【技术实现步骤摘要】
转印基板及其制作方法、微发光二极管转印方法
本专利技术涉及显示
，特别是指一种转印基板及其制作方法、微发光二极管转印方法。
技术介绍
MicroLEDDisplay全称为微发光二极管显示器，它的结构是微型化LED(发光二极管)阵列，也就是将LED结构设计进行薄膜化、微小化以及阵列化后，巨量的转移到电路基板上，再利用物理沉积技术生成保护层，形成微小间距的LED。将毫米级别的LED长度进一步微缩到微米级，以达到超高像素、超高解析率，理论上能够适应各种尺寸屏幕的技术。其体积约为目前主流LED大小的1％。同时它还能够实现每个像素单独定址、单独驱动发光(自发光)，也将像素点的距离由原来的毫米级别降到了纳米级。MicroLED具备无需背光源、能够自发光的特性，与OLED(有机电致发光二极管)相似，但相比OLED，Micro-LED色彩更容易准确的调试，且结构简易，几乎无光耗，它的使用寿命非常长，具有高亮度、低功耗、超高解析度与色彩饱和度、反应速度快、超省电、长寿命、高效率、适应各种尺寸、无缝拼接等优点，MicroLED被视为下一代显示，称为最有可能取代OLED的下代显示...
【技术保护点】
1.一种转印基板，其特征在于，包括：衬底基板；位于所述衬底基板上的薄膜晶体管；与所述薄膜晶体管的漏电极连接的第一电极；位于所述衬底基板上的第二电极；位于所述第一电极和所述第二电极之间电场范围内的电致伸缩结构，所述电致伸缩结构的一侧表面凸出于所述转印基板。
【技术特征摘要】
1.一种转印基板，其特征在于，包括：衬底基板；位于所述衬底基板上的薄膜晶体管；与所述薄膜晶体管的漏电极连接的第一电极；位于所述衬底基板上的第二电极；位于所述第一电极和所述第二电极之间电场范围内的电致伸缩结构，所述电致伸缩结构的一侧表面凸出于所述转印基板。2.根据权利要求1所述的转印基板，其特征在于，所述第一电极与所述漏电极为一体结构。3.根据权利要求1所述的转印基板，其特征在于，所述转印基板还包括：覆盖所述薄膜晶体管、所述第一电极和所述第二电极的钝化层，所述钝化层具有暴露出所述第一电极的第一过孔和暴露出所述第二电极的第二过孔；所述电致伸缩结构位于所述钝化层上，分别通过所述第一过孔与所述第一电极连接，通过所述第二过孔与所述第二电极连接。4.根据权利要求1所述的转印基板，其特征在于，所述第二电极为透明电极，所述电致伸缩结构位于所述第二电极上，且所述电致伸缩结构凸出的表面在所述衬底基板上的正投影落入所述第二电极在所述衬底基板上的正投影内。5.一种转印基板的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上形成薄膜晶体管和与所述薄膜晶体管的漏电极连接的第一电极；在所述衬底基板上形成第二电极；形成位于所述第一电极和所述第二电极之间电场范围内的电致伸缩结构，所述电致伸缩结构的一侧表面凸出于所述转印基板。6.一种微发光二极管转印方法，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：袁广才，李海旭，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。