存储装置制造方法及图纸

提供了一种存储装置，所述存储装置包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储单元，其中，所述多个存储单元中的每个存储单元包括开关元件和连接到所述开关元件的数据存储元件，其中，所述数据存储元件包括相变材料；以及存储控制器，所述存储控制器被配置为：通过将操作电流输入到所述多个存储单元中的第一存储单元来对所述第一存储单元执行控制操作，并在将所述操作电流输入到所述第一存储单元之前或之后，在所述第一存储单元中输入从所述数据存储元件流向所述开关元件的补偿电流。

【技术实现步骤摘要】
存储装置相关申请的交叉引用本申请要求于2017年11月2日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0145467以及于2018年3月19日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0031600的优先权，上述韩国专利申请的公开内容通过引用全部并入本文。
本专利技术构思涉及一种存储装置。
技术介绍
利用电阻的存储装置可以包括相变随机存取存储器(PRAM)、电阻RAM(ReRAM)、磁RAM(MRAM)等。这些装置是非易失性RAM类型。利用电阻的存储装置可以利用电阻变化来写入或擦除数据。
技术实现思路
根据本专利技术构思的示例性实施例，一种存储装置包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储单元，其中，所述多个存储单元中的每个存储单元包括开关元件和连接到所述开关元件的数据存储元件，其中，所述数据存储元件包括相变材料；以及存储控制器，所述存储控制器被配置为：通过将操作电流输入到所述多个存储单元中的第一存储单元来对所述第一存储单元执行控制操作，并在将所述操作电流输入到所述第一存储单元之前或之后，在所述第一存储单元中输入从所述数据存储元件流向所述开关元件的补偿电流。根据本专利技术构思的示例性实施例，一种存储装置包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储单元，其中，所述多个存储单元中的每个存储单元包括第一电极、连接到所述第一电极的开关元件、连接到所述开关元件的数据存储元件和连接到所述数据存储元件的第二电极；以及存储控制器，所述存储控制器被配置为：通过将读取电流输入到所述多个存储单元中的第一存储单元来读取存储在所述第一存储单元中的数据，其中，所述存储控制器还被配置为：在输入所述读取电流之前或之后，向所述第一存储单元的所述第二电极输入补偿电流。根据本专利技术构思的示例性实施例，一种存储装置包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储单元，其中，所述多个存储单元中的每个存储单元包括第一电极、连接到所述第一电极的开关元件、连接到所述开关元件的数据存储元件和连接到所述数据存储元件的第二电极；以及存储控制器，所述存储控制器被配置为：通过将编程电流输入到所述多个存储单元中的第一存储单元来将数据存储在所述第一存储单元中，其中，所述存储控制器还被配置为：在输入所述编程电流之后，向所述第一存储单元的所述第二电极输入补偿电流。根据本专利技术构思的示例性实施例，一种存储装置包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储单元，其中，所述多个存储单元中的至少一个存储单元包括开关元件和数据存储元件，其中，所述数据存储元件包括相变材料；以及存储控制器，所述存储控制器被配置为向所述数据存储元件提供补偿电流，其中，在操作电流被提供到所述数据存储元件之前或之后提供所述补偿电流。附图说明通过参考附图详细描述本专利技术构思的示例性实施例，将更清楚地理解本专利技术构思的上述和其他特征，在附图中：图1是示出了根据本专利技术构思的示例性实施例的存储装置的框图；图2是示出了根据本专利技术构思的示例性实施例的包括在存储装置中的存储单元阵列的示意图；图3是示出了根据本专利技术构思的示例性实施例的包括在存储装置中的存储单元的结构的示意图；图4和图5是示出了根据本专利技术构思的示例性实施例的存储装置的操作的视图；图6A和图6B是示出了根据本专利技术构思的示例性实施例的存储装置的操作的视图；图7A、图7B、图8A和图8B是示出了根据本专利技术构思的示例性实施例的存储装置的读取操作的视图；图9A、图9B和图9C是示出了根据本专利技术构思的示例性实施例的存储装置的读取电压分布的视图；图10A和图10B是示出了根据本专利技术构思的示例性实施例的存储装置的读取操作的视图；图11A、图11B、图11C、图11D和图11E是示出了根据本专利技术构思的示例性实施例的存储装置的读取电压分布的视图；图12A、图12B和图12C是示出了根据本专利技术构思的示例性实施例的存储装置的操作的视图；图13是示出了根据本专利技术构思的示例性实施例的存储装置的编程操作的视图；图14A、图14B和图14C是示出了根据本专利技术构思的示例性实施例的存储装置的读取电压分布的视图；图15是示出了根据本专利技术构思的示例性实施例的存储装置的电子设备的框图。具体实施方式在下文中，将参考附图详细描述本专利技术构思的示例性实施例。在附图中，相同的附图标记可以指代相同的元件。图1是示出了根据本专利技术构思的示例性实施例的存储装置的框图。图2是示出了根据本专利技术构思的示例性实施例的包括在存储装置中的存储单元阵列的示意图。首先，参照图1，根据本专利技术构思的示例性实施例的存储装置10可以包括存储控制器20和存储单元阵列30。存储控制器20可以包括控制逻辑21、行驱动器22、列驱动器23等。存储单元阵列30可以包括多个存储单元MC。在本专利技术构思的示例性实施例中，行驱动器22可以通过第一导线CL1连接到存储单元MC，而列驱动器23可以通过第二导线CL2连接到存储单元MC。如图1所示，第一导线CL1可以设置为多条，第二导线CL2可以设置为多条。在本专利技术构思的示例性实施例中，行驱动器22可以包括用于选择存储单元MC以向该存储单元MC写入数据或从该存储单元MC读取数据的地址译码器电路，列驱动器23可以包括用于向存储单元MC写入数据或从存储单元MC读取数据的读/写电路。行驱动器22和列驱动器23的操作可以由控制逻辑21控制。行驱动器22和列驱动器23可以分别通过第一导线CL1和第二导线CL2连接到存储单元MC。例如，第一导线CL1和第二导线CL2可以分别对应于字线和位线。换句话说，第一导线CL1可以指多条字线，第二导线CL2可以指多条位线。参照图2，根据本专利技术构思的示例性实施例的存储单元阵列30可以包括多个存储单元MC。存储单元MC可以设置在第一导线CL1和第二导线CL2交叉的地方。换句话说，每个存储单元MC可以连接到一条第一导线CL1和一条第二导线CL2。例如，存储单元MC可以连接到第一字线和第一位线。每个存储单元MC可以包括开关元件SW和数据存储元件VR。在本专利技术构思的示例性实施例中，开关元件SW可以包括PN结二极管、肖特基(Schottky)二极管和欧姆阈值开关(ohmicthresholdswitch，OTS)中的至少一种。另外，在本专利技术构思的示例性实施例中，数据存储元件VR可以由具有硫属化物材料或超晶格材料的相变材料形成。换句话说，数据存储元件VR可以包括相变材料，该相变材料的相可以根据加热时间、温度等在非晶相与晶相之间变化。数据存储元件VR和开关元件SW可以彼此串联连接。存储控制器20通过经由第一导线CL1和第二导线CL2提供信号，使得包括在多个存储单元MC中的每个存储单元MC中的数据存储元件VR的相变材料的相变为非晶相或晶相，从而写入或擦除数据。在本专利技术构思的示例性实施例中，存储控制器20可以使包括在第一存储单元MC中的数据存储元件VR的相变材料的相变为非晶相，从而增加数据存储元件VR的电阻并将数据写入第一存储单元MC。存储控制器20可以使包括在第一存储单元MC中的数据存储元件VR的相变材料的相变为晶相，从而减小包括在第一存储单元MC中的数据存储元件VR的电阻并从第一存储单元MC中擦除数据。存储控制器20可以检测包括在多个存储单元MC中的每个存储单元MC中的数本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储装置，所述存储装置包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储单元，其中，所述多个存储单元中的每个存储单元包括开关元件和连接到所述开关元件的数据存储元件，其中，所述数据存储元件包括相变材料；以及存储控制器，所述存储控制器被配置为：通过将操作电流输入到所述多个存储单元中的第一存储单元来对所述第一存储单元执行控制操作，并在将所述操作电流输入到所述第一存储单元之前或之后，在所述第一存储单元中输入从所述数据存储元件流向所述开关元件的补偿电流。

【技术特征摘要】
2017.11.02 KR 10-2017-0145467;2018.03.19 KR 10-2011.一种存储装置，所述存储装置包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储单元，其中，所述多个存储单元中的每个存储单元包括开关元件和连接到所述开关元件的数据存储元件，其中，所述数据存储元件包括相变材料；以及存储控制器，所述存储控制器被配置为：通过将操作电流输入到所述多个存储单元中的第一存储单元来对所述第一存储单元执行控制操作，并在将所述操作电流输入到所述第一存储单元之前或之后，在所述第一存储单元中输入从所述数据存储元件流向所述开关元件的补偿电流。2.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述控制操作包括用于读取存储在所述第一存储单元中的数据的读取操作以及用于将数据存储在所述第一存储单元中的编程操作。3.根据权利要求2所述的存储装置，其中，当所述控制操作是所述编程操作时，所述存储控制器在将所述操作电流输入到所述第一存储单元之后，向所述第一存储单元输入所述补偿电流。4.根据权利要求3所述的存储装置，其中，所述操作电流和所述补偿电流在所述第一存储单元中沿不同方向流动。5.根据权利要求3所述的存储装置，其中，所述补偿电流的幅值小于所述操作电流的幅值。6.根据权利要求3所述的存储装置，其中，所述存储控制器仅在所述第一存储单元处于复位状态时输入所述补偿电流。7.根据权利要求2所述的存储装置，其中，当所述控制操作是所述读取操作时，所述存储控制器在将所述操作电流输入到所述第一存储单元之前或之后，向所述第一存储单元输入所述补偿电流。8.根据权利要求7所述的存储装置，其中，所述操作电流和所述补偿电流在所述第一存储单元中沿相同路径流动。9.根据权利要求7所述的存储装置，其中，所述补偿电流的幅值大于所述操作电流的幅值。10.根据权利要求7所述的存储装置，其中，向所述第一存储单元输入所述补偿电流所持续的时间短于向所述第一存储单元输入所述操作电流所持续的时间。11.根据权利要求7所述的存储装置，其中，所述存储控制器仅在所述第一存储单元处于置位状态时输入所述补偿电流。12.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述补偿电流以顺序产生的多个脉冲输入到所述第一存储单元。13.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述存储控制器在所述第一存储单元处于置位状态时，在输入所述操作电流之前向所述第一存储单元输入所述补偿电流，并且在所述第一存储单元处于复位状态时，在输入所述操作电流之后向所述第一存储单元输入所述补偿电流。14.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述第一存储单元的所述开关元件包括双向阈值开关。15.一种存储装置，所述存储装置包括：存储单元阵列，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：林菜昱，罗太熙，鲜于桢，李墉焌，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR