一种CsPbX3无机钙钛矿晶体材料的抛光方法技术

本发明专利技术公开了一种CsPbX3无机钙钛矿晶体材料的抛光方法，该方法包括：对全无机钙钛矿晶体样品进行冷镶嵌使其满足夹具要求；对镶嵌的晶体依次使用由粗到细的三种型号的(400～10000目)砂纸对冷镶嵌的晶体进行初步抛光，获得厚度为0.5～3.5mm、表面划痕较浅的样品；将真丝抛光布固定在机械抛光机上，其抛光盘转速范围为1000～3000r/min；使用夹具固定试样，采用DMSO溶液作为抛光液以5～60滴/分钟，每滴为0.05毫升的速度进行滴定；对样品进行抛光10～15min后晶体表面光滑、平整、无划痕，抛光完毕；最后用高纯氮气吹干。本发明专利技术通过对冷镶嵌试样进行抛光，降低晶体破损概率，易实现自动化，具有良好的实用性。

A Polishing Method for CsPbX3 Inorganic Perovskite Crystal Material

The invention discloses a polishing method for CsPbX3 inorganic perovskite crystal material, which includes: cold inlaying of all inorganic perovskite crystal samples to meet clamp requirements; preliminary polishing of the inlaid crystals by three types of sand paper (400-10000 meshes) from coarse to fine in turn, and obtaining samples with thickness of 0.5-3.5mm and shallow scratches on the surface. Fixed the silk polishing cloth on the mechanical polishing machine, the speed of the polishing disc ranged from 1000 to 3000 r/min; fixed the sample with fixture, and used DMSO solution as polishing solution to titrate at the speed of 5-60 drops/minute, 0.05 ml per drop; polished the sample 10-15 minutes later, the crystal surface was smooth, flat, scratchless and polished; finally dried with high purity nitrogen gas. By polishing the cold mosaic sample, the invention reduces the probability of crystal breakage, is easy to realize automation, and has good practicability.

【技术实现步骤摘要】
一种CsPbX3无机钙钛矿晶体材料的抛光方法
本专利技术属于一种钙钛矿晶体材料的抛光方法，特别涉及一种CsPbX3(X＝Cl,Br,I)无机钙钛矿晶体材料的抛光方法。
技术介绍
CsPbX3全无机钙钛矿晶体材料在LED、发光二极管、太阳能电池、光电探测器、光电传感器、核辐射探测等领域有广泛的应用。其具有较高的吸收系数，更长的电子空穴传输，单晶钙钛矿材料还具有更长的载流子扩散长度和低缺陷密度距离。通常采用逆温结晶法来制备CsPbX3无机钙钛矿晶体。逆温结晶法自发成核，籽晶逐渐长大成为晶体，由于形核温度和生长条件的差异，不同晶面的生长速率有差别，获得的晶体呈多种规则三维形态，不利于晶体的直接应用，以及大尺寸晶体，需要进行切割处理后使用。逆温结晶法获得的晶体，表面往往具有生长溶液残留，造成表面不平整。此外，逆温结晶法制备的晶体可能存在晶体的粘连等问题。逆温结晶法制备的CsPbX3无机钙钛矿晶体生长和切割过程中，存在许多表面缺陷，包括生长过程中表面沉积多晶、杂晶和沾污，还有晶体材料的切割导致的表面损伤等。而CsPbX3无机钙钛矿晶体与常用的溶剂，包括水、乙醇、丙酮等均易发生反应，并且在空气等本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种CsPbX3无机钙钛矿晶体材料的抛光方法，X包括Cl、Br或I，其特征在于，包括以下步骤：(1)对CsPbX3无机钙钛矿晶体样品进行冷镶嵌使其满足夹具要求；(2)用砂纸对冷镶嵌的晶体样品进行初步抛光，获得厚度为0.5～3.5mm且表面划痕均匀的晶体样品；(3)将真丝抛光布固定在机械抛光机上，使用夹具将初步抛光后的晶体样品固定在抛光机机架的试样夹持装置上；(4)设定抛光盘转速，待抛光盘转速稳定后，利用抛光液对试样与抛光布的接触面进行滴定；(5)在机械抛光机上对晶体样品进行再次抛光至晶体表面光滑、平整、无划痕；(6)用高纯氮气吹干，并于真空干燥器中存放。

【技术特征摘要】
1.一种CsPbX3无机钙钛矿晶体材料的抛光方法，X包括Cl、Br或I，其特征在于，包括以下步骤：(1)对CsPbX3无机钙钛矿晶体样品进行冷镶嵌使其满足夹具要求；(2)用砂纸对冷镶嵌的晶体样品进行初步抛光，获得厚度为0.5～3.5mm且表面划痕均匀的晶体样品；(3)将真丝抛光布固定在机械抛光机上，使用夹具将初步抛光后的晶体样品固定在抛光机机架的试样夹持装置上；(4)设定抛光盘转速，待抛光盘转速稳定后，利用抛光液对试样与抛光布的接触面进行滴定；(5)在机械抛光机上对晶体样品进行再次抛光至晶体表面光滑、平整、无划痕；(6)用高纯氮气吹干，并于真空干燥器中存放。2.根据权利要求1所述一种CsPbX3无机钙钛矿晶体材料的抛光方法，其特征在于：步骤(1...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐强，张航，聂婧，欧阳晓平，
申请(专利权)人：南京航空航天大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32