用于原子层沉积装置的双层门体组件制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种用于原子层沉积装置的双层门体组件，包括第一门板和第二门板，第一门板包括内侧面和外侧面，第二门板位于内侧面一侧且和第一门板间隔形成安装空间，第二门板在内侧面所在平面上的正投影位于内侧面上。位于安装空间内的内侧面上设置有加热板。连接杆活动穿设第一门板连接第二门板，外侧面上设置有导杆，调节板滑动设置在导杆上，连接杆连接调节板。调节板和外侧面之间设置有驱动气缸，驱动气缸连接调节板。本实用新型专利技术实施方式中，驱动气缸带动调节板运动，进而带动第二门板相对第一门板运动，在双层门体组件和大小腔室结构配合的时候，第二门板能和小腔室配合更紧密，提高小腔室内的密封性。

Double-Layer Portal Component for Atomic Layer Deposition Device

The utility model discloses a double-layer portal body assembly for atomic layer deposition device, which comprises a first door plate and a second door plate. The first door plate comprises an inner side and an outer side. The second door plate is located on one side of the inner side and is spaced from the first plate to form an installation space. The positive projection of the second door plate on the plane where the inner side is located is located is located on the inner side. A heating plate is arranged on the inner surface of the installation space. The connecting rod is movably arranged through the first door plate to connect the second door plate, the guide rod is arranged on the outer side, the regulating plate is sliding on the guide rod, and the connecting rod is connected with the regulating plate. A driving cylinder is arranged between the regulating plate and the outer side, and the driving cylinder is connected with the regulating plate. In the embodiment of the utility model, the driving cylinder drives the movement of the adjusting plate, and then drives the second door plate to move relative to the first door plate. When the double-layer portal component and the size chamber structure cooperate, the second door plate can cooperate more closely with the small chamber to improve the sealing of the small chamber.

【技术实现步骤摘要】
用于原子层沉积装置的双层门体组件
本技术涉及原子层沉积领域，尤其涉及一种用于原子层沉积装置的双层门体组件。
技术介绍
在相关技术中，原子层沉积装置一般使用单层门体结构，将加热结构直接放置在硅片所在的腔室内加热。这种结构可能会导致腔室内的杂质在高温环境中氧化，附着在硅片表面，影响硅片的质量。
技术实现思路
本技术实施方式提供的一种用于原子层沉积装置的双层门体组件，包括第一门板和第二门板，所述第一门板包括内侧面和外侧面，所述第二门板位于所述内侧面一侧且和所述第一门板间隔形成安装空间，所述第二门板在所述内侧面所在平面上的正投影位于所述内侧面上，位于所述安装空间内的所述内侧面上设置有加热板，连接杆活动穿设所述第一门板连接所述第二门板，所述外侧面上设置有导杆，调节板滑动设置在所述导杆上，所述连接杆连接所述调节板，所述调节板和所述外侧面之间设置有驱动气缸，所述驱动气缸连接所述调节板。本技术实施方式中，用于原子层沉积装置的双层门体组件和大小双腔室结构配合形成密封加工空间时，第一门板和大腔室紧密接触，驱动气缸带动调节板运动，进而带动第二门板向远离第一门板的方向，也就是靠近位于大腔室里的小腔室方向运动，使第二门板和小腔室接触更紧密，提高小腔室内部的密封性，保证加工质量。在某些实施方式中，所述第二门板远离所述第一门板的一侧设置有密封圈。在某些实施方式中，所述加热板通过固定杆和所述内侧面间隔设置。在某些实施方式中，所述固定杆上设置有反射屏，所述加热板设置在所述反射屏上。在某些实施方式中，所述加热板完全位于所述反射屏上。在某些实施方式中，所述第一门板和所述调节板之间的所述连接杆上套设有波纹管，所述波纹管和所述第一门板、所述调节板固定连接，所述波纹管可伸缩。在某些实施方式中，所述导杆末端设置有限位块，所述导杆上设置有限位板，所述限位板和所述限位块之间设置有弹簧垫圈。在某些实施方式中，所述驱动气缸为薄形气缸。本技术实施方式的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。附图说明本技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施方式的描述中将变得明显和容易理解，其中：图1是本技术实施方式的用于原子层沉积装置的双层门体组件的立体结构示意图；图2是本技术实施方式的用于原子层沉积装置的双层门体组件的平面结构示意图；图3是本技术实施方式的用于原子层沉积装置的双层门体组件的局部平面结构示意图；图4是本技术实施方式的用于原子层沉积装置的双层门体组件的局部剖面结构示意图。具体实施方式下面详细描述本技术的实施方式，所述实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。在本技术的描述中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本技术的不同结构。为了简化本技术的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本技术。此外，本技术可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本技术提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。请参阅图1-图4，本技术实施方式提供的一种用于原子层沉积装置的双层门体组件100，包括第一门板101和第二门板102，第一门板101包括内侧面和外侧面，第二门板102位于内侧面一侧且和第一门板101间隔形成安装空间，第二门板102在内侧面所在平面上的正投影位于内侧面上。位于安装空间内的内侧面上设置有加热板105。连接杆106活动穿设第一门板101连接第二门板102，外侧面上设置有导杆107，调节板108滑动设置在导杆107上，连接杆106连接调节板108。调节板108和外侧面之间设置有驱动气缸109，驱动气缸109连接调节板108。本技术实施方式中，用于原子层沉积装置的双层门体组件100和大小双腔室结构配合形成密封加工空间时，第一门板101和大腔室紧密接触，驱动气缸109带动调节板108运动，进而带动第二门板102向远离第一门板101的方向，也就是靠近位于大腔室里的小腔室方向运动，使第二门板102和小腔室接触更紧密，提高小腔室内部的密封性，保证加工质量。本实施方式中，第二门板102连接有载舟板117，双层门体组件100和大小腔室配合后，第二门板带动载舟板117进入位于大腔室内的小腔室中，同时，小腔室和第二门板密封配合，保证载舟板117位于密封的小腔室中。在某些实施方式中，第二门板102远离第一门板101的一侧设置有密封圈110。在某些实施方式中，加热板105通过固定杆111和内侧面间隔设置。在某些实施方式中，固定杆111上设置有反射屏112，加热板105设置在反射屏112上。在某些实施方式中，加热板105完全位于反射屏112上。在某些实施方式中，第一门板101和调节板108之间的连接杆106上套设有波纹管113，波纹管113和第一门板101、调节板108固定连接，波纹管113可伸缩。在某些实施方式中，导杆107末端设置有限位块114，导杆107上设置有限位板115，限位板115和限位本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于原子层沉积装置的双层门体组件，其特征在于，包括第一门板和第二门板，所述第一门板包括内侧面和外侧面，所述第二门板位于所述内侧面一侧且和所述第一门板间隔形成安装空间，所述第二门板在所述内侧面所在平面上的正投影位于所述内侧面上，位于所述安装空间内的所述内侧面上设置有加热板，连接杆活动穿设所述第一门板连接所述第二门板，所述外侧面上设置有导杆，调节板滑动设置在所述导杆上，所述连接杆连接所述调节板，所述调节板和所述外侧面之间设置有驱动气缸，所述驱动气缸连接所述调节板。

【技术特征摘要】
1.一种用于原子层沉积装置的双层门体组件，其特征在于，包括第一门板和第二门板，所述第一门板包括内侧面和外侧面，所述第二门板位于所述内侧面一侧且和所述第一门板间隔形成安装空间，所述第二门板在所述内侧面所在平面上的正投影位于所述内侧面上，位于所述安装空间内的所述内侧面上设置有加热板，连接杆活动穿设所述第一门板连接所述第二门板，所述外侧面上设置有导杆，调节板滑动设置在所述导杆上，所述连接杆连接所述调节板，所述调节板和所述外侧面之间设置有驱动气缸，所述驱动气缸连接所述调节板。2.根据权利要求1所述的用于原子层沉积装置的双层门体组件，其特征在于，所述第二门板远离所述第一门板的一侧设置有密封圈。3.根据权利要求1所述的用于原子层沉积装置的双层门体组件，其特征在于，所述加热板通过固定杆和所述内...

【专利技术属性】
技术研发人员：李丙科，陈庆敏，
申请(专利权)人：无锡松煜科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32