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本发明公开了一种CMOS光学传感器的深槽隔离结构，包含：提供一半导体基底，所述基底中形成有光电二极管；所述的深槽隔离结构位于半导体基底中，形成一个个深槽构成阵列，所述光电二极管均位于深槽隔离的下方，每个深槽隔离形成一个像素子单元；深槽隔离的...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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