用于修复有缺陷的串的方法和非易失性存储器器件技术

非易失性存储器器件可以用修复存储器块的替换串选择线替换连接到多个存储器块中的有缺陷的存储器块的有缺陷的串的有缺陷的串选择线；以及访问修复存储器块的替换串选择线而不是有缺陷的存储器块的有缺陷的串选择线。非易失性存储器器件以串选择线为单位执行修复操作，并且可以有效地使用修复资源。

【技术实现步骤摘要】
用于修复有缺陷的串的方法和非易失性存储器器件相关申请的交叉引用本申请要求于2017年11月3日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2017-0146180号的权益，其公开通过引用整体被并入本文。
本专利技术构思的示例实施例涉及半导体存储器器件。例如，至少一些示例实施例涉及修复有缺陷的串的方法和/或用于修复有缺陷的串的非易失性存储器(non-volatilememory，NVM)器件。
技术介绍
为了增加半导体存储器器件的集成度，正在进行对具有三维结构的存储器器件的研究。三维半导体存储器器件具有不同于常规二维半导体存储器器件的结构特征的结构特征。由于三维半导体存储器器件和二维半导体存储器器件之间的结构差异，正在进行对驱动三维半导体存储器器件的各种方法的研究。为了三维非易失性存储器器件的有效管理或操作，需要能够支持修复有缺陷的存储器单元的操作的修复方法。
技术实现思路
本专利技术构思的示例实施例提供以串选择线为单位修复有缺陷的串的方法、用于以串选择线为单位修复有缺陷的串的非易失性存储器器件和/或存储器系统。根据本专利技术构思的示例实施例，提供一种修复包括多个存储器块的非易失性存储器器件的有缺陷的串的方法，所述方法可以包括：用修复存储器块的替换串选择线替换连接到多个存储器块中的有缺陷的存储器块的有缺陷的串的有缺陷的串选择线；以及访问修复存储器块的替换串选择线而不是有缺陷的存储器块的有缺陷的串选择线。根据本专利技术构思的另一示例实施例，提供一种非易失性存储器器件，包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器块，所述多个存储器块包括多个串，所述多个串每个包括连接到多个串选择线中的相同的一个串选择线的多个存储器单元；和控制器，其被配置为用修复存储器块的替换串选择线替换连接到多个存储器块中的有缺陷的存储器块的有缺陷的串的有缺陷的串选择线，所述有缺陷的串选择线是多个串选择线中的一个串选择线，并且有缺陷的存储器块是多个存储器块中的一个存储器块以及修复存储器块是多个存储器块中的一个存储器块。根据本专利技术构思的另一示例实施例，提供一种包括存储器控制器的存储器系统；以及非易失性存储器器件，所述非易失性存储器器件包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器块，所述多个存储器块包括多个串，所述多个串每个包括连接到多个串选择线中的相同的一个串选择线的多个存储器单元；和控制器，其被配置为用修复存储器块的替换串选择线替换连接到多个存储器块中的有缺陷的存储器块的有缺陷的串的有缺陷的串选择线，所述有缺陷的串选择线是多个串选择线中的一个串选择线，并且有缺陷的存储器块是多个存储器块中的一个存储器块以及修复存储器块是多个存储器块中的一个存储器块。附图说明从结合附图的以下详细描述中将更清楚的理解本专利技术构思的示例实施例，其中：图1是示出根据本专利技术构思的示例实施例的存储器系统的框图；图2是示出图1的非易失性存储器器件的框图；图3是图2的第一存储器块的等效电路图；图4是示出图2的第一存储器块的示例的透视图；图5A和图5B是示出修复有缺陷的串的公共块修复方法的视图；图6A和图6B是示出根据本专利技术构思的示例实施例的以串选择线为单位修复有缺陷的串的方法的视图；图7和图8是示出根据本专利技术构思的示例实施例的执行以串选择线为单位修复有缺陷的串的方法的非易失性存储器器件的操作的流程图；图9是示出应用根据本专利技术构思的示例实施例的执行以串选择线为单位修复有缺陷的串的方法的非易失性存储器器件的示例固态驱动器(SolidStateDrive，SSD)系统的框图；和图10是示出由电子设备实施根据本专利技术构思的示例实施例的执行以串选择线为单位修复有缺陷的串的方法的非易失性存储器器件的示例的框图。具体实施方式图1是示出根据本专利技术构思的示例实施例的存储器系统的框图。参考图1，存储器系统100包括存储器控制器110和非易失性存储器器件120。非易失性存储器器件120可以由存储器芯片实施。非易失性存储器器件120可以包括存储器单元阵列122和控制逻辑块124。在一些示例实施例中，存储系统100可以由嵌入在电子设备中的内部存储器实施，并且可以是例如嵌入式通用快闪存储(UniversalFlashStorage，UFS)存储器器件、嵌入式多媒体卡(embeddedMulti-MediaCard，eMMC)或者SSD。在一些示例实施例中，存储器系统100可以由从电子设备可拆除的(releasable)外部存储器实施，并且可以是例如UFS存储器卡、紧凑式闪存(CompactFlash，CF)卡、安全数字(SecureDigital，SD)卡、微型安全数字(MicroSecureDigital，Micro-SD)卡、迷你安全数字(miniSecureDigital，mini-SD)卡、极限数字(extremeDigital，xD)卡或记忆棒。响应于来自主机HOST的读取/写入请求，存储器控制器110可以控制非易失性存储器器件120读取存储在非易失性存储器器件120中的数据和/或将数据编程到非易失性存储器器件120中。详细地，存储器控制器110可以向非易失性存储器器件120提供诸如命令CMD、地址ADDR和控制信号CTRL的一个或多个命令，并且可以控制非易失性存储器器件120的编程操作、读取操作、和/或擦除操作。另外，用于执行编程的数据(DATA)和读取数据DATA可以在存储器控制器110和非易失性存储器器件120之间交换。存储器单元阵列122可以包括多个存储器单元，例如快闪存储器单元。在下文中，将通过以多个存储器单元是NAND快闪存储器单元的情况为例来详细描述示例实施例。如下面参考图3和图4详细描述的，存储器单元阵列122可以包括三维存储器单元阵列，所述三维存储器单元阵列包括多个NAND串。然而，示例实施例不限于此。三维存储器单元阵列被形成为存储器单元阵列的至少一个物理级(level)处的“单片(monolithic)”，所述存储器单元阵列具有布置在硅衬底上的有源区域和形成在衬底上或衬底中作为与存储器的操作有关的电路的电路。术语“单片”意味着形成阵列的各个级的层直接地层叠在阵列中各个较下级的层上。根据本专利技术构思的示例实施例，三维存储器单元阵列包括沿垂直方向布置的NAND串，使得至少一个存储器单元位于另一个存储器单元上。该至少一个存储器单元包括电荷陷阱层。由多个级形成并且其中字线和/或位线在级之间共享的三维存储器阵列的配置在美国专利公开第7,679,133号、美国专利公开第8,553,466号、美国专利公开第8,654,587号、美国专利公开第8,559,235号和美国专利公开第2011/0233648号中详细描述，所述专利中的每一个的全部内容通过引用整体被并入本文。控制逻辑块124可以包括具有处理电路的控制器。处理电路可以是但不限于处理器、中央处理单元(CentralProcessingUnit，CPU)、控制器、算术逻辑单元(ArithmeticLogicUnit，ALU)、数字信号处理器、微计算机、现场可编程门阵列(FieldProgrammableGateArray，FPGA)、专用集成电路(ApplicationSpecificIntegratedCircuit，ASIC)、片上系统(System-on本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种修复包括多个存储器块的非易失性存储器器件的有缺陷的串的方法，所述方法包括：用修复存储器块的替换串选择线替换连接到所述多个存储器块中的有缺陷的存储器块的有缺陷的串的有缺陷的串选择线；以及访问所述修复存储器块的所述替换串选择线而不是所述有缺陷的存储器块的所述有缺陷的串选择线。

【技术特征摘要】
2017.11.03 KR 10-2017-01461801.一种修复包括多个存储器块的非易失性存储器器件的有缺陷的串的方法，所述方法包括：用修复存储器块的替换串选择线替换连接到所述多个存储器块中的有缺陷的存储器块的有缺陷的串的有缺陷的串选择线；以及访问所述修复存储器块的所述替换串选择线而不是所述有缺陷的存储器块的所述有缺陷的串选择线。2.如权利要求1所述的方法，其中所述替换包括：用连接到所述替换串选择线的存储器单元替换连接到所述有缺陷的串选择线的存储器单元。3.如权利要求1所述的方法，其中所述替换包括：选择所述修复存储器块，使得所述修复存储器块是被包括在所述多个存储器块中的无缺陷的存储器块。4.如权利要求3所述的方法，其中，所述无缺陷的存储器块是所述存储器块中的专用于修复所述有缺陷的串的方法的存储器块。5.如权利要求1所述的方法，其中所述访问包括：确定从所述非易失性存储器器件外部接收的命令是否是与连接到所述有缺陷的串选择线的存储器单元相关联的编程命令；以及响应于所述编程命令与连接到所述有缺陷的串选择线的存储器单元相关联，编程连接到所述替换串选择线的存储器单元。6.如权利要求1所述的方法，其中所述访问包括：确定从所述非易失性存储器器件的外部接收的命令是否是与连接到所述有缺陷的串选择线的存储器单元相关联的读取命令；以及响应于所述命令是与连接到所述有缺陷的串选择线的存储器单元相关联的读取命令，读取连接到所述替换串选择线的存储器单元。7.如权利要求1所述的方法，其中所述访问包括：确定从所述非易失性存储器器件的外部接收的命令是否是与所述有缺陷的存储器块的存储器单元中的连接到所述有缺陷的串选择线的存储器单元相关联的擦除命令；以及响应于所述命令是与连接到所述有缺陷的串选择线的存储器单元相关联的擦除命令，擦除所述有缺陷的存储器块的存储器单元；在不移动连接到所述替换串选择线的所述修复存储器块的第二存储器单元的数据的情况下，将所述修复存储器块的第一存储器单元的数据移动到临时的存储器块的存储器单元；擦除所述修复存储器块的存储器单元；以及将存储在所述临时的存储器块的存储器单元中的数据移回到所述修复存储器块。8.如权利要求7所述的方法，其中，数据到所述临时的存储器块的移动包括：在所述修复存储器块和所述临时的存储器块之间执行的回拷操作。9.如权利要求7所述的方法，其中数据从所述临时的存储器块的存储器单元到所述修复存储器块的移回包括：在所述临时的存储器块和所述修复存储器块之间移动数据。10.一种非易失性存储器器件，包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器块，所述多个存储器块包括多个串，所述多个串每个包括连接到多个串选择线中的相同的一个串选择线的多个存储器单元；和控制器，其被配置为用修复存储器块的替换串选择线替换连接到所述多个存储器块中的有缺陷的存储器块的有缺陷的串的有缺陷的串选择线，所述有缺陷的串选...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈善一，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR