多层芯片堆叠结构及应用其的闪存盘制造技术

本实用新型专利技术公开了一种多层芯片堆叠结构及应用其的闪存盘，其涉及闪存盘领域。旨在解决传统闪存盘无法通过使用大尺寸的芯片来提高存储容量的问题。其技术方案要点包括基板、Controller控制芯片以及NAND存储芯片，所述基板与NAND存储芯片之间设置有第一垫片，所述第一垫片与基板之间形成让位空间；所述Controller控制芯片与基板连接，且与所述让位空间相交。本实用新型专利技术能够在基板尺寸受限的情况下，灵活使用大尺寸的NAND存储芯片，来增加闪存盘的存储容量。

Multilayer Chip Stacking Structure and Its Flash Disk

【技术实现步骤摘要】
多层芯片堆叠结构及应用其的闪存盘
本技术涉及闪存盘领域，更具体地说，它涉及一种多层芯片堆叠结构及应用其的闪存盘。
技术介绍
闪存盘是一种无需物理驱动器的微型高容量移动存储产品，它采用的存储介质为闪存(FlashMemory)。闪存盘接口有USB、IEEE1394、E-SATA等，采用USB接口的闪存盘简称U盘。闪存盘不需要额外的驱动器，将驱动器及存储介质合二为一，只要接上电脑上的USB、IEEE1394、E-SATA等接口就可独立地存储读写数据。闪存盘体积很小，仅大拇指般大小，重量极轻，约为20克，特别适合随身携带。目前USB3.0接口的闪存盘封装产品中，Controller控制芯片、NAND存储芯片以及贴片元件均直接与基板连接。但是，基板尺寸受限，若要使用大尺寸的NAND存储芯片来提高闪存盘存储容量，大尺寸的NAND存储芯片会与Controller控制芯片干涉，则无法实现，此问题亟待解决。
技术实现思路
针对现有技术存在的不足，本技术的目的之一在于提供一种多层芯片堆叠结构，其具有能够在基板尺寸受限的情况下，灵活使用大尺寸的NAND存储芯片，来增加闪存盘存储容量的优势。为实现上述目的，本技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多层芯片堆叠结构，包括基板(1)、Controller控制芯片(5)以及NAND存储芯片(4)，其特征在于：所述基板(1)与NAND存储芯片(4)之间设置有第一垫片(2)，所述第一垫片(2)与基板(1)之间形成让位空间(7)；所述Controller控制芯片(5)与基板(1)连接，且与所述让位空间(7)相交。

【技术特征摘要】
1.一种多层芯片堆叠结构，包括基板(1)、Controller控制芯片(5)以及NAND存储芯片(4)，其特征在于：所述基板(1)与NAND存储芯片(4)之间设置有第一垫片(2)，所述第一垫片(2)与基板(1)之间形成让位空间(7)；所述Controller控制芯片(5)与基板(1)连接，且与所述让位空间(7)相交。2.根据权利要求1所述的多层芯片堆叠结构，其特征在于：所述第一垫片(2)上堆叠设置有若干NAND存储芯片(4)。3.根据权利要求1所述的多层芯片堆叠结构，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁晓颖，周婷婷，陈学芹，叶花勇，殷晓，金国根，顾玉萍，周丽，孙凤珠，俞晨彬，
申请(专利权)人：力成科技苏州有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32