一种提高速度和保持数据时间的存储器制造技术

本发明专利技术涉及半导体存储器技术领域，尤其涉及一种提高速度和保持数据时间的存储器，其中包括：一嵌入式动态随机存储器，一非易失性存储器；嵌入式动态随机存储器与非易失性存储器连接，嵌入式动态随机存储器和非易失性存储器分别与一外部处理器连接；外部处理器对嵌入式动态随机存储器进行写数据操作，对非易失性存储器进行读数据操作，嵌入式动态随机存储器将数据转移至非易失性存储器中保存；嵌入式动态随机存储器利用绝缘体上硅工艺结合背栅调控技术以提高嵌入式动态随机存储器的读写数据速度与保持数据时间。上述技术方案的有益效果：很好的解决了存储器中晶体管漏电问题，同时又保证了存储器的读写速度和数据保持时间。

A Memory for Increasing Speed and Keeping Data Time

【技术实现步骤摘要】
一种提高速度和保持数据时间的存储器
本专利技术涉及半导体存储器
，尤其涉及一种提高速度和保持数据时间的存储器。
技术介绍
基于绝缘体上硅技术的器件结构与鳍式场效应管相比，能够提供更好的低功耗和高性能体验，设计成本比鳍式场效应管也低，同时对于射频、嵌入式非易失性存储器的应用上使用全耗尽绝缘体上硅工艺将会更加有效。对于易失性的存储设备例如动态随机存储器(DynamicRandomAccessMemory，DRAM)虽然理论上有着无限次的写入操作次数,但由于存储数据时的漏电情况，必须要进行不断的刷新处理，才能保证数据的保持时间。对于非易失性的存储设备，虽然保持数据时间长，其断电之后数据也不消失，但是其写入寿命有期限，存在有限的写入操作次数之后性能降低，0/1电平分辨就很难实现。对于存储器的漏电情况，虽然可以通过增加晶体管数量来增加电荷保持时间，达到在较长时间内都能致使漏电保持在可接受的范围内，但同样地，这种实现方式也增大了面积，使得可制作的容量降低。所以需要提供另一种解决方案来解决这一漏电问题，同时不影响其他方面的性能和效益。
技术实现思路
针对现有技术中存在的上述问题，本专利技术提出一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种提高速度和保持数据时间的存储器，其特征在于，包括：一嵌入式动态随机存储器，一非易失性存储器；所述嵌入式动态随机存储器与所述非易失性存储器连接，所述嵌入式动态随机存储器和所述非易失性存储器分别与一外部处理器连接；所述外部处理器对所述嵌入式动态随机存储器进行写数据操作，所述外部处理器对所述非易失性存储器进行读数据操作，所述嵌入式动态随机存储器将数据转移至所述非易失性存储器中保存；所述嵌入式动态随机存储器于绝缘体上硅工艺制作，包括至少两个晶体管及一电容，至少两个所述晶体管的场效应管沟道的下方增加一背栅，用以调节所述背栅的电压来调节所述嵌入式动态随机存储器的阈值电压，以提高所述嵌入式动态随机存...

【技术特征摘要】
1.一种提高速度和保持数据时间的存储器，其特征在于，包括：一嵌入式动态随机存储器，一非易失性存储器；所述嵌入式动态随机存储器与所述非易失性存储器连接，所述嵌入式动态随机存储器和所述非易失性存储器分别与一外部处理器连接；所述外部处理器对所述嵌入式动态随机存储器进行写数据操作，所述外部处理器对所述非易失性存储器进行读数据操作，所述嵌入式动态随机存储器将数据转移至所述非易失性存储器中保存；所述嵌入式动态随机存储器于绝缘体上硅工艺制作，包括至少两个晶体管及一电容，至少两个所述晶体管的场效应管沟道的下方增加一背栅，用以调节所述背栅的电压来调节所述嵌入式动态随机存储器的阈值电压，以提高所述嵌入式动态随机存储器的读写数据速度与保持数据时间。2.根据权利要求1所述的一种提高速度和保持数据时间的存储器，其特征在于，所述一种提高速度和保持数据时间的存储器的读写数据操作包括频繁写数据操作；和或频繁读数据操作；和或非频繁读写数据操作。3.根据权利要求2所述的一种提高速度和保持数据时间的存储器，其特征在于，所述频繁写数据操作于所述嵌入式动态随机存储器中进行，包括调节所述背栅的电压，以降低所述嵌入式动态随机存储器的阈值电压，增大电流密度，提高所述嵌入式动态随机存储器的读写数据速度。4.根据权利要求2所述的一种提高速度和保持数据时间的存储器，其特征在于，所述频繁读数据操作于所述非易失性存储器中进行所述读数据操作。5.根据权利要求2所述的一种提...

【专利技术属性】
技术研发人员：景蔚亮，钱星宇，陈邦明，
申请(专利权)人：上海新储集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31