CMOS光学传感器的深槽隔离结构及形成方法技术

本发明专利技术公开了一种CMOS光学传感器的深槽隔离结构，包含：提供一半导体基底，所述基底中形成有光电二极管；所述的深槽隔离结构位于半导体基底中，形成一个个深槽构成阵列，所述光电二极管均位于深槽隔离的下方，每个深槽隔离形成一个像素子单元；深槽隔离的上方具有开口；所述的深槽隔离为空气隔离，深槽的侧壁为充满空气的一圈薄壁空间。本发明专利技术通过空气隔离(Air‑gap)的方式将原本需要介质填充的深沟槽结构提前封闭,而使空气保留其中，从而在像素单元周围形成一周气隙，使大角度入射光发生全反射，光线被局限在介质与气隙界面间，从而达到减少CIS器件中光串扰的目的。本发明专利技术形成方法直接将深槽结构通过快速横向填充夹断，简化了工艺难度。

Deep Groove Isolation Structure and Formation Method of CMOS Optical Sensor

【技术实现步骤摘要】
CMOS光学传感器的深槽隔离结构及形成方法
本专利技术涉及半导体器件制造领域，特别是指一种减少光串扰的CMOS光学传感器的深槽隔离结构。本专利技术还涉及所述CMOS光学传感器的深槽隔离结构的形成方法。
技术介绍
随着CMOS工艺水平的提高，CMOS光学图像传感器(CIS)凭借功耗低、成本低、体积小、可随机读取等一系列优点，实现了在平板电脑、智能手机等消费类电子领域的广泛应用。但是，CIS的占有因子(fillfactor,FF)较小，暗电流较大，串扰较大等缺点是其尚未成为主流光学图像传感器的主要原因，尤其在当前CIS的主流工艺已经降到0.35μm以下后，像素尺寸的不断减小使得像素间距越来越小，造成了串扰现象更容易发生。CMOS光学图像传感器中的串扰可分为两种：光串扰和电荷串扰。其中光串扰又包含两种形式：一是在像素单元上方以较大角度入射的光，在被完全吸收前到达相邻的像素位置，并在相邻像素位置被吸收；二是部分光(也是大角度入射的光)并没有入射到感光位置，而是入射到互联层，经互联层间反射进入相邻像素的感光部位。由串扰的发生机制可以看出，感光单元的间隔越小，串扰现象越严重，从而影响到图像的解析本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种CMOS光学传感器的深槽隔离结构，其特征在于：提供一半导体基底，所述基底中形成有光电二极管；所述的深槽隔离结构位于半导体基底中，形成一个个深槽构成阵列，所述光电二极管均位于深槽隔离的下方，每个深槽隔离形成一个像素子单元；深槽隔离的上方具有开口；所述的深槽隔离为空气隔离，深槽的侧壁为充满空气的一圈封闭的薄壁空间。

【技术特征摘要】
1.一种CMOS光学传感器的深槽隔离结构，其特征在于：提供一半导体基底，所述基底中形成有光电二极管；所述的深槽隔离结构位于半导体基底中，形成一个个深槽构成阵列，所述光电二极管均位于深槽隔离的下方，每个深槽隔离形成一个像素子单元；深槽隔离的上方具有开口；所述的深槽隔离为空气隔离，深槽的侧壁为充满空气的一圈封闭的薄壁空间。2.如权利要求1所述的CMOS光学传感器的深槽隔离结构，其特征在于：所述的深槽隔离结构上方为开口，以形成光学通道。3.如权利要求1所述的CMOS光学传感器的深槽隔离结构，其特征在于：所述的深槽隔离的开口上方，还具有滤色膜，对通过滤色膜的光线进行波长过滤。4.如权利要求3所述的CMOS光学传感器的深槽隔离结构，其特征在于：所述滤色膜的上方还具有透镜，以折射光线；通过透镜的光线在经过滤色膜后，进入到深槽隔离结构中。5.如权利要求1所述的CMOS光学传感器的深槽隔离结构，其特征在于：所述的有充满空气形成的薄壁空间形成的空气隔离，对大角度入射光线进行全反射，使其被位于深槽隔离底部的光电二极管接收。6.如权利要求1所述的CMOS光学传感器的深槽隔离结构，其特征在于：所述的半导体基底，还包括硅化物作为晶体管的金属电极。7.如权利要求6所述的CMOS光学传感器的深槽隔离结构，其特征在于：所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆神洲，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31