一种DRAM的修复方法技术

本发明专利技术公开了一种DRAM的修复方法，包括以下步骤：1)DRAM芯片测试项分类，分为SA缺陷测试项和DRAM的其它测试项；2)对SA缺陷测试项和DRAM的其它测试项产生的失效地址分别存储；3)SA缺陷测试项的失效地址分析并进行修复；4)将步骤2)中DRAM的其它测试项产生的失效地址和按照步骤3)处理后的SA缺陷测试的失效地址进行合并；5)对合并后的失效地址进行读取；6)对读取的失效地址进行修复；6)最后产生DRAM修复方案。通过分析SA缺陷测试项的失效地址的处理及修复，将开放式位线DRAM结构中有潜在缺陷的SA同时替换，有效保证了颗粒级测试良率的稳定，使得芯片修复可靠性的提升，同时降低了芯片的DPM。

【技术实现步骤摘要】
一种DRAM的修复方法
本专利技术属于存储器晶圆制造
，涉及一种DRAM的修复方法。
技术介绍
如图1所示，传统DRAM采用8F2闭合式位线结构的设计理念，在DRAM工作时，由于构成CSL(ColumnSelectLine列选择线)的BL(BitLine位线)和/BL在SA的同侧，因此当激活一根WL(WordLine字线)的时候，只有一个模块(两组SA)在工作。当存储单元写1时，WL激活，BL的电位达到Vbl高电压，/BL电压为GND，其余BL的电位均保持在Vbl高电压的二分之一。针对该结构的DRAM的修复方法是：不考虑失效单元的相互位置以及地址的关系，仅就失效单元本身进行WL或CSL的修复。因此，DRAM的修复流程较为简单，如图2所示，即当芯片测试结束后，一次性读取失效地址，针对失效地址进行修复，最终产生修复方案。为了进一步缩小芯片的面积，产生了6F2的开放式位线结构的DRAM设计理念。如图3所示，由于构成CSL的BL和/BL在SA的两侧，因此当激活一根WL的时候，有三个模块(三组SA)同时工作。当存储单元写1时，WL激活，BL的电位达到Vbl高电压，左右两侧的/BL电压为G本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种DRAM的修复方法，其特征在于，包括以下步骤：1)DRAM芯片测试项分类，分为SA缺陷测试项和DRAM的其它测试项；2)对SA缺陷测试项和DRAM的其它测试项产生的失效地址分别存储；3)SA缺陷测试项的失效地址分析并进行修复；4)将步骤2)中DRAM的其它测试项产生的失效地址和按照步骤3)处理后的SA缺陷测试的失效地址进行合并；5)对合并后的失效地址进行读取；6)对读取的失效地址进行修复；6)最后产生DRAM修复方案。

【技术特征摘要】
1.一种DRAM的修复方法，其特征在于，包括以下步骤：1)DRAM芯片测试项分类，分为SA缺陷测试项和DRAM的其它测试项；2)对SA缺陷测试项和DRAM的其它测试项产生的失效地址分别存储；3)SA缺陷测试项的失效地址分析并进行修复；4)将步骤2)中DRAM的其它测试项产生的失效地址和按照步骤3)处理后的SA缺陷测试的失效地址进行合并；5)对合并后的失效地址进行读取；6)对读取的失效地址进行修复；6)最后产生DRAM修复方案。2.根据权利要求1所述的一种DRAM的修复方法，其特征在于，步骤1)中，SA缺陷测试项甄选针对SA的特征参数及工作原理，甄选能够捕捉SA缺陷的测试项。3.根据权利要求1所述的一种DRAM的修复方法，其特征在于，步骤3)中，将SA缺陷测试项捕捉到的失效地址分为两类，一类为单点失效及字线方向的失效，该类失效不作处理；另一类为位线方向的失效，该类失效需要...

【专利技术属性】
技术研发人员：席龙宇，王帆，韩彦武，
申请(专利权)人：西安紫光国芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西,61