一种白光Micro LED结构的工艺实现方式制造技术

本发明专利技术公开了一种白光Micro LED结构的工艺实现方式，包括：步骤100、在电路基板上等间距地均匀固晶若干蓝光芯片；步骤200、将掩膜板覆盖于已固晶的电路基板上；步骤300、利用喷涂法将一种量子点材料覆盖于蓝光芯片的表面；步骤400、用胶带去除溢出所述掩膜板表面的量子点；步骤500、移除该掩膜板；步骤600、并更换一块全新的掩膜板，重复步骤200至步骤500，在其他未覆盖量子点材料的蓝光芯片上通过喷涂法覆盖另一种量子点材料，通过该方法实现白光Micro LED，其工艺更为简单，可以有效节约生产成本，提高生产效率、减少不良。

A Process Realization Method of White Micro LED Structure

【技术实现步骤摘要】
一种白光MicroLED结构的工艺实现方式
本专利技术涉及半导体显示
，具体为一种白光MicroLED结构的工艺实现方式。
技术介绍
MicroLED技术，即LED微缩化和矩阵化技术。指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED尺寸，如LED显示屏每一个像素可定址、单独驱动点亮，将像素等级由毫米级降低至微米级。MicroLED不仅继承了传统LED高效率、高亮度、高可靠性和反应时间快的优点，还具有节能、机构简单、体积小、薄型以及发光无需背光源的特点。量子点，又称纳米晶，是一种由Ⅱ～Ⅳ族或Ⅲ～Ⅴ族元素组成的纳米颗粒。量子点粒径一般介于1～100nm之间，可适用于小尺寸的micro-display。量子点具有电致发光与光致发光的效果，受激后可以发射荧光，颜色由材料和尺寸决定，因此，可以通过调控量子点粒径大小来改变其不同发光的波长。当量子点粒径越小，发光颜色越偏蓝色，反之越偏红色。量子点的化学成分多样，发光颜色可以覆盖整个可见区和红外光谱，且具有高能力的吸光-发光效率、很窄的半高宽、宽吸收频谱等特性，因此具有很高的色纯度和色饱和度。量子点尺寸小在纳米级别，非常适用于microLED的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种白光Micro LED结构的工艺实现方式，其特征在于，包括：步骤100、在电路基板上等间距地均匀固晶若干蓝光芯片；步骤200、将掩膜板覆盖于已固晶的电路基板上；步骤300、利用喷涂法将一种量子点材料覆盖于蓝光芯片的表面；步骤400、用胶带去除溢出所述掩膜板表面的量子点；步骤500、移除该掩膜板；步骤600、并更换一块全新的掩膜板，重复步骤200至步骤500，在其他未覆盖量子点材料的蓝光芯片上通过喷涂法覆盖另一种量子点材料。

【技术特征摘要】
1.一种白光MicroLED结构的工艺实现方式，其特征在于，包括：步骤100、在电路基板上等间距地均匀固晶若干蓝光芯片；步骤200、将掩膜板覆盖于已固晶的电路基板上；步骤300、利用喷涂法将一种量子点材料覆盖于蓝光芯片的表面；步骤400、用胶带去除溢出所述掩膜板表面的量子点；步骤500、移除该掩膜板；步骤600、并更换一块全新的掩膜板，重复步骤200至步骤500，在其他未覆盖量子点材料的蓝光芯片上通过喷涂法覆盖另一种量子点材料。2.根据权利要求1所述的一种白光MicroLED结构的工艺实现方式，其特征在于，所述电路基板上的蓝光芯片每相邻的三颗视为一个芯片组，各个芯片组的蓝光芯片不重复，整个所述电路基板上的蓝光芯片可视为单个芯片组的阵列。3.根据权利要求1所述的一种白光MicroLED结构的工艺实现方式，其特征在于，所述步骤200中掩膜板上的开窗位置对应每个芯片组的第一颗蓝光芯片。4.根据权利要求1所述的一种白光MicroLED结构的工艺实现方式，其特征在于，所述步骤600中掩膜板上的开窗位置对应每个芯片组的第二颗蓝光芯片。5.根据权利要求3或4所述的一种白光MicroLED结构的工艺实现方式，其特征在于，所述掩膜板上的...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘国旭，黄志勇，申崇渝，
申请(专利权)人：易美芯光北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11