晶圆处理装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆处理装置。所述晶圆处理装置包括：反应腔室；第一传输室，具有第一机械手臂，用于将晶圆自外界传输至所述反应腔室内进行处理；第二传输室，与所述第一传输室分别位于所述反应腔室的相对两侧，具有第二机械手臂，用于将经所述反应腔室处理后的所述晶圆传输至外界。本实用新型专利技术减少了晶圆被污染的概率，提高了半导体产品的良率。

Wafer processing unit

【技术实现步骤摘要】
晶圆处理装置
本技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种晶圆处理装置。
技术介绍
随着半导体制造技术的不断发展，IC电路集成度越来越高，半导体产品的关键尺寸逐渐减小，对污染物的控制要求也越来越高。将IC形成在晶圆上，这必须经历许多的工艺步骤，每个工艺步骤都需要在特定的晶圆处理腔室中进行，在很多情况下，这些晶圆处理腔室都需要保持在真空或是近乎真空的环境下，才能对晶圆进行正常的工艺处理。因此，在晶圆的处理工序中，将晶圆从一个处理腔室转移至另一个处理腔室的过程中，需要大气传送模组(AtmosphereTransferModule，ATM)、气锁(Airlock)、真空传送模组(VacuumTransferModule，VTM)、前端开启式同一规格运输腔或者前端开启式通用腔(FrontOpeningUnifiedPod，FOUP)等的协同作用实现。晶圆在进入每道工艺的处理腔室之前必须要经过清洗，以除去晶圆表面的颗粒、有机物、金属、自然氧化物等污染物，因此，如何降低晶圆表面的污染是半导体技术发展过程中的重要一环。金属污染是半导体工业中一个众所周知的问题，并且在包括多晶硅栅的CMOS晶体管的形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆处理装置，其特征在于，包括：反应腔室；第一传输室，具有第一机械手臂，用于将晶圆自外界传输至所述反应腔室内进行处理；第二传输室，与所述第一传输室分别位于所述反应腔室的相对两侧，具有第二机械手臂，用于将经所述反应腔室处理后的所述晶圆传输至外界。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆处理装置，其特征在于，包括：反应腔室；第一传输室，具有第一机械手臂，用于将晶圆自外界传输至所述反应腔室内进行处理；第二传输室，与所述第一传输室分别位于所述反应腔室的相对两侧，具有第二机械手臂，用于将经所述反应腔室处理后的所述晶圆传输至外界。2.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，还包括：第一分隔板，位于所述反应腔室与所述第一传输室之间，用于隔离所述反应腔室与所述第一传输室；第二分隔板，位于所述反应腔室与所述第二传输室之间，用于隔离所述反应腔室与所述第二传输室。3.根据权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述第一机械手臂与所述第二机械手臂结构相同；所述第一机械手臂包括支撑柱和支撑台；所述支撑柱沿竖直方向延伸；所述支撑台位于所述支撑柱的顶部，用于承载所述晶圆。4.根据权利要求3所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述第一机械手臂还包括控制器和第一驱动器；所述第一驱动器连接所述控制器，用于根据所述控制器发出的第一指令驱动所述支撑台围绕第一轴线自转，所述第一轴线沿竖直方向延伸、且与所述支撑柱的轴线重合。5.根据权利要求4所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述第一机械手臂还包括第二驱动器；所述第二驱动器连接所述控制器，用于根...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘东林，高英哲，张文福，刘家桦，叶日铨，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32