弹性波装置制造方法及图纸

提供难以出现静电击穿的弹性波装置。弹性波装置(1)中，在压电基板(2)上形成电介质膜(3)，在电介质膜(3)上形成具有第1梳齿电极(5)和第2梳齿电极(6)的IDT电极(4A)，在第1、第2梳齿电极(5、6)分别电连接第1、第2布线电极(7、8a)，第1、第2梳齿电极(5、6)分别具有电极指、和接触电极指的汇流条，压电基板(2)的导电率高于电介质膜3的导电率，第1布线电极(7)、第2布线电极(8a)、第1梳齿电极(5)的汇流条以及第2梳齿电极(6)的汇流条当中至少1一者具有与压电基板(2)直接接触的部分。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本技术涉及在压电基板与IDT电极之间配置电介质膜的弹性波装置。
技术介绍
过去，作为谐振器或带通滤波器，弹性波装置得到广泛应用。在下述的专利文献1中公开了这种弹性波装置的一例。在专利文献1中，在压电基板上形成电介质层。在电介质层上设置第1IDT电极、和第2IDT电极。第1IDT电极与压电基板之间的电介质层的厚度不同于第2IDT电极与压电基板之间的电介质层的厚度。通过使电介质层的厚度不同来使机电耦合系数不同。由此，第1IDT电极中的相对频带宽度和第2IDT电极中相对频带宽度不同。现有技术文献专利文献专利文献1：JP特开2012-169707号公报
技术实现思路
技术要解决的课题在专利文献1记载那样的具有电介质膜的弹性波装置中，若施加静电，则有时会出现静电击穿。例如在树脂密封后的清洗工序等中，有时会因摩擦带电而出现静电。通常，由于IDT电极由相互间插的2个梳齿电极构成，因此若静电施加在IDT电极，则在IDT电极中，一方的梳齿电极与另一方的梳齿电极之间的电位差会变得非常大。其结果，有时IDT电极会静电击穿。本技术的目的在于，提供难以出现静电所引起的静电击穿的弹性波装置。用于解决课题的手段本技术所涉及的弹性波装置具备：压电基板；形成在所述压电基板上的电介质膜；形成在所述电介质膜上且具有第1及第2梳齿电极的IDT电极；和与所述第1及第2梳齿电极分别电连接的第1及第2布线电极，所述第1、第2梳齿电极分别具有：电极指、和接触所述电极指的汇流条，相比于所述电介质膜的导电率，所述压电基板的导电率更高，与所述第1及第2梳齿电极电连接的第1布线电极、第2布线电极、所述第1梳齿电极的汇流条以及第2梳齿电极的汇流条当中至少一者具有与所述压电基板直接接触的部分。在本技术所涉及的弹性波装置的某特定的局面下，所述第1及第2布线电极当中至少一方的布线电极在伸出至所述电介质膜的外侧的区域的位置与所述压电基板接触。在本技术所涉及的弹性波装置的其他特定的局面下，所述第1及第2布线电极当中至少一方的布线电极具有下方电极层、和层叠在所述下方电极层的上方电极层。在本技术所涉及的弹性波装置的再一特定的局面下，所述第1、第2布线电极都具有与所述压电基板直接接触的部分。在本技术所涉及的弹性波装置的又一特定的局面下，所述第1及第2梳齿电极的汇流条当中至少一方具有与所述压电基板直接接触的部分。在本技术所涉及的弹性波装置的另一特定的局面下，所述压电基板是经过还原处理的压电基板。在本技术所涉及的弹性波装置的其他特定的局面下，具备：层叠在所述压电基板上、包围形成所述IDT电极的部分而设的框状的支承构件；和被设为封闭所述支承构件的开口的盖件，所述弹性波装置是晶片级封装结构。技术的效果根据本技术所涉及的弹性波装置，即便施加静电，构成IDT电极的第1及第2梳齿电极中的静电击穿也难以出现。因此，即使在施加制造 时的热的工序或清洗工序中施加了静电，弹性波装置的不良也难以出现。附图说明图1是表示本技术的1个实施方式所涉及的弹性波装置的主要部分的局部缺口剖视图，是沿着图2中的A-A线的部分的剖视图。图2是用于说明本技术的1个实施方式的弹性波装置的电极结构的示意俯视图。图3是本技术的1个实施方式所涉及的弹性波装置的正面剖视图。图4是用于说明本技术的其他实施方式所涉及的弹性波装置的电极结构的示意俯视图。图5是用于说明实施例的弹性波装置的作用的概略正面剖视图。图6是用于说明比较例的弹性波装置的电极结构的概略正面剖视图。具体实施方式以下通过参考附图来说明本技术的具体的实施方式，使本技术明晰。图3是本技术的1个实施方式所涉及的弹性波装置的正面剖视图。弹性波装置1具有压电基板2。作为压电基板2，能使用LiTaO3或LiNbO3等的压电单晶所构成的基板。另外，作为压电基板2，也能使用由压电陶瓷构成的基板。优选地，作为压电基板2，使用经过还原处理的压电基板。若对压电基板2进行了还原处理，则相比于未进行还原处理的压电基板，压电基板2的导电率变得更高。因此，能更加有效地使压电基板2侧放电静电。在压电基板2上形成电介质膜3、3。电介质膜3在本实施方式中由氧化硅构成。构成电介质膜3的电介质材料并不限定于氧化硅。能使用氮化硅、氮氧化硅、氮化铝、氧化钽、氧化钛、氧化铝等适宜的电介质材料。电介质膜3在弹性波装置1为了调整所利用的弹性波的机电耦合系数而设。氧化硅的导电率为1.0×10-17S/m以上、1.0×10-16S/m以下，LiNbO3的 导电率为1.0×10-10S/m以上、1.0×10-9S/m以下，LiTaO3的导电率为1.0×10-12S/m以上、1.0×10-10S/m以下。即，压电基板2的导电率高于由氧化硅构成的电介质膜3的导电率。在电介质膜3上形成IDT电极4A、4B。IDT电极4A、4B分别具有第1梳齿电极5和第2梳齿电极6。梳齿电极5、6具有汇流条部5a、6a、和多条电极指。图2是表示上述压电基板2上的电极结构的示意俯视图。另外，图1是沿着图2的A-A线的剖视图。如图2所示那样，在本实施方式中，2个IDT电极4A、4B串联连接。梳齿电极5、6分别具有多条电极指。梳齿电极5的电极指和梳齿电极6的电极指相互间插。在图2的电极结构中，在附加斜线的影线的区域B1～B3未形成前述的电介质膜3。另外，在参考图3而后述的支承构件11的下方的区域也未形成电介质膜3。因此，在IDT电极4A、4B中，在梳齿电极5的电极指和梳齿电极6的电极指相互间插的区域内，电介质膜3位于下方的位置。通过设置电介质膜3来调整电介质膜3的厚度、组成，能调整在IDT电极4A、4B激振的弹性波的机电耦合系数。在上述IDT电极4A的第1梳齿电极5电连接第1布线电极7。第1布线电极7覆盖第1梳齿电极5的汇流条部5a的一部分，且在第1梳齿电极5外如箭头C1所示那样与压电基板2上直接接触。在第2梳齿电极6电连接第2布线电极8a。第2布线电极8a被设为覆盖第2梳齿电极6的汇流条部6a的上表面的一部分。另外，第2布线电极8a在汇流条部6a外的部分如箭头C2所示那样与压电基板2的上表面直接接触。在第2IDT电极4B侧，也同样地在第1梳齿电极5连接第1布线电极8b。在第2梳齿电极6电连接第2布线电极9。在本实施方式中，第1IDT电极4A侧的第2布线电极8a、和IDT电极4B侧的第1布线电极8b通过连结部8c而连成一体。由此IDT电极4A和IDT电极4B串联连接。第2布线电极9覆盖第2梳齿电极6的汇流条部6a的上部的一部分。 另外，第2布线电极9也如箭头C3所示那样与压电基板2的上表面直接接触。第1层的电极膜即上述第1、第2梳齿电极5、6能使用Al、Cu、Pt、Au、W、Ta、Mo、AlCu、NiCr、Ti等适宜的金属或合金来形成。另外，梳齿电极5、6可以使用层叠多个金属膜而成的层叠金属膜来形成。关于第1布线电极7、8b以及第2布线电极8a、9，也能使用上述的适宜的金属或合金来形成。另外，第1布线电极7、8a以及第2布线电极8a、9既可以使用与梳齿电极5、6相同的金属材料形成，也可以使用不同的金属材料来形成。另外，还可以使用层叠多个金属膜而成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种弹性波装置，具备：压电基板；形成在所述压电基板上的电介质膜；形成在所述电介质膜上且具有第1及第2梳齿电极的IDT电极；和与所述第1及第2梳齿电极分别电连接的第1及第2布线电极，所述第1、第2梳齿电极分别具有：电极指、和接触所述电极指的汇流条，相比于所述电介质膜的导电率，所述压电基板的导电率更高，与所述第1及第2梳齿电极电连接的第1布线电极、第2布线电极、所述第1梳齿电极的汇流条以及所述第2梳齿电极的汇流条当中至少一者具有与所述压电基板直接接触的部分。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.12.26 JP 2013-2694291.一种弹性波装置，具备：压电基板；形成在所述压电基板上的电介质膜；形成在所述电介质膜上且具有第1及第2梳齿电极的IDT电极；和与所述第1及第2梳齿电极分别电连接的第1及第2布线电极，所述第1、第2梳齿电极分别具有：电极指、和接触所述电极指的汇流条，相比于所述电介质膜的导电率，所述压电基板的导电率更高，与所述第1及第2梳齿电极电连接的第1布线电极、第2布线电极、所述第1梳齿电极的汇流条以及所述第2梳齿电极的汇流条当中至少一者具有与所述压电基板直接接触的部分。2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，所述第1及第2布线电极当中至少一方的布线电极在伸出至所述电介质膜的外侧的区域的位置与所述压电基板...

【专利技术属性】
技术研发人员：菊知拓，福田大辅，谷口康政，三村昌和，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：新型
国别省市：日本;JP