The invention discloses a preparation method of bismuth telluride, a topological semi-metallic material. Bi and Te with 5N purity are used as initial raw materials, weighed according to the molar ratio of Bi:Te=2:3, loaded into a quartz crucible cleaned by ultra-pure water, and the crucible is vacuum-pumped to 10.
【技术实现步骤摘要】
一种拓扑半金属材料碲化铋及其制备方法
本专利技术属于固态储能
，特别是涉及一种拓扑半金属材料碲化铋及其制备方法。
技术介绍
目前，化学储能技术已经遇到了突破高储能密度和高质量比能量的瓶颈问题，然而航天、空间等先进
又不断对能源存储能力提出更高的要求，因此围绕物理储能技术开展新型的储能技术研发是十分必要的。图谱半金属材料是一种以α-Sn为主要基线材料，在沉积生长过程中得到了大能隙二维拓扑结构，电子在二维拓扑结构的边缘进行无阻力传导。美国斯坦福大学已经通过第一性原理对这种大能隙二维拓扑结构的无损耗电子输运特征进行了验证，研究成果已经在Nature发表，国内未见关于二维拓扑结构材料与应用的报道。通过专利检索，一种高纯大尺寸GdB4单晶拓扑半金属材料的制备方法(CN201810341414)采用放电等离子体烧结与悬浮区域熔炼相结合的方法制备GdB4单晶。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，提供一种拓扑半金属材料碲化铋及其制备方法，从材料的成分和微结构出发，提出了一种全新的Bi2Te3系拓扑半金属材料。为了解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案是：一...
【技术保护点】
1.一种拓扑半金属材料碲化铋的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)使用5N纯度的Bi和Te为初始原料，按照摩尔比Bi：Te＝2:3进行称料，装入超纯水清洗过的石英坩埚，将坩埚抽真空至10
【技术特征摘要】
1.一种拓扑半金属材料碲化铋的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)使用5N纯度的Bi和Te为初始原料，按照摩尔比Bi：Te＝2:3进行称料，装入超纯水清洗过的石英坩埚，将坩埚抽真空至10-3Pa量级并封口；(2)将石英坩埚放入摇摆炉中，温度700℃～1000℃，摇摆速度10...
【专利技术属性】
技术研发人员：张丽丽，任保国，王泽深，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十八研究所，
类型：发明
国别省市：天津,12
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