An etching composition suitable for selectively removing silicon from microelectronic devices relative to silicon germanium is disclosed, which includes water; at least one of quaternary ammonium hydroxides and amine compounds; water miscible solvents; optional surface active agents and optional corrosion inhibitors; and a method for selective removal using the etching composition.
【技术实现步骤摘要】
制造半导体器件过程中从硅-锗/硅叠层中相对于硅-锗合金选择性去除硅的蚀刻溶液相关申请的交叉引用本申请要求2017年8月25日提交的美国临时申请62/550,491的优先权，其全部内容出于所有允许的目的通过引用并入本文。
本专利技术涉及用于制造半导体器件的水性蚀刻溶液。更具体地，本专利技术提供一种水性蚀刻溶液，其表现出在硅-锗/硅复合半导体器件中提高的硅相对于硅-锗合金的蚀刻选择性。
技术介绍
随着超高密度集成电路的不断缩小尺寸和对速度和功能的越来越苛刻的要求，传统的平面金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)面临着诸如栅氧化物厚度的缩放和沟道区上的栅电极的静电控制的问题的日益严峻的挑战。通过将栅电极包绕在鳍形沟道的三个侧面上，鳍式场效应晶体管(FinFET)表现出相对于平面栅型MOSFET设计改进的控制。GAAMOSFET类似于FinFET，但是具有对沟道进行更高静电控制的潜力，因为栅电极完全围绕沟道。在GAAMOSFET中，沟道区基本上是纳米线。纳米线沟道通常具有数十纳米(nm)或更小的厚度(或直径)并且具有不受约束的长度。纳米线沟道通常水平地悬置于GAAM...
【技术保护点】
1.一种适合于从微电子器件中相对于硅‑锗而选择性地去除硅的蚀刻溶液，所述蚀刻溶液包含：水；季铵氢氧化物和胺化合物中的至少一者；水混溶性溶剂；任选地，表面活性剂；和任选地，腐蚀抑制剂。
【技术特征摘要】
2017.08.25 US 62/550,491;2018.08.22 US 16/109,1721.一种适合于从微电子器件中相对于硅-锗而选择性地去除硅的蚀刻溶液，所述蚀刻溶液包含：水；季铵氢氧化物和胺化合物中的至少一者；水混溶性溶剂；任选地，表面活性剂；和任选地，腐蚀抑制剂。2.根据权利要求1所述的蚀刻溶液，其中同时存在所述季铵氢氧化物和所述胺化合物。3.根据权利要求1或2所述的蚀刻溶液，其中所述季铵氢氧化物是四烷基氢氧化铵化合物，其中并非所有的烷基都相同；并且所述胺化合物是烷醇胺。4.根据权利要求3所述的蚀刻溶液，其中所述季铵氢氧化物选自苄基三甲基氢氧化铵，甲基三乙基氢氧化铵，乙基三甲基氢氧化铵(ETMAH)，2-羟乙基三甲基氢氧化铵，苄基三乙基氢氧化铵，十六烷基三甲基氢氧化铵，及其混合物；和所述烷醇胺化合物选自N-甲基乙醇胺(NMEA)，单乙醇胺(MEA)，二乙醇胺，三乙醇胺，三异丙醇胺，2-(2-氨基乙基氨基)乙醇，2-(2-氨基乙氧基)乙醇(AEE)，三乙醇胺，N-乙基乙醇胺，N,N-二甲基乙醇胺，N,N-二乙基乙醇胺，N-甲基二乙醇胺，N-乙基二乙醇胺，环己胺二乙醇，二异丙醇胺，环己胺二乙醇，及其混合物。5.根据权利要求3或4所述的蚀刻组合物，其中所述季铵氢氧化物是乙基三甲基氢氧化铵(ETMAH)；和所述烷醇胺是氨基(乙氧基)乙醇(AEE)。6.根据权利要求1-5任一项所述的蚀刻组合物，其中所述水混溶性溶剂选自乙二醇，丙二醇，1,4-丁二醇，三丙二醇甲醚，丙二醇丙醚，二乙二醇正丁醚，己氧基丙胺，聚(氧乙烯)二胺，二甲基亚砜，四氢糠醇，甘油，醇...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘文达，李翊嘉，A·J·亚当齐克，
申请(专利权)人：弗萨姆材料美国有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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