一种基于NiO纳米点反射镜的垂直结构LED芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种基于NiO纳米点反射镜的垂直结构LED芯片，该垂直结构LED芯片，从下至上依次包括Si（100）衬底、Au/Sn键合层、Cr/Pt保护层、阵列NiO纳米点/Ag/Z反射镜、p‑GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、n‑GaN层和分列在n‑GaN层上表面两侧的Pd/Al/Pt n电极层；其中，所述阵列NiO纳米点/Ag/Z反射镜依次包括阵列NiO纳米点层、Ag层、防氧化Z层；所述阵列NiO纳米点层层沉积在p‑GaN层上。该NiO阵列纳米点在纳米尺度拥有量子尺寸效应和三维光栅效应，能进一步提高垂直结构LED芯片出光效率。

A Vertical Structure LED Chip Based on NiO Nanopoint Mirror

【技术实现步骤摘要】
一种基于NiO纳米点反射镜的垂直结构LED芯片
本技术涉及LED制造领域，具体涉及一种基于NiO纳米点反射镜的垂直结构LED芯片。
技术介绍
随着LED在照明领域的逐步应用，市场不再满足于小电流驱动的蓝宝石衬底的水平结构LED,垂直结构LED应运而生。相比较水平结构LED，垂直结构LED凭借其P、N电极分列两侧，电流垂直导通、衬底导电的特性，可以完美解决水平结构存在的导热性差、电流拥挤效应以及电极吸光效应，进而能够承受大电流超驱动。而反射镜的引入使垂直结构LED单面出光，使得垂直结构LED芯片的外量子效率较水平结构大幅提升，其随电流增大产生的发光效率降低的效应也得以解决，其稳定性大幅增强。而且垂直结构普遍采用成本低、易制备的硅衬底代替昂贵的蓝宝石，因而制造成本也大幅降低。因此，GaN基垂直结构LED是市场所向，是半导体照明发展的必然趋势。目前垂直结构LED芯片大多采用Ni/Ag基叠层反射镜，具体工艺流程为在p-GaN上用电子束蒸发机台生长Ni/Ag层金属，然后在快速退火炉中进行合金化处理，退火虽然可形成欧姆接触，Ni层能够解决Ag层黏附性差的问题，同时Ni层的功函数达到5.15eV，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于NiO纳米点反射镜的垂直结构LED芯片，其特征在于，从下至上依次包括Si（100）衬底（1）、Au/Sn键合层（2）、Cr/Pt保护层（3）、阵列NiO纳米点/Ag/Z反射镜（4）、 p‑ GaN层（5）、 InGaN/GaN多量子阱层（6）、 n‑GaN层（7）和分列在n‑GaN层（7）上表面两侧的 Pd/Al/Pt n电极层（8）；其中，所述阵列NiO纳米点/Ag/Z反射镜（4）依次包括阵列NiO纳米点层（401）、Ag层（402）、防氧化Z层（403）；所述阵列NiO纳米点层（401）沉积在p‑ GaN层（5）上。

【技术特征摘要】
1.一种基于NiO纳米点反射镜的垂直结构LED芯片，其特征在于，从下至上依次包括Si（100）衬底（1）、Au/Sn键合层（2）、Cr/Pt保护层（3）、阵列NiO纳米点/Ag/Z反射镜（4）、p-GaN层（5）、InGaN/GaN多量子阱层（6）、n-GaN层（7）和分列在n-GaN层（7）上表面两侧的Pd/Al/Ptn电极层（8）；其中，所述阵列NiO纳米点/Ag/Z反射镜（4）依次包括阵列NiO纳米点层（401）、Ag层（402）、防氧化Z层（403）；所述阵列NiO纳米点层（401）沉积在p-GaN层（5）上。2.根据权利要求1所述的一种基于NiO纳米点反射镜的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述阵列NiO纳米点层的厚度为1~20nm。3.根据权利要求1所述的一种基于NiO纳米点反射镜的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述Ag层的厚度为200~500nm。4.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：李国强，张云鹏，张子辰，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：新型
国别省市：广东,44