电阻式存储器存储装置的操作方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种电阻式存储器存储装置的操作方法，包括：对存储器晶胞施加形成电压，并且取得存储器晶胞的晶胞电流；以及依据晶胞电流以及参考电流的大小关系，决定是否调整形成电压并且对存储器晶胞施加已调整的形成电压。被施加形成电压后的存储器晶胞操作在重形成模式，并且作为一次性可编程的存储器元件。

Operating Method of Resistance Memory Storage Device

The invention provides an operation method of a resistive memory storage device, which includes: applying a formation voltage to the memory cell and obtaining the cell current of the memory cell; and deciding whether to adjust the formation voltage and applying the adjusted formation voltage to the memory cell according to the relationship between the cell current and the reference current. The memory cell operates in the reshaping mode after being applied a forming voltage and acts as a disposable programmable memory element.

【技术实现步骤摘要】
电阻式存储器存储装置的操作方法
本专利技术涉及一种存储器存储装置的操作方法，尤其涉及一种电阻式存储器存储装置的操作方法。
技术介绍
近年来电阻式存储器(诸如电阻式随机存取存储器(ResistiveRandomAccessMemory，RRAM))的发展极为快速，是目前最受瞩目的未来存储器的结构。由于电阻式存储器具备低功耗、高速运作、高密度以及相容于互补式金属氧化物半导体(ComplementaryMetalOxideSemiconductor，CMOS)处理技术的潜在优势，因此非常适合作为下一世代的非易失性存储器元件。现行的电阻式存储器通常包括相对配置的上电极与下电极以及位于上电极与下电极之间的介电层。当对现行的电阻式存储器进行设定(set)时，我们首先需进行灯丝形成(filamentforming)的程序。对电阻式存储器施加正偏压，使电流从上电极流至下电极，使得介电层中产生氧空缺(oxygenvacancy)或氧离子(oxygenion)而形成电流路径，且此时灯丝形成。在所形成的灯丝中，邻近上电极处的部分的直径会大于邻近下电极处的部分的直径。此外，当对现行的电阻式存储器进行重置(r本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电阻式存储器存储装置的操作方法，其特征在于，包括：对存储器晶胞施加形成电压，并且取得所述存储器晶胞的第一晶胞电流；以及依据所述第一晶胞电流以及第一参考电流的大小关系，决定是否调整所述形成电压并且对所述存储器晶胞施加已调整的所述形成电压，其中被施加所述形成电压后的所述存储器晶胞操作在重形成模式，并且作为一次性可编程的存储器元件。

【技术特征摘要】
1.一种电阻式存储器存储装置的操作方法，其特征在于，包括：对存储器晶胞施加形成电压，并且取得所述存储器晶胞的第一晶胞电流；以及依据所述第一晶胞电流以及第一参考电流的大小关系，决定是否调整所述形成电压并且对所述存储器晶胞施加已调整的所述形成电压，其中被施加所述形成电压后的所述存储器晶胞操作在重形成模式，并且作为一次性可编程的存储器元件。2.根据权利要求1所述的电阻式存储器存储装置的操作方法，其特征在于，还包括：判断所述第一晶胞电流是否小于所述第一参考电流；若所述第一晶胞电流小于所述第一参考电流，调整所述形成电压，并且对所述存储器晶胞施加已调整的所述形成电压；以及若所述第一晶胞电流大于或等于所述第一参考电流，结束所述操作方法。3.根据权利要求1所述的电阻式存储器存储装置的操作方法，其特征在于，还包括：重复执行调整所述形成电压并且对所述存储器晶胞施加已调整的所述形成电压的步骤直到所述第一晶胞电流大于或等于所述第一参考电流。4.根据权利要求1所述的电阻式存储器存储装置的操作方法，其特征在于，所述形成电压包括栅极电压以及位元线电压，以及对所述存储器晶胞施加所述形成电压的步骤包括：分别对所述存储器晶胞的栅极及其所耦接的位元线施加所述栅极电压及所述位元线电压，其中所述栅极电压及所述位元线电压的电压值是依据所述存储器晶胞的介电层的材料来决定。5.根据权利要求1所述的电阻式存储器存储装置的操作方法，其特征在于，还包括：对操作在所述重形成模式的所述存储器晶胞进行重置操作，其中进行所述重置操作后的所述存储器晶胞操作在所述重形成模式，并且作为多次可编程的存储器元件。6.根据权利要求5所述的电阻式存储器存储装置的操作方法，其特征在于，还包括：取得所述存储器晶胞的第二晶胞电流；以及依据所述第二晶胞电流以及第二参考电流的大小关系，决定是否对操作在所述重形成模式的所述存储器晶胞进行所述重置操作，其中依据所述第二晶胞电流以及所述第二参考电流的大小关系，决定是否对操作在所述重形成模式的所述存储器晶胞进行所述重置操作的步骤包括：判断所述第二晶胞电流是否小于所述第二参考电流；若所述第二晶胞电流小于所述第二参考电流，不对操作在所述重形成模式的所述存储器晶胞进行所述重置操作，并且结束所述操作方法；以及若所述第二晶胞电流大于或等于所述第二参考电流，对操作在所述重形成模式的所述存储器晶胞进行所述重置操作。7.根据权利要求5所述的电阻式存储器存储装置的操作方法，其特征在于，所述重置操作包括：设定所述存储器晶胞...

【专利技术属性】
技术研发人员：林立伟，郑如杰，蔡宗寰，曾逸贤，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71