一种制造半导体器件的方法技术

提供具有第一区域和第二区域的晶圆。第一形貌变化存在于第一区域和第二区域之间。在晶圆的第一区域上方和第二区域上方形成第一层。图案化第一层。图案化的第一层导致第二形貌变化存在于第一区域和第二区域之间。第二形貌变化比第一形貌变化更平滑。第二层形成在第一区域和第二区域上方。第二层的至少部分形成在图案化的第一层上方。本发明专利技术实施例涉及一种制造半导体器件的方法。

A Method of Manufacturing Semiconductor Devices

【技术实现步骤摘要】
一种制造半导体器件的方法
本专利技术实施例涉及一种制造半导体器件的方法。
技术介绍
半导体集成电路(IC)产业已经经历了快速发展。IC材料和设计中的技术进步产生了多代IC，其中，每代IC都具有比前一代IC更小且更复杂的电路。然而，这些进步增大了处理和制造IC的复杂程度，并且为了实现这些进步，需要IC处理和制造中的类似发展。在IC演化过程中，功能密度(即，每芯片面积上互连器件的数量)普遍增大，而几何尺寸(即，使用制造工艺可以产生的最小组件)却已减小。然而，传统的半导体器件制造仍然可能具有特定缺点。例如，半导体器件制造可能涉及形貌变化。例如，晶圆的一些区域可能比晶圆的其他区域“更高”或“更矮”。形貌变化可能导致器件的性能下降或甚至器件故障。传统的半导体制造方法对形貌变化问题没有提供满意的解决方案。因此，虽然现有的半导体器件及其制造通常已经满足它们的预期目的，但是它们并非在所有方面都完全令人满意。
技术实现思路
根据本专利技术的一些实施例，提供了一种制造半导体器件的方法，包括：提供具有第一区域和第二区域的晶圆，其中，所述第一区域和所述第二区域之间存在第一形貌变化；在所述晶圆的所述第一区域和所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造半导体器件的方法，包括：提供具有第一区域和第二区域的晶圆，其中，所述第一区域和所述第二区域之间存在第一形貌变化；在所述晶圆的所述第一区域和所述第二区域的上方形成第一层；图案化所述第一层，其中，图案化的所述第一层导致所述第一区域和所述第二区域之间存在第二形貌变化，并且其中，所述第二形貌变化比第一形貌变化更加平滑；以及在所述第一区域和所述第二区域上方形成第二层，其中，所述第二层的至少部分形成在图案化的所述第一层上方。

【技术特征摘要】
2017.10.30 US 15/796,9921.一种制造半导体器件的方法，包括：提供具有第一区域和第二区域的晶圆，其中，所述第一区域和所述第二区域之间存在第一形貌变化；在所述晶圆的所述第一区域和所述第二区域的上方形成第一层；图案化所述第一层，其中，图案化的所述第一层导致所述第一区域和所述第二区域之间存在第二形貌变化，并且其中，所述第二形貌变化比第一形貌变化更加平滑；以及在所述第一区域和所述第二区域上方形成第二层，其中，所述第二层的至少部分形成在图案化的所述第一层上方。2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：将所述第二层图案化为图案化的掩模层。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第二层的图案化包括光刻胶再加工工艺。4.根据权利要求3所述的方法，其中：所述第二层的图案化包括：在所述第二层上方形成抗反射材料，以及在所述抗反射材料上方形成光敏材料；以及所述光刻胶再加工工艺包括应用酸以去除所述抗反射材料。5.根据权利要求1所述的方法，其中，使用非共形沉积工艺实施所述第二层的形成。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二层的形成包括：将所述第二层形成为连续...

【专利技术属性】
技术研发人员：巫俊昌，郑智远，陈思帆，杨舜升，张玮玲，郭景森，许峰嘉，陈俊璋，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71