED用ITO蚀刻液及其制备方法和应用，由以下原料制备而成，原料按照质量份数组成，混合酸1‑10份、铵盐0.05‑0.08份、钾盐0.1‑0.2份、表面活性剂0.01‑2份、消泡剂0.01‑0.1份、去离子水100份。本发明专利技术提供的一种OLED用ITO蚀刻液，加工工艺参数容易控制，可以在现有设备上对ITO膜高精度地进行蚀刻加工；在蚀刻技工的过程中使用安全，不易对人体和设备造成伤害。

【技术实现步骤摘要】
一种OLED用ITO蚀刻液及其制备方法和应用
本专利技术涉及一种金属材料的化学蚀刻用组合物及其制备工艺，具体涉及一种OLED用ITO蚀刻液及其制备方法和应用。
技术介绍
ITO导电膜广泛地用于液晶显示器、太阳能电池、微电子导电膜玻璃、光电子和各种光学领域。ITO导电膜的蚀刻加工通常采用盐酸、硝酸混合水溶液，盐酸、三氯化铁水溶液，碘酸水溶液，磷酸水溶液等。蚀刻液。这些蚀刻液腐蚀能力都比较的强，在蚀刻加工的过程中，比较难以控制蚀刻参数，比如加工的角度和蚀刻时间，并且生产过程中存在较多的危险，必须作为危害化学品严格控制。
技术实现思路
本专利技术提供一种OLED用ITO蚀刻液及其制备方法和应用，该蚀刻液的加工条件下比较容易控制，并且使用安全、危害小。根据本专利技术的第一方面，一种OLED用ITO蚀刻液，由以下原料制备而成，原料按照质量份数组成，混合酸1-10份、铵盐0.05-0.08份、钾盐0.1-0.2份、表面活性剂0.01-2份、消泡剂0.01-0.1份、去离子水100份。作为本专利技术的优选方案，所述的混合酸包括邻氟苯甲酸、草酸、乙酸，质量比例为1-3：4-8：4-8。所述的铵盐，为以下物质中的一种或多种混合物：乙酸铵、草酸铵、苯甲酸铵、硫酸铵、硝酸铵、碳酸铵、氯化铵、碳酸氢铵、硫酸氢胺。所述的表面活性剂为磷酸盐型双子表面活性剂、磷酸酯盐型双子表面活性剂中的一种或多种混合。优选的，所述的磷酸盐型双子表面活性剂为双十二烷氧基双磷酸钠盐、双十二烷氧基双磷酸钾盐中的一种或两种混合，所述磷酸酯盐型双子表面活性剂为对苯二甲基双辛烷基磷酸酯钾盐、对苯二甲基双十二烷基磷酸酯钾盐、对苯二甲基双十六烷基磷酸酯钾盐、对苯二甲基双辛烷基磷酸酯钠盐、对苯二甲基双十二烷基磷酸酯钠盐、对苯二甲基双十六烷基磷酸酯钠盐中的一种或两种混合。所述消泡剂为异辛醇、异戊醇、二乙基己醇、二异丁基甲醇一种或多种混合。钾盐为氯化钾、硝酸钾中的一种或两种混合。根据本专利技术的第二方面，本专利技术提供该OLED用ITO蚀刻液的制备方法，包括如下步骤：包括以下步骤：常温常压下，将去离子水加入容器中；在搅拌状态下，按照配比依次加入混合、铵盐、钾盐、表面活性剂、消泡剂；搅拌至完全溶解并均匀，然后过滤，过滤采用0.5-1μm的过滤器，最后出料。根据本专利技术的第三方面，本专利技术提供的一种OLED用ITO蚀刻液用于蚀刻OLED的ITO导电膜。本专利技术的有益效果为：本专利技术提供的一种OLED用ITO蚀刻液，加工工艺参数容易控制，可以在现有设备上对ITO膜高精度地进行蚀刻加工；在蚀刻技工的过程中使用安全，不易对人体和设备造成伤害。具体实施方式下面通过具体实施方式结合实施例和试验例对本专利技术作进一步详细说明。实施例1一种OLED用ITO蚀刻液，由以下原料制备而成，原料按照质量份数组成，混合酸5份、铵盐0.05份、钾盐0.1份、表面活性剂1份、消泡剂0.1份、去离子水100份。所述的混合酸包括邻氟苯甲酸、草酸、乙酸，质量比例为2：5：5。所述的铵盐，为乙酸铵。所述的表面活性剂为双十二烷氧基双磷酸钠盐。所述消泡剂为异辛醇。钾盐为氯化钾。该OLED用ITO蚀刻液的制备方法，包括如下步骤：包括以下步骤：常温常压下，将去离子水加入容器中；在搅拌状态下，按照配比依次加入混合、铵盐、钾盐、表面活性剂、消泡剂；搅拌至完全溶解并均匀，然后过滤，过滤采用0.5-1μm的过滤器，最后出料。实施例2一种OLED用ITO蚀刻液，由以下原料制备而成，原料按照质量份数组成，混合酸4份、铵盐0.06份、钾盐0.1份、表面活性剂0.05份、消泡剂0.02份、去离子水100份。所述的混合酸包括邻氟苯甲酸、草酸、乙酸，质量比例为2:6:4。所述的铵盐，为苯甲酸铵。所述的表面活性剂为对苯二甲基双十六烷基磷酸酯钾盐。所述消泡剂为二乙基己醇。钾盐为硝酸钾。该OLED用ITO蚀刻液的制备方法，包括如下步骤：包括以下步骤：常温常压下，将去离子水加入容器中；在搅拌状态下，按照配比依次加入混合、铵盐、钾盐、表面活性剂、消泡剂；搅拌至完全溶解并均匀，然后过滤，过滤采用0.5-1μm的过滤器，最后出料。实施例3一种OLED用ITO蚀刻液，由以下原料制备而成，原料按照质量份数组成，混合酸8份、铵盐0.05份、钾盐0.1份、表面活性剂2份、消泡剂0.01份、去离子水100份。所述的混合酸包括邻氟苯甲酸、草酸、乙酸，质量比例为1：8：4。所述的铵盐，硫酸铵。所述的表面活性剂为对苯二甲基双辛烷基磷酸酯钠盐。钾盐为氯化钾。该OLED用ITO蚀刻液的制备方法，包括如下步骤：包括以下步骤：常温常压下，将去离子水加入容器中；在搅拌状态下，按照配比依次加入混合、铵盐、钾盐、表面活性剂、消泡剂；搅拌至完全溶解并均匀，然后过滤，过滤采用0.5-1μm的过滤器，最后出料。实施例4该OLED用ITO蚀刻液的应用，在OLED的玻璃基板，上采用溅射法制备ITO膜，依次再通过显影和曝光工序，形成抗蚀涂层图案。玻璃基板用蚀刻液蚀刻，温度控制在45℃，蚀刻控制的时间具体的根据ITO膜的膜厚参数进行调节，一般不超过18分钟。蚀刻结束后，再进行清洗，最后干燥、检测。以上内容是结合具体的实施方式对本专利技术所作的进一步详细说明，不能认定本专利技术的具体实施只局限于这些说明。对于本专利技术所属
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种OLED用ITO蚀刻液，其特征在于：由以下原料制备而成，原料按照质量份数组成，混合酸1‑10份、铵盐0.05‑0.08份、钾盐0.1‑0.2份、表面活性剂0.01‑2份、消泡剂0.01‑0.1份、去离子水100份。

【技术特征摘要】
1.一种OLED用ITO蚀刻液，其特征在于：由以下原料制备而成，原料按照质量份数组成，混合酸1-10份、铵盐0.05-0.08份、钾盐0.1-0.2份、表面活性剂0.01-2份、消泡剂0.01-0.1份、去离子水100份。2.根据权利要求1所述的一种OLED用ITO蚀刻液，其特征在于：所述的混合酸包括邻氟苯甲酸、草酸、乙酸，质量比例为1-3：4-8：4-8。3.根据权利要求1所述的一种OLED用ITO蚀刻液，其特征在于：所述的铵盐，为以下物质中的一种或多种混合物：乙酸铵、草酸铵、苯甲酸铵、硫酸铵、硝酸铵、碳酸铵、氯化铵、碳酸氢铵、硫酸氢胺。4.根据权利要求1所述的一种OLED用ITO蚀刻液，其特征在于：所述的表面活性剂为磷酸盐型双子表面活性剂、磷酸酯盐型双子表面活性剂中的一种或多种混合。5.根据权利要求4所述的一种OLED用ITO蚀刻液，其特征在于：所述的磷酸盐型双子表面活性剂为双十二烷氧基双磷酸钠盐、双十二烷氧基双磷酸钾盐中的一种或两种混合...

【专利技术属性】
技术研发人员：傅华，刘兵，高小云，
申请(专利权)人：苏州晶瑞化学股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32