组合传感器和电子装置制造方法及图纸

公开了组合传感器和电子装置，组合传感器包括：第一红外光传感器，配置为感测红外波长区域内的第一波长的光；以及第二红外光传感器，配置为感测红外波长区域内的不同于第一波长的第二波长的光，其中第一红外光传感器和第二红外光传感器相对于彼此堆叠。

【技术实现步骤摘要】
组合传感器和电子装置
公开了组合传感器和电子装置。
技术介绍
拍摄图像并将其存储为电信号的传感器被包括在照相机、便携式摄像机等中。近来，已经研究了使用传感器作为生物特征识别装置的技术。生物特征识别装置主要用作个人认证，但近来作为用于诸如金融技术、医疗保健、基于位置的服务等的服务的安全技术已引起了关注，并且正广泛用于移动支付和计算机安全。
技术实现思路
实施方式提供了能够提高灵敏度而不增大其尺寸的组合传感器。另外的实施方式提供了包括该组合传感器的电子装置。根据一实施方式，一种组合传感器包括：第一红外光传感器，配置为感测红外波长区域内的第一波长的光；以及第二红外光传感器，配置为感测红外波长区域内的不同于第一波长的第二波长的光，其中第一红外光传感器和第二红外光传感器相对于彼此堆叠。第一波长和第二波长可以属于约750nm至约3000nm的每个波长区域，第一波长与第二波长之间的差值可以大于或等于约30nm。第一波长可以是比第二波长短的波长，第一波长可以属于约780nm至约900nm的波长区域，第二波长可以属于约830nm至约1000nm的波长区域。第一波长可以属于约780nm至约840nm，第二波本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种组合传感器，包括：第一红外光传感器，配置为感测红外波长区域内的第一波长的光，以及第二红外光传感器，配置为感测所述红外波长区域内的第二波长的光，其中所述第一红外光传感器和所述第二红外光传感器相对于彼此堆叠。

【技术特征摘要】
2017.10.20 KR 10-2017-0136255;2018.10.15 KR 10-2011.一种组合传感器，包括：第一红外光传感器，配置为感测红外波长区域内的第一波长的光，以及第二红外光传感器，配置为感测所述红外波长区域内的第二波长的光，其中所述第一红外光传感器和所述第二红外光传感器相对于彼此堆叠。2.根据权利要求1所述的组合传感器，其中所述第一波长和所述第二波长属于约750nm至约3000nm的每个波长区域，以及所述第一波长与所述第二波长之间的差值大于或等于约30nm。3.根据权利要求1所述的组合传感器，其中所述第一波长是比所述第二波长短的波长，所述第一波长属于约780nm至约900nm的波长区域，以及所述第二波长属于约830nm至约1000nm的波长区域。4.根据权利要求3所述的组合传感器，其中所述第一波长属于约780nm至约840nm，以及所述第二波长属于约910nm至约970nm。5.根据权利要求3所述的组合传感器，其中所述第一红外光传感器包括：彼此面对的第一电极和第二电极，以及第一光电转换层，在所述第一电极与所述第二电极之间并且包含光吸收材料，该光吸收材料被配置为选择性地吸收包括所述第一波长的红外光。6.根据权利要求5所述的组合传感器，其中所述第一光电转换层中包含的光吸收材料包含选择性地吸收包括所述第一波长的红外光的有机材料、选择性地吸收包括所述第一波长的红外光的半导体纳米晶体、或其组合。7.根据权利要求5所述的组合传感器，其中所述第一光电转换层在所述第一波长处的吸收率大于或等于约50％，以及所述第一光电转换层在所述第二波长处的透过率大于或等于约50％。8.根据权利要求5所述的组合传感器，其中所述第二红外光传感器是集成在半导体基板中的光敏器件。9.根据权利要求5所述的组合传感器，其中所述第二红外光传感器包括：彼此面对的第三电极和第四电极，以及第二光电转换层，在所述第三电极与所述第四电极之间并且包含光吸收材料，该光吸收材料被配置为选择性地吸收包括所述第二波长的红外光。10.根据权利要求9所述的组合传感器，其中所述第二光电转换层中包含的光吸收材料包含选择性地吸收包括所述第二波长的红外光的有机材料、选择性地吸收包括所述第二波长的红外光的半导体纳米晶体、或其组合。11.根据权利要求3所述的组合传感器，其中所述第二红外光传感器包括：彼此面对的第一电极和第二电极，以及第一光电转换层，在所述第一电极与所述第二电极之间并且包含光吸收材料，该光吸收材料被配置为选择性地吸收包括所述第二波长的红外光。12.根据权利要求11所述的组合传感器，其中所述第一光电转换层中包含的光吸收材料包含选择性地吸收包括所述第二波长的红外光的有机材料、选择性地吸收包括所述第二波长的红外光的半导体纳米晶体、或其组合。13.根据权利要求11所述的组合传感器，其中所述第一光电转换层在所述第二波长处的吸收率大于或等于约50％，以及所述第一光电转换层在所述第一波长处的透过率大于或等于约50％。14.根据权利要求11所述的组合传感器，其中所述第一红外光传感器是集成在半导体基板中的光敏器件。15.根据权利要求11所述的组合传感器，其中所述第一红外光传感器包括：彼此面对的第三电极和第四电极，以及第二光电转换层，在所述第三...

【专利技术属性】
技术研发人员：林东皙，李启滉，陈勇完，李泰渊，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR