【技术实现步骤摘要】
一种半导体发光元件
涉及一种半导体发光元件，具体设计一种LED芯片结构。
技术介绍
近年来，为了获得更高亮度、高功率或者高热辐射率的LED结构，将传统的LED外延结构进行基板转移到具有金属反射层或金属键合层的转移基板上，通过化学湿蚀刻或激光剥离的方式去除原始衬底。针对这类结构，首先蚀刻去除金属反射层和或金属键合层上的外延结构，以形成切割道，再通过刀片划裂或激光划裂的方式通过切割道分离单一的芯片结构，然而刀片切割存在切割道宽，切割导致芯片崩裂等的技术问题，而激光划裂切割断面平坦，切割道相对窄的优势而具备更广泛的运用前景。然而激光划裂后会造成大量的金属回熔物溅射到发光层侧壁,易造成发光层的漏电及出光遭回熔物吸收之亮度下降。
技术实现思路
为了达到上述目的，本技术提出以下一种保证发光效率且可靠性高的半导体发光元件，其包括键合衬底，所述的半导体发光元件的键合衬底包括第一表面和第二表面，第一表面上的多层金属层，多层金属层上的半导体发光序列，所述的键合衬底的边缘形成台阶结构，以使键合衬底的第一表面的边缘未被覆盖。优选地，所述键合衬底的边缘的露出部分宽度至少2-10微米，更优选地，为3...
【技术保护点】
1.一种半导体发光元件，其包括键合衬底，所述的半导体发光元件的键合衬底包括第一表面和第二表面，第一表面上的多层金属层，多层金属层上的半导体发光序列，所述的键合衬底的边缘形成台阶结构，以使键合衬底的第一表面的边缘部分未被覆盖。
【技术特征摘要】
1.一种半导体发光元件，其包括键合衬底，所述的半导体发光元件的键合衬底包括第一表面和第二表面，第一表面上的多层金属层，多层金属层上的半导体发光序列，所述的键合衬底的边缘形成台阶结构，以使键合衬底的第一表面的边缘部分未被覆盖。2.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述键合衬底的边缘的台阶结构的宽度至少2微米，宽度为金属层侧壁至键合衬底侧壁的宽度。3.根据权利要求2所述的半导体发光元件，其特征在于，所述的键合衬底的边缘的台阶结构的宽度介于2-10微米。4.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，所述多层金属层边缘上的半导体发光序列被去除形成第二台阶结构，其宽度为1.5微米-10微米。5.根据权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，其中所述的键合衬底侧壁表面具有相对平坦的第一部分和不平坦的第二部分。6.根据权利要求5所述的半导体发光元件，其特征在于，所述的键合衬底侧壁表面的不平坦的第二部分为不平整的凸凹结构。7.根据权利要求5所述的半导体发光元件，其特征在于，所述的键合衬底侧壁表面的不平坦的第二部分靠近键合衬底的第一表面或进一步地延伸至第一表面。8.根据权利要求5所述的半导体发光元件，其特征在于，所述的键合衬底侧壁表面的不平坦的第二部分靠近键合衬底的第...
【专利技术属性】
技术研发人员：柯韦帆，吴俊毅，钟秉宪，
申请(专利权)人：天津三安光电有限公司，
类型：新型
国别省市：天津,12
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