弹性波装置制造方法及图纸

一种弹性波装置包括：压电基板，主要包含铌酸锂；叉指换能器电极，设置在压电基板上；以及电介质膜，设置在压电基板上，以便覆盖叉指换能器电极，主要包含氧化硅。弹性波装置使用瑞利波。叉指换能器电极包括多个主电极层(electrolyte)。多个主电极层包括一个或多个第一主电极层，所述一个或多个第一主电极层由针对弹性常数C11以及弹性常数C12而言C11

【技术实现步骤摘要】
弹性波装置
本专利技术涉及使用瑞利波的弹性波装置，所述弹性波装置包括主要包含铌酸锂的压电基板。
技术介绍
以往，提出了各种使用在主要包含铌酸锂的压电基板上传播的瑞利波的弹性波装置。日本未审查专利申请公开No.2012-175315公开了一种设置在LiNbO3基板上的叉指换能器电极。叉指换能器电极包括通过将多个金属层层叠而成的多层金属膜。叉指换能器电极被氧化硅膜覆盖。以往，为了改善频率温度特性，较多使用在主要包括铌酸锂的压电基板上层叠氧化硅膜的构造。但是，若氧化硅膜的厚度变得过厚，则在一些情况下存在赛兹瓦波引起的寄生变大的问题。此外，若氧化硅膜的厚度变薄，则频率温度特性劣化。因此，难以兼顾抑制由于赛兹瓦波引起的寄生和减小频率温度系数TCF的绝对值二者。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于，提供一种能够实现对由于赛兹瓦波引起的寄生的抑制和对频率温度特性的改善的弹性波装置。根据本专利技术的优选实施例，一种弹性波装置包括：压电基板，主要包括铌酸锂；叉指换能器电极，设置在所述压电基板上；和电介质膜，设置在所述压电基板上以覆盖所述叉指换能器电极且主要包括氧化硅，所述弹性波装置利用瑞利波，所述叉指换能器电极具有多个主电极层。所述多个主电极层包括一个或多个第一主电极层，所述一个或多个第一主电极层由对于弹性常数C11以及弹性常数C12而言C112/C12比大于氧化硅的C112/C12比的金属构成。在将所述叉指换能器电极整体的厚度设为约100％时，所述一个或多个第一主电极层的厚度的总和占约52％或更多。根据基于本专利技术优选实施例的弹性波装置，可以抑制由于赛兹瓦波引起的寄生，可以改善频率温度特性，并且可以减小叉指换能器电极的欧姆损耗。根据以下参考附图对本专利技术优选实施例的详细描述，本专利技术的其他特征、要素、特性和优点将显而易见。附图说明图1是根据本专利技术的第一实施例的弹性波装置的俯视图；图2是表示根据第一实施例的弹性波装置的主要部分的多层结构的示意局部正面剖视图；图3是表示每个SiO2膜厚(％)与赛兹瓦波的声速的关系的图；图4是表示在使用具有各种膜厚的Mo构成的叉指换能器电极的情况下的每个SiO2膜厚与赛兹瓦波的声速的关系的图；图5是表示在使用具有各种膜厚的W构成的叉指换能器电极的情况下的每个SiO2膜厚与赛兹瓦波的声速的关系的图；图6是表示在使用具有各种膜厚的Cu构成的叉指换能器电极的情况下的每个SiO2膜厚与赛兹瓦波的声速的关系的图；图7是表示在使用具有各种膜厚的Fe构成的叉指换能器电极的情况下的每个SiO2膜厚与赛兹瓦波的声速的关系的图；图8是表示在使用具有各种膜厚的Pt构成的叉指换能器电极的情况下的每个SiO2膜厚与赛兹瓦波的声速的关系的图；图9是表示在使用具有各种膜厚的Ta构成的叉指换能器电极的情况下的每个SiO2膜厚与赛兹瓦波的声速的关系的图；图10是表示在使用具有各种膜厚的Al构成的叉指换能器电极的情况下的每个SiO2膜厚与赛兹瓦波的声速的关系的图；图11是表示在使用具有各种膜厚的Ag构成的叉指换能器电极的情况下的每个SiO2膜厚与赛兹瓦波的声速的关系的图；图12是表示在使用具有各种膜厚的Au构成的叉指换能器电极的情况下的每个SiO2膜厚与赛兹瓦波的声速的关系的图；图13是表示在使用由各种金属构成的叉指换能器电极的情况下的每个电极膜厚(％)与SiO2膜的膜厚T(％)的关系的图；图14是示出由于赛兹瓦波引起的叉指换能器电极的位移状态的示意性正面剖视图；图15是表示C112/C12比与图13所示的直线的斜率的关系的图；图16是表示在叉指换能器电极包括将Mo层与Ag层包括在内的多层金属膜的情况下的Mo的百分比与每个SiO2膜的膜厚T(％)的关系的图；图17是表示在叉指换能器电极包括将Ag层以及置于其上的Mo层包括在内的多层金属膜的情况下的Mo的百分比与每个SiO2膜的膜厚T(％)的关系的图；图18是表示在叉指换能器电极包括Mo层以及Ag层且Mo层的膜厚为叉指换能器电极整体的约75％的情况下的每个SiO2膜的膜厚(％)与赛兹瓦波的声速的关系的图；图19是表示在叉指换能器电极包括将W层、Mo层和Al层包括在内的多层金属膜的情况下W和Mo的百分比与每个SiO2膜的膜厚T(％)的关系的图；以及图20是表示将SiO2膜的膜厚设为100％的情况下的每个SiO2层的厚度方向的位置处的由于赛兹瓦波引起的位移的大小的变动(最大值-最小值)的示意图。具体实施方式将参照附图对本专利技术的具体实施例进行说明，从而使本专利技术清楚明了。本说明书中所述的各实施例是示例性的，指出能够在不同的实施例间进行结构的局部置换或者组合。图1是本专利技术的第一实施例的弹性波装置1的俯视图，图2是表示弹性波装置1的主要部分的多层结构的示意性局部正面剖视图。弹性波装置1包括压电基板2。压电基板2由旋转Y切割X传输的LiNbO3构成。在压电基板2上，设置叉指换能器电极3。在叉指换能器电极3的两侧设置反射器5、6。主要包括氧化硅的电介质膜4被设置在压电基板2上，以覆盖叉指换能器电极3以及反射器5、6。叉指换能器电极3至少包括两个主电极层。在叉指换能器电极3中，在由Mo构成的第一主电极层3a上层叠由Ag构成的第二主电极层3b。弹性波装置1利用在由LiNbO3构成的压电基板2中传输的瑞利波。术语“主电极层”是指主导激射瑞利波的高密度电极层或其目的为补偿电阻以便确保弹性波的良好性能的电极层。因此，除主电极层以外，叉指换能器电极3也可以包括密接层或扩散防止层。密接层是指用于提高叉指换能器电极3与压电基板2的密接性的电极层，并且可以例如能够由NiCr或Ti形成。扩散防止层是指用于防止主电极层之间的原子的扩散的电极层，并且可以例如能够由Ti形成。压电基板2并不限定于LiNbO3，且可以是主要包括铌酸锂的压电基板。主要包括铌酸锂的压电基板是指包含约50％或更多的铌酸锂的压电基板。电介质膜4并不限定于包含氧化硅的膜。主要包括氧化硅的膜不限于SiO2膜，且是指包含约50％或更多的氧化硅的膜。弹性波装置1包括：压电基板2，其主要包含铌酸锂；叉指换能器电极3，设置在压电基板2上；以及电介质膜4，设置在压电基板2上以便覆盖叉指换能器电极3，且主要包括氧化硅，并使用瑞利波。叉指换能器电极3包括多个主电极层。所述多个主电极层包括一个或多个主电极层，所述一个或多个主电极层由对于弹性常数C11以及弹性常数C12的C112/C12比大于电介质膜4中包括的氧化硅的C112/C12的金属构成。当所述叉指换能器3整体的厚度约为100％时，所述一个或多个第一主电极层的厚度的总和的特征在于约55％或更多。这样能够实现对赛兹瓦波引起的寄生的抑制、对频率温度特性的改善和对叉指换能器3的欧姆损耗的减小。以下对此更加详细地进行说明。附带地，术语“弹性常数”是指弹性硬度。假设将i、j、k和l定义为表示x轴、y轴和z轴的变量，弹性硬度是等式Tij＝CijklSkl(i，j，k，l＝x，y，z)中的Cijkl，其中，Tij是沿j方向作用在i平面上的应力，且Skl是由位移U1在某位置a的微分k得到的应力，由下式表示：由于Tij和Skl通常是二秩张量，Cijkl是四秩张量。使用替代xx＝1、yy＝2、zz＝3、yz(zy)＝4、zx(xz)本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种弹性波装置，包括：压电基板，主要包括铌酸锂；叉指换能器电极，设置在所述压电基板上；和电介质膜，设置在所述压电基板上以覆盖所述叉指换能器电极并且主要包括氧化硅，所述弹性波装置利用瑞利波，其特征在于：所述叉指换能器电极具有多个主电极层，所述多个主电极层包括一个或多个第一主电极层，其中所述一个或多个第一主电极层由对于弹性常数C11以及弹性常数C12而言C11

【技术特征摘要】
2017.09.21 JP 2017-1813841.一种弹性波装置，包括：压电基板，主要包括铌酸锂；叉指换能器电极，设置在所述压电基板上；和电介质膜，设置在所述压电基板上以覆盖所述叉指换能器电极并且主要包括氧化硅，所述弹性波装置利用瑞利波，其特征在于：所述叉指换能器电极具有多个主电极层，所述多个主电极层包括一个或多个第一主电极层，其中所述一个或多个第一主电极层由对于弹性常数C11以及弹性常数C12而言C112/C12比大于氧化硅的C112/C12比的金属构成，并且在将所述叉指换能器电极整体的厚度约为100％时，所述一个或多个第一主电极层的厚度的总和约为55％或更多。2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，所述一个或多个第一主电极层的数量是两个或者更多。3.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，所述主电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐治真理，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：新型
国别省市：日本,JP