一种制造半导体器件的方法技术

提供具有第一区域和第二区域的晶圆。第一形貌变化存在于第一区域和第二区域之间。在晶圆的第一区域上方和第二区域上方形成第一层。图案化第一层。图案化的第一层导致第二形貌变化存在于第一区域和第二区域之间。第二形貌变化比第一形貌变化更平滑。第二层形成在第一区域和第二区域上方。第二层的至少部分形成在图案化的第一层上方。本发明专利技术实施例涉及一种制造半导体器件的方法。

A Method of Manufacturing Semiconductor Devices

【技术实现步骤摘要】
一种制造半导体器件的方法
本专利技术实施例涉及一种制造半导体器件的方法。
技术介绍
半导体集成电路(IC)产业已经经历了快速发展。IC材料和设计中的技术进步产生了多代IC，其中，每代IC都具有比前一代IC更小且更复杂的电路。然而，这些进步增大了处理和制造IC的复杂程度，并且为了实现这些进步，需要IC处理和制造中的类似发展。在IC演化过程中，功能密度(即，每芯片面积上互连器件的数量)普遍增大，而几何尺寸(即，使用制造工艺可以产生的最小组件)却已减小。然而，传统的半导体器件制造仍然可能具有特定缺点。例如，半导体器件制造可能涉及形貌变化。例如，晶圆的一些区域可能比晶圆的其他区域“更高”或“更矮”。形貌变化可能导致器件的性能下降或甚至器件故障。传统的半导体制造方法对形貌变化问题没有提供满意的解决方案。因此，虽然现有的半导体器件及其制造通常已经满足它们的预期目的，但是它们并非在所有方面都完全令人满意。
技术实现思路
根据本专利技术的一些实施例，提供了一种制造半导体器件的方法，包括：提供具有第一区域和第二区域的晶圆，其中，所述第一区域和所述第二区域之间存在第一形貌变化；在所述晶圆的所述第一区域和所述第二区域的上方形成第一层；图案化所述第一层，其中，图案化的所述第一层导致所述第一区域和所述第二区域之间存在第二形貌变化，并且其中，所述第二形貌变化比第一形貌变化更加平滑；以及在所述第一区域和所述第二区域上方形成第二层，其中，所述第二层的至少部分形成在图案化的所述第一层上方。根据本专利技术的另一些实施例，还提供了一种制造半导体器件的方法，包括：提供具有第一区域和第二区域的晶圆，其中，所述第一区域包括闪存单元并且所述第一区域高于所述第二区域；在所述晶圆的所述第一区域上方和所述第二区域上方形成第一层；图案化所述第一层以在所述第一区域和所述第二区域之间的边界处形成间隔件组件；在所述第一区域上方和所述第二区域上方，包括在所述间隔件组件上方形成连续的第二层。根据本专利技术的又一些实施例，还提供了一种制造半导体器件的方法，包括：提供具有第一器件和与所述第一器件相邻的第二器件的晶圆，其中，所述第一器件包括非易失性存储器件，并且，其中，在所述非易失性存储器件和所述第二器件之间的边界处存在台阶高度；在所述边界处形成组件，其中，所述组件在所述非易失性存储器件和所述第二器件之间提供所述台阶高度的减小；以及通过非共形沉积工艺，在所述非易失性存储器件和所述第二器件上方形成掩模层，其中，至少部分由于所述组件提供所述台阶高度的减小，所述掩模层连续地形成。附图说明当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可更好地理解本专利技术。应该强调，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制并且仅仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意地增大或缩小。图1和图3-10是根据本专利技术的各个实施例的处于不同制造阶段的半导体器件的截面侧视图。图2是根据本专利技术的实施例的处于制造阶段的半导体器件的三维透视图。图11是根据本专利技术的实施例的覆盖标记的顶视图。图12是根据本专利技术的实施例的用于制造半导体器件的方法的流程图。具体实施方式应该理解，以下公开内容提供了许多用于实现本专利技术的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例来简化本专利技术。当然，这些仅仅是实例而不旨在限制。例如，在下面的描述中第一部件在第二部件上方或者在第二部件上的形成可以包括其中第一部件和第二部件以直接接触形成的实施例，并且也可以包括其中可以在第一部件和第二部件之间形成额外的部件，使得第一和第二部件可以不直接接触的实施例。而且，本专利技术在各个实例中可以重复参考数字和/或字符。这种重复是为了简明和清楚，但是其本身没有指明所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。为了简化和清楚的目的，可以以不同比例任意绘制各个图。此外，为了便于描述，本文中可以使用诸如“在...下方”、“在...下面”、“下部”、“在...上面”、“上部”等空间关系术语以描述如图所示的一个元件或部件与另一元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对位置术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。例如，如果将附图中的器件翻过来，则描述为在其他元件或部件“下部”或“之下”的元件将被定位于在其他元件或部件“上方”。因此，说明性术语“在...下方”可包括在...上方和在...下方的方位。装置可以以其它方式定位(旋转90度或在其他方位)，并且通过在本文中使用的空间关系描述符可同样地作相应地解释。因为半导体器件尺寸随着每一代技术的产生而不断缩小，新的制造挑战不断出现。存在的挑战之一是半导体制造中的形貌变化。当晶圆的一些区域比晶圆的一些其他区域“更高”(例如，具有更大的垂直高度)时，形貌变化可能发生，反之亦然。“更高”或“更矮”的区域可以包括不同的层，诸如半导体层、介电层、或导电(例如，金属)层。在旧技术时代中，形貌变化可能不是一个重要的问题，因为旧技术时代的器件尺寸要么超过形貌变化，要么相比于形貌变化至少足够大，这样形貌变化就不会引起任何问题。因此，传统的半导体制造方法还没有设计出一种方案以解决可能由形貌变化引起的任何潜在的问题。不幸的是，由于半导体制造技术节点已发展到纳米(nm)节点(例如，22纳米或以下)，形貌变化可能会导致问题。例如，如果晶圆的表面形貌变化不是平坦或光滑的，而是包含高于第二区域的第一区域，则在第一区域和第二区域上形成的层可能“断开”或经历不连续。换句话说，由于在不平坦的表面或地形上形成，该层可能会受损。受损的层也可能导致在随后的制造过程中的问题，例如不应该被蚀刻的层被过度蚀刻等。因此，器件性能可能会降低，并且在一些情况下甚至可能发生器件失效。本专利技术的专利技术人发现了作为半导体器件制造的一部分的形貌变化引起的潜在问题。因此，本专利技术涉及克服这些潜在问题的方法，例如通过“缓和”形貌变化。下面将使用闪存器件作为可能发生形貌变化的示例器件，来更详细地讨论本专利技术的某些不同方面，并实施根据本专利技术的各个方面的解决方案。然而，应该理解，闪存器件仅仅是一个示例，本专利技术的各个方面也可以应用于其他类型的器件。现在，参照图1，示出存储器件100的部分的简化的示例性的不完整截面侧视图。在一些实施例中，存储器件100包括闪存器件，闪存器件是一种电子可擦除可编程只读存储器(EEPROM)的形式。闪存器件可以包括多个包含NAND逻辑门或NOR逻辑门的块或阵列或独立单元。除了能够存储电子可擦除数据之外，闪存器件的其他一些优点包括它们相对较快的存取时间、抗机械冲击性和非易失性。至少部分地由于这些优点，闪存器件已经广泛的应用在许多消费者和专业产品中，例如记忆卡、USB(通用串行总线)闪存盘，固态硬盘、个人电脑(包括台式机和/或笔记本电脑)、数码相机、手机、平板电脑、视频游戏、机器人，和医疗设备等。出于简化的原因，图1中仅示出了存储器件100的一小部分。如图1所示，存储器件100包括多个有源区110(也被称为OD)。可以在衬底(例如，硅衬底)上方形成有源区110。有源区110可以包括一个或多个掺杂阱，可以使用一个或多个离子注入工艺形成掺杂阱，离子注入工艺将掺杂离子注入到衬底中。在一些实施例中，掺杂剂离子可以包括例如砷(As)或磷(P)的n型材料，或者在一些其他实施例中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造半导体器件的方法，包括：提供具有第一区域和第二区域的晶圆，其中，所述第一区域和所述第二区域之间存在第一形貌变化；在所述晶圆的所述第一区域和所述第二区域的上方形成第一层；图案化所述第一层，其中，图案化的所述第一层导致所述第一区域和所述第二区域之间存在第二形貌变化，并且其中，所述第二形貌变化比第一形貌变化更加平滑；以及在所述第一区域和所述第二区域上方形成第二层，其中，所述第二层的至少部分形成在图案化的所述第一层上方。

【技术特征摘要】
2017.10.30 US 15/796,9921.一种制造半导体器件的方法，包括：提供具有第一区域和第二区域的晶圆，其中，所述第一区域和所述第二区域之间存在第一形貌变化；在所述晶圆的所述第一区域和所述第二区域的上方形成第一层；图案化所述第一层，其中，图案化的所述第一层导致所述第一区域和所述第二区域之间存在第二形貌变化，并且其中，所述第二形貌变化比第一形貌变化更加平滑；以及在所述第一区域和所述第二区域上方形成第二层，其中，所述第二层的至少部分形成在图案化的所述第一层上方。2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：将所述第二层图案化为图案化的掩模层。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第二层的图案化包括光刻胶再加工工艺。4.根据权利要求3所述的方法，其中：所述第二层的图案化包括：在所述第二层上方形成抗反射材料，以及在所述抗反射材料上方形成光敏材料；以及所述光刻胶再加工工艺包括应用酸以去除所述抗反射材料。5.根据权利要求1所述的方法，其中，使用非共形沉积工艺实施所述第二层的形成。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二层的形成包括：将所述第二层形成为连续...

【专利技术属性】
技术研发人员：巫俊昌，郑智远，陈思帆，杨舜升，张玮玲，郭景森，许峰嘉，陈俊璋，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71