【技术实现步骤摘要】
一种氮化硼薄膜的转移方法
本专利技术属于材料
，具体涉及一种多层六方氮化硼薄膜的转移方法。
技术介绍
六方氮化硼(h-BN)薄膜是一种类石墨烯结构的层状薄膜，其中六方氮化硼层内是由硼原子和氮原子交替共价键连接形成六方结构，层间由范德瓦耳斯力连接。六方氮化硼的禁带宽度为6.07eV，具有耐高温，良好的化学稳定性，高电阻，高热导率和高机械强度等性能，可用于保护涂层，纳米器件的介电层和光电器件等领域。目前，用于制备纳米氮化硼的方法有很多，其中常规的胶带剥离法，等离子体刻蚀法和超声剥离法等机械方法很难获得大尺寸精确层数的六方氮化硼，CN201510039073.6公开了一种在基底上制备晶片级大尺寸六方氮化硼的方法。在Cu箔上可控生长六方氮化硼薄层；将Borazane置于石英舟上并放入第一温区石英管中，Cu箔衬底弯曲成半圆柱状放入第三温区石英管中，连接石英管和气体控制系统，抽真空，加热。当温度达到设定值时通入H2和Ar，进行表面去氧化物处理。继续升高三区的生长温度，对一区前驱物进行加热。当一区温度和三区温度达到设定值时，从石英管中通入H2和Ar输送Borazane受热...
【技术保护点】
1.一种氮化硼薄膜的转移方法，包括以下步骤：步骤1：采用化学气相沉积法在生长衬底表面生长单层h‑BN薄膜，获得h‑BN/生长衬底；步骤2：将h‑BN/生长衬底剪裁出所需形状；在h‑BN/生长衬底边缘涂抹高分子聚合物有机溶液；涂抹后在空气中干燥5～30min形成高分子聚合物柔性框格；将高分子聚合物柔性框格/h‑BN/生长衬底置于加热台上加热至80～120℃，保温10～30min；样品自然冷却至室温后取下；步骤3、将高分子聚合物柔性框格/h‑BN/生长衬底浸入金属腐蚀溶液中浸泡，直至完全去除生长衬底，获得漂浮于液面上的高分子聚合物柔性框格/h‑BN；步骤4：在容器一侧缓慢注入第...
【技术特征摘要】
1.一种氮化硼薄膜的转移方法，包括以下步骤：步骤1：采用化学气相沉积法在生长衬底表面生长单层h-BN薄膜，获得h-BN/生长衬底；步骤2：将h-BN/生长衬底剪裁出所需形状；在h-BN/生长衬底边缘涂抹高分子聚合物有机溶液；涂抹后在空气中干燥5～30min形成高分子聚合物柔性框格；将高分子聚合物柔性框格/h-BN/生长衬底置于加热台上加热至80～120℃，保温10～30min；样品自然冷却至室温后取下；步骤3、将高分子聚合物柔性框格/h-BN/生长衬底浸入金属腐蚀溶液中浸泡，直至完全去除生长衬底，获得漂浮于液面上的高分子聚合物柔性框格/h-BN；步骤4：在容器一侧缓慢注入第二溶液；在容器另一侧缓慢抽取溶解有金属的腐蚀溶液；直至第二溶液完全取代金属腐蚀溶液；所述的第二溶液能使高分子聚合物柔性外框/h-BN漂浮，且不和高分子聚合物柔性框格/h-BN反应，且在室温下第二溶液的表面张力小于去离子水；步骤5：选取面积小于高分子聚合物柔性框格的目标衬底放入第二溶液中，并且目标衬底置于在高分子聚合物柔性框格/h-BN正下方；用微量注射器缓慢抽取第二溶液，当液面低于目标衬底时，高分子聚合物柔性框格和h-BN在目标衬底边缘遭遇剪切和分离；由于目标衬底小于高分子聚合物柔性框格，h-BN沉积至衬底表面，同时高分子聚合物柔性框格随液面下降，未沉积在目标衬底表面；步骤6：将转移后的样品自然干燥后，放入干燥箱内，120～170℃烘烤1～1.5小时，随后自然冷却至室温，作为下一次转移的基底；步骤7：重复步骤2,3...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。