晶体横向生长设备及晶体横向生长方法技术

本发明专利技术公开了一种晶体横向生长设备及晶体横向生长方法，该晶体横向生长设备包括：炉体、第一保温层、第二保温层、高温区、发热体、导车和坩埚，炉体内设置有第一保温层和第二保温层，导车置于第一保温层和第二保温层之间，第一保温层和第二保温层上均设置有高温区，高温区的中心均设置有发热体，坩埚装于导车中。该晶体横向生长方法包括以下步骤：将生长晶体所需的原料混合后填入坩埚中，然后将坩埚放入导车中，由导车将坩埚由低温区移入高温区；原料融化变成液体，达到最大的液化状态，再慢慢移出高温区，液体慢慢按所需的晶格进行排列组合固化，生成晶体。本发明专利技术解决了晶体生长中底部压力过大，坩埚难以承受从而导致坩埚变形漏液的情况。

CRYSTAL TRANSVERSE GROWTH EQUIPMENT AND CRYSTAL TRANSVERSE GROWTH METHOD

The invention discloses a transverse crystal growth device and a transverse crystal growth method. The transverse crystal growth device comprises a furnace body, a first thermal insulation layer, a second thermal insulation layer, a high temperature zone, a heating body, a guide car and a crucible. The furnace body is provided with a first thermal insulation layer and a second thermal insulation layer. The guide car is placed between the first thermal insulation layer and the second thermal insulation layer, and the first thermal insulation layer and the second thermal insulation layer are both on the first thermal insulation layer and the second thermal insulation layer. A high temperature zone is arranged, and a heater is arranged in the center of the high temperature zone, and a crucible is installed in the guide car. The transverse growth method of the crystal includes the following steps: mixing the raw materials needed for the crystal growth, filling the crucible, then putting the crucible into the guide car, transferring the crucible from the low temperature zone to the high temperature zone by the guide car; melting the raw materials into liquid, reaching the maximum liquefaction state, then slowly moving out of the high temperature zone, the liquid is arranged and solidified according to the required crystal lattice, and forming the crystal. The present invention solves the problem that the bottom pressure is too high in crystal growth and the crucible is difficult to bear, thus causing the crucible to deform and leak liquid.

【技术实现步骤摘要】
晶体横向生长设备及晶体横向生长方法
本专利技术涉及晶体生长
，特别是涉及一种晶体横向生长设备及晶体横向生长方法。
技术介绍
由于在晶体生长中通常使用两种技术生长，1是提拉法，但成本非常的高且制作难度较大不利于生长超长晶体。2就是下降法，但下降法受制于超长晶体的密度较大，当原料变成液体后底部所受压强较大，所以生长的风险非常的大，且受制于晶体生长周期较长，不利于快速的生长出晶体。现有的技术是使用生长炉纵向生长，模拟环境达到结晶的目的，缺点是由于是纵向生长，在生长中由于原料变成液体后所有液体重量全部压在底部，导致底部压强过大，发生漏液风险及坩埚变形情况。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种晶体横向生长设备及晶体横向生长方法，解决了晶体生长中底部压力过大，坩埚难以承受从而导致坩埚变形漏液的情况。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是：提供一种晶体横向生长设备，包括：炉体、第一保温层、第二保温层、高温区、发热体、导车和坩埚，所述的炉体内从上往下依次设置有第一保温层和第二保温层，所述的导车置于第一保温层和第二保温层之间，所述的第一保温层底部的中间区域为高温区，高温本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶体横向生长设备，其特征在于，包括：炉体、第一保温层、第二保温层、高温区、发热体、导车和坩埚，所述的炉体内从上往下依次设置有第一保温层和第二保温层，所述的导车置于第一保温层和第二保温层之间，所述的第一保温层底部的中间区域为高温区，高温区的中心设置有发热体，所述的第二保温层顶部的中间区域为高温区，高温区的中心设置有发热体，所述的坩埚装于导车中。

【技术特征摘要】
1.一种晶体横向生长设备，其特征在于，包括：炉体、第一保温层、第二保温层、高温区、发热体、导车和坩埚，所述的炉体内从上往下依次设置有第一保温层和第二保温层，所述的导车置于第一保温层和第二保温层之间，所述的第一保温层底部的中间区域为高温区，高温区的中心设置有发热体，所述的第二保温层顶部的中间区域为高温区，高温区的中心设置有发热体，所述的坩埚装于导车中。2.根据权利要求1所述的晶体横向生长设备，其特征在于，所述的第一保温层为高温耐火砖。3.根据权利要求1所述的晶体横向生长设备，其特征在于，所述的第二保温层为高温耐火砖。4.根据权利要求1所述的晶体横向生长设备，其特征在于，所述的发热体为硅钼棒或中频加热棒。5.根据权利要求1所述的晶体横向生长设备，其特征在于，所述的发热体由温控装置控制。6....

【专利技术属性】
技术研发人员：杨建春，
申请(专利权)人：无锡翌波晶体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32