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本发明公开了一种拓扑半金属材料碲化铋的制备方法，使用5N纯度的Bi和Te为初始原料，按照摩尔比Bi：Te＝2:3进行称料，装入超纯水清洗过的石英坩埚，将坩埚抽真空至10...
该专利属于中国电子科技集团公司第十八研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十八研究所授权不得商用。

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