Methods, systems and devices for operation of non-volatile memory devices are disclosed. In one embodiment, the associated electronic switch (CES) device in write operation can be placed in any of a plurality of memory states. During the two-stage operation, multiple bit units can be connected to the common source voltage to place each bit unit in the expected impedance state.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于非易失性存储器设备操作的方法、系统和设备
本技术总体涉及利用存储器设备。
技术介绍
非易失性存储器是一类存储器,其中存储器单元或元件在提供给该器件的电力移除之后不会丢失其状态。例如,最早的计算机存储器(其由可以在两个方向上磁化的铁氧体环制成)是非易失性的。随着半导体技术发展到更高水平的小型化,铁氧体器件被放弃用于更常见的易失性存储器,例如DRAM(动态随机存取存储器)和SRAM(静态RAM)。一种类型的非易失性存储器(电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)设备)具有大单元区域并且可能需要晶体管栅极上的大电压(例如,12.0至21.0伏特)来进行写入或擦除。而且,擦除或写入时间通常为数十微秒的量级。EEPROM的一个限制因素是有限的擦除/写入周期数不能略微超过600,000次-或在大约105-106的量级。半导体工业通过对存储器阵列进行扇区化(通过这种方式使得在被称为闪存设备的“EEPROM”中可以一次擦除“页”(例如,子阵列))来消除了对EEPROM和非易失性晶体管之间的传输门(pass-gate)开关晶体管的需求。在闪存设备中,为了速度和更高的位密度,牺牲了保持随机存取(擦除/写入单个位)的能力。最近,FeRAM(铁电RAM)已经提供了低功率、相对高的写/读速度、以及超过100亿次的读/写周期的耐久性。类似地,磁存储器(MRAM)提供了高写/读速度和耐久性,但具有高成本和高功耗。这些技术例如都没有达到闪存设备的密度。因此,闪存仍为非易失性存储器的选择。然而,人们普遍认为闪存技术可能不容易在65纳米(nm)以下扩展;因此,正在积极地寻求能够缩放到更小 ...
【技术保护点】
1.一种设备,包括:多个存储器元件,每个存储器元件包括耦合到公共源电压的第一端子和耦合到与该存储器元件相对应的位线的第二端子;以及驱动器电路,被配置为在存储器元件中的至少一个存储器元件的第一端子和第二端子间施加第一编程信号以将该存储器元件置于导电或低阻抗状态,并且被配置为在存储器元件中的所述至少一个存储器元件的第一端子和第二端子间施加第二编程信号以将该存储器元件置于绝缘或高阻抗状态,其中所述第一编程信号包括第一电压和第一电流,并且所述第二编程信号包括第二电压和第二电流,并且其中所述第一电压和所述第二电压具有相反的极性,并且所述第一电流和所述第二电流具有相反的极性。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.10.25 US 15/334,1871.一种设备,包括:多个存储器元件,每个存储器元件包括耦合到公共源电压的第一端子和耦合到与该存储器元件相对应的位线的第二端子;以及驱动器电路,被配置为在存储器元件中的至少一个存储器元件的第一端子和第二端子间施加第一编程信号以将该存储器元件置于导电或低阻抗状态,并且被配置为在存储器元件中的所述至少一个存储器元件的第一端子和第二端子间施加第二编程信号以将该存储器元件置于绝缘或高阻抗状态,其中所述第一编程信号包括第一电压和第一电流,并且所述第二编程信号包括第二电压和第二电流,并且其中所述第一电压和所述第二电压具有相反的极性,并且所述第一电流和所述第二电流具有相反的极性。2.根据权利要求1所述的设备,其中所述驱动器电路被配置为通过在第一阶段中将所述第一编程信号施加到第一所选存储器元件以将所述第一所选存储器元件置于所述绝缘或高阻抗状态中,以及通过在第二阶段中将所述第二编程信号施加到第二所选存储器元件以将所述第二所选存储器元件置于所述导电或低阻抗状态,来将存储器元件中的各个存储器元件置于预期的阻抗状态。3.根据权利要求2所述的设备,其中响应于所述第一阶段中的所述第一编程信号,电流在第一方向上在所述第一所选存储器元件的第一端子和第二端子间流动,并且其中响应于所述第二阶段中的所述第二编程信号,电流在与所述第一方向相反的第二方向上在所述第二所选存储器元件的第一端子和第二端子间流动。4.根据权利要求2或3所述的设备,其中所述公共源电压在所述第一阶段和所述第二阶段期间连接到所述存储器元件的第一端子,并且其中所述源电压在所述第一阶段期间被设置在第一电压电平并且在所述第二阶段期间被设置在第二电压电平。5.根据权利要求2至4中任一项所述的设备,其中所述驱动器电路还被配置为在所述第二阶段期间控制耦合到所述多个存储器元件中的所选第一组存储器元件的位线的电压,以将所述多个存储器元件中的所选第一组存储器元件维持在绝缘或高阻抗状态。6.根据权利要求1所述的设备,其中所述驱动器电路被配置为通过在第一阶段中将所述第一编程信号施加到第一所选存储器元件以将所述第一所选存储器元件置于所述低阻抗或导电状态,以及通过在第二阶段将所述第二编程信号施加到第二所选存储器元件以将所述第二所选存储器元件置于高阻抗或绝缘状态,来将所述存储器元件中的各个存储器元件置于预期的阻抗状态。7.根据权利要求6所述的设备,其中响应于所述第一阶段中的所述第一编程信号,电流在第一方向上在所述第一所选存储器元件的第一端子和第二端子间流动,并且其中响应于所述第二阶段中的所述第二编程信号,电流在与所述第一方向相反的第二方向上在所述第二所选存储器元件的第一端子和第二端子间流动。8.根据权利要求6或7所述的设备,其中所述驱动器电路还...
【专利技术属性】
技术研发人员:阿齐兹·巴夫纳加尔瓦拉,卢西恩·斯弗恩,皮尤什·阿加瓦尔,阿克舍·库马尔,罗伯特·坎贝尔·艾特肯,
申请(专利权)人:ARM有限公司,
类型:发明
国别省市:英国,GB
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