非易失性存储装置、以及驱动方法制造方法及图纸

非易失性存储装置具备：电阻变化元件(10)，具有第一电极(2)、第二电极(4)、以及按照被施加在第一电极(2)与第二电极(4)之间的电压脉冲，电阻值发生变化的电阻变化层(3)；电压脉冲施加电路(300)，将电压脉冲施加到第一电极(2)与第二电极(4)之间；控制电路(110)，对电压脉冲施加电路(300)进行控制，控制电路(110)接受来自外部的指令，读出电阻变化元件(10)的电阻状态，在读出的电阻状态为高电阻状态的情况下，控制电压脉冲施加电路(300)，以使第一极性的第一追加电压脉冲被施加到第一电极(2)与第二电极(4)之间，在读出的电阻状态为低电阻状态的情况下，控制所述电压脉冲施加电路，以使与第一极性不同的第二极性的第二追加电压脉冲被施加到第一电极(2)与第二电极(4)之间。

Non-volatile storage devices and driving methods

The non-volatile storage device has: a resistance change element (10), a first electrode (2), a second electrode (4), and a resistance change layer (3), a voltage pulse applied circuit (300), a voltage pulse applied between the first electrode (2) and the second electrode (4), a control circuit (110), and a voltage pulse applied between the first electrode (2) and the second electrode (4) according to the voltage pulse applied between the first electrode (2) and the second electrode (4). The voltage pulse applying circuit (300) is controlled, and the control circuit (110) receives instructions from outside to read out the resistance state of the resistance changing element (10). When the read resistance state is high resistance state, the voltage pulse applying circuit (300) is controlled so that the first additional voltage pulse of the first polarity is applied between the first electrode (2) and the second electrode (4), and the readout resistance is obtained. In the case of a low resistance state, the voltage pulse application circuit is controlled so that a second additional voltage pulse of a second polarity different from the first polarity is applied between the first electrode (2) and the second electrode (4).

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】非易失性存储装置、以及驱动方法
本专利技术涉及非易失性存储装置、以及其中所包括的电阻变化元件的驱动方法。
技术介绍
以往周知的一种电阻变化型的非易失性存储装置为，具有通过电信号而电阻值发生可逆变化的性质，且采用了能够对与该电阻值对应的逻辑信息进行非易失性地存储的电阻变化元件。(现有技术文献)(专利文献)专利文献1米国专利第6204139号说明书专利文献2日本特开2004-363604号公报(非专利文献)非专利文献1科学技术未来战略研究会“超长期保存存储器/系统的开发”报告书，2012年11月16日，CRDS-FY2012-WR-07，独立行政法人科学技术振兴机构研究开发战略中心刊行针对非易失性存储装置，希望对逻辑信息进行非易失性地存储的期间能够比以往长。
技术实现思路
于是，本专利技术的目的在于提供一种非易失性存储装置，其能够使对逻辑信息进行非易失性地存储的期间比以往长。本专利技术的一个形态所涉及的非易失性存储装置为，该非易失性存储装置具备：电阻变化元件，具备第一电极、第二电极、以及位于所述第一电极与所述第二电极之间的电阻变化层，在该电阻变化层中，按照被施加到所述第一电极与所述第二电极之本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种非易失性存储装置，所述非易失性存储装置具备：电阻变化元件，具备第一电极、第二电极、以及位于所述第一电极与所述第二电极之间的电阻变化层，在该电阻变化层中，按照被施加到所述第一电极与所述第二电极之间的电压脉冲，电阻值发生变化；电压脉冲施加电路，将电压脉冲施加到所述第一电极与所述第二电极之间；以及控制电路，对所述电压脉冲施加电路进行控制，所述电压脉冲施加电路执行高电阻化过程以及低电阻化过程，在所述高电阻化过程中，通过将第一极性的第一电压脉冲施加到所述第一电极与所述第二电极之间，从而使所述电阻变化层从低电阻状态向高电阻状态变化，所述低电阻状态示出第一逻辑信息，所述高电阻状态示出与所述第一逻辑信...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.09.12 JP 2017-1746421.一种非易失性存储装置，所述非易失性存储装置具备：电阻变化元件，具备第一电极、第二电极、以及位于所述第一电极与所述第二电极之间的电阻变化层，在该电阻变化层中，按照被施加到所述第一电极与所述第二电极之间的电压脉冲，电阻值发生变化；电压脉冲施加电路，将电压脉冲施加到所述第一电极与所述第二电极之间；以及控制电路，对所述电压脉冲施加电路进行控制，所述电压脉冲施加电路执行高电阻化过程以及低电阻化过程，在所述高电阻化过程中，通过将第一极性的第一电压脉冲施加到所述第一电极与所述第二电极之间，从而使所述电阻变化层从低电阻状态向高电阻状态变化，所述低电阻状态示出第一逻辑信息，所述高电阻状态示出与所述第一逻辑信息不同的第二逻辑信息，且所述高电阻状态的电阻值比所述低电阻状态高，在所述低电阻化过程中，通过将与所述第一极性为不同极性的第二极性的第二电压脉冲施加到所述第一电极与所述第二电极之间，从而使所述电阻变化层从所述高电阻状态向所述低电阻状态变化，所述控制电路接受来自外部的指令，读出所述电阻变化元件的电阻状态，在读出的电阻状态为所述高电阻状态的情况下，对所述电压脉冲施加电路进行控制，以向所述第一电极与所述第二电极之间施加能量比所述第一电压脉冲大的、所述第一极性的第一追加电压脉冲，在读出的电阻状态为所述低电阻状态的情况下，对所述电压脉冲施加电路进行控制，以向所述第一电极与所述第二电极之间施加能量比所述第二电压脉冲大的、所述第二极性的第二追加电压脉冲。2.如权利要求1所述的非易失性存储装置，所述控制电路包括处理器和存储器，通过所述处理器执行被存储在所述存储器的程序，来对所述电压脉冲施加电路进行控制。3.如权利要求1或2所述的非易失性存储装置，所述来自外部的指令是用户的指令，示出以比目前更长的期间来使所述电阻变化层的电阻状态稳定。4.一种驱动方法，对电阻变化元件进行驱动，所述电阻变化元件，具备第一电极、第二电极、以及位于所述第一电极与所述第二电极之间的电阻变化层，在该电阻变化层中，按照被施加到所述第一电极与所述第二电极之间的电压脉冲，电阻值发生变化，在该驱动方法中包括：高电阻化过程，通过将第一极性的第一电压脉冲施加到所述第一电极与所述第二电极之间，从而使所述电阻变化层从低电阻状态向高电阻状态变化，所述低电阻状态示出第一逻辑信息，所述高电阻状态示出与所述第一逻辑信息不同的第二逻辑信息，且所述高电阻状态的电阻值比所述低电阻状态高，低电阻化过程，通过将与所述第一极性为不同极性的第二极性的第二电压脉冲施加到所述第一电极与所述第二电极之间，从而使所述电阻变化层从所述高电阻状态向所述低电阻状态变化，读出过程，接受来自外部的指令，读出所述电阻变化元件的电阻状态；以及追加过程，在由所述读出过程读出的电阻状态为所述高电阻状态的情况下，向所述第一电极与所述第二电极之间施加能量比所述第一电压脉冲大的、所述第一极性的第一追加电压脉冲，在由所述读出过程读出的电阻状态为所述低电阻状态的情况下，向所述第一电极与所述第二电极之间施加能量比所述第二电压脉冲大的、所述第二极性的第二追加电压脉冲。5.如权利要求4所述的驱动方法，所述第一追加电压脉冲是，在所述电阻变化层流动的电流成为比施加所述第一电压脉冲时的电流大的电压...

【专利技术属性】
技术研发人员：安原隆太郎，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP