一种MOCVD设备的冷却装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术属于半导体设备领域，尤其涉及一种MOCVD设备的冷却装置，其至少包括放置石墨盘的底座，所述底座边缘凸起形成支撑架，其特征在于：所述底座上表面具有复数个间隔排列的支撑柱，所述支撑架和支撑柱用于承载石墨盘，所述支撑架内设置有贯通的冷却气体孔。本实用新型专利技术的冷却装置改变传统的单一水冷冷却方式，而采用支撑柱、冷却气体以及热传导结构对石墨盘上的晶片进行多种方式的快速冷却，从而提高冷却效率，提高LED的量产。

A Cooling Device for MOCVD Equipment

The utility model belongs to the field of semiconductor equipment, in particular to a cooling device for MOCVD equipment, which includes at least a base for placing a graphite disc. The edge of the base is raised to form a support frame. The structure is characterized in that the upper surface of the base is provided with plural spacing support pillars, the support frame and the support pillar are used for carrying graphite discs, and the support frame is provided with through cooling. But gas holes. The cooling device of the utility model changes the traditional single water cooling mode, and uses a support column, cooling gas and heat conduction structure to rapidly cool wafers on graphite discs in various ways, thereby improving cooling efficiency and increasing the mass production of LED.

【技术实现步骤摘要】
一种MOCVD设备的冷却装置
本技术属于半导体设备领域，尤其涉及一种MOCVD设备的冷却装置。
技术介绍
金属有机物化学气相沉积是一种广泛用于生长外延晶片的工艺，Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延沉积工艺；反应温度一般500-1300℃，当晶片从反应室传送出来时温度仍然有300℃左右，如果不设计一种高效的晶片冷却设备会制约设备的量产能力，而且冷却效果的好坏直接影响工艺后晶片性能。目前对晶片的冷却装置主要位于MOCVD设备中的LOAD-LOCK模块中，其主要功能是对反应室中生长完成后的晶片进行冷却，待温度冷却至合适的温度后传出设备，以中微公司生产的MOCVD机台为例，冷却的方式主要是水冷，在一定程度上实现了对晶片进行冷却的目的，但是单一的水冷冷却效率较低，无法实现对石墨盘上表面晶片的高效率冷却，制约了设备的量产。
技术实现思路
为解决上述问题，本技术提供一种用于MOCVD设备的冷却装置，至少包括放置石墨盘的底座，所述底座边缘凸起形成支撑架，其特征在于：所述底座上表面具有复数个间隔排列的支撑柱，所述支撑架和支撑柱用于承载石墨盘，所述支撑架内设置有贯通的冷却气体孔。进一步地，所述支撑架内侧具有放置石墨盘的台阶，所述支撑架的外侧高于台阶；所述支撑柱与台阶高度一致，当放置石墨盘时，使所述石墨盘底面与底座之间形成密闭空间，冷却气体通过冷却气体孔进入密闭空间对石墨盘进行冷却。进一步地，所述支撑柱于底座表面均匀或者不均分布排列；所述支撑柱于底座表面呈由底座中心向边缘放射状分布排列。进一步地，所述底座内设置有热传导结构；所述热传导结构的数量大于等于1；所述热传导结构围绕底座中心呈“回”字型或者同心圆型；所述热传导结构为硬脂酸/氧化石墨烯结构、聚乙二醇/氧化石墨烯结构或石蜡/石墨烯结构。进一步地，所述底座包括可拆卸的上底座和下底座，所述热传导结构位于上底座和下底座之间。本技术的MOCVD设备的冷却装置改变传统的单一水冷冷却方式，而采用支撑柱、冷却气体以及热传导结构对石墨盘上的晶片进行多种方式的快速冷却，从而提高冷却效率，提高LED的量产。附图说明图1为本技术之冷却装置的侧视结构示意图；图2为本技术之冷却装置放置石墨盘时侧视结构示意图；图3为本技术之冷却装置结构俯视结构示意图；图4为本技术之冷却装置的底座俯视结构示意图。具体实施方式在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本技术。根据下面说明和权利要求书，本技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本技术实施例的目的。参看附图1和2，本技术的冷却装置主要用于冷却MOCVD机台腔室内生长结束后的石墨盘C及其上的晶片S，此时MOCVD法生长后的晶片S则放置于石墨盘C上。其至少包括放置石墨盘的底座10，底座10边缘凸起形成承载石墨盘C的支撑架20，石墨盘C的边缘则置于支撑架20上。底座10由导热性较好的材料制成，例如由铝、铜或银等材料制成。底座10可以为一体成型结构，也可以为由上底座11和下底座12通过连接件13组成的可拆卸结构，连接件13例如卡隼、螺纹、或铰链等。支撑架20内侧具有放置石墨盘C的台阶21，支撑架20的外侧高于台阶21，此时石墨盘C的边缘置于台阶21上，而支撑架20的外侧则挡住石墨盘C，防止其发生位移。支撑架20内还设置有贯通的冷却气体孔22，冷却气体孔22连通冷却装置外界与底座10和石墨盘C之间的密闭空间K，此时外界的冷却气体则通过冷却气体孔22进入石墨盘C和底座10之间的密闭空间K中，从而对石墨盘C起到冷却作用。冷却气体可以为氮气、氩气、或氦气。底座10上表面还具有复数个间隔排列的支撑柱30，支撑架20和支撑柱30共同承载石墨盘C。进一步地，设置支撑柱30与台阶21高度一致，此时，当放置石墨盘C时，一方面可以使支撑柱30与石墨盘C下表面接触，支撑柱30则可以吸收石墨盘C的热量，起到导热作用，因此，支撑柱30的材质可以为导热性较好的铜柱、铝、或银；另一方面，可以使所石墨盘C底面与底座10之间形成密闭空间K。参看附图3，支撑柱30于底座10表面均匀或者不均分布排列；本实施例中支撑柱30于底座10表面呈由底座10中心向边缘放射状分布排列，数量为3~24根。继续参看附图1，为进一步起到快速冷却石墨盘C的效果，底座10内还设置有热传导结构40。当底座10为一体结构时，热传导结构40则设置于底座10的内部且位于石墨盘C的正下方；而当底座10为可拆卸结构时，热传导结构40则位于上底座11和下底座12之间。参看附图4，热传导结构40的数量大于等于1；当其为多个热传导结构40时，其可围绕底座10中心呈“回”字型或者同心圆型排列。由于石墨盘C上的晶片S的温度约为300℃，因此热传导结构40的材料可以选用硬脂酸/氧化石墨烯、聚乙二醇/氧化石墨烯或石蜡/石墨烯等材料组成，因为硬脂酸、聚乙二醇或石蜡的相变温度均低于300℃，当其吸收热量时会发生相变，而石墨烯或氧化石墨烯可以起到定型作用，防止硬脂酸、聚乙二醇或石蜡在高温下发生变形。本技术的冷却装置改变传统的单一水冷冷却方式，而采用支撑柱30、冷却气体以及热传导结构40对石墨盘C上的晶片S进行多种方式的快速冷却，从而提高冷却效率，提高LED的量产。以上实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本专利技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的精神和范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MOCVD设备的冷却装置，至少包括放置石墨盘的底座，所述底座边缘凸起形成支撑架，其特征在于：所述底座上表面具有复数个间隔排列的支撑柱，所述支撑架和支撑柱用于承载石墨盘，所述支撑架内设置有贯通的冷却气体孔。

【技术特征摘要】
1.一种MOCVD设备的冷却装置，至少包括放置石墨盘的底座，所述底座边缘凸起形成支撑架，其特征在于：所述底座上表面具有复数个间隔排列的支撑柱，所述支撑架和支撑柱用于承载石墨盘，所述支撑架内设置有贯通的冷却气体孔。2.根据权利要求1所述的一种MOCVD设备的冷却装置，其特征在于：所述支撑架内侧具有放置石墨盘的台阶，所述支撑架的外侧高于台阶。3.根据权利要求2所述的一种MOCVD设备的冷却装置，其特征在于：所述支撑柱与台阶高度一致，当放置石墨盘时，使所述石墨盘底面与底座之间形成密闭空间，冷却气体通过冷却气体孔进入密闭空间对石墨盘进行冷却。4.根据权利要求1所述的一种MOCVD设备的冷却装置，其特征在于：所述支撑柱于底座表面均匀或者不均分布排列。5.根据权利要求4所述的一种MOCV...

【专利技术属性】
技术研发人员：董金矿，黄文宾，汪玉，周宏敏，史志结，林兓兓，蔡吉明，
申请(专利权)人：安徽三安光电有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34