集成电路器件及制造其的方法技术

一种集成电路器件包括：导电线结构，其包括导电线和绝缘盖图案；以及包括内间隔物和第一绝缘间隔物的绝缘间隔物，内间隔物和第一绝缘间隔物在导电线结构的侧壁上。第一绝缘间隔物包括：狭缝部分；下绝缘部分，其与内间隔物间隔开，使得下绝缘部分的一部分与内间隔物之间的分隔距离随着离衬底的垂直距离增加而减小；以及接触内间隔物的上绝缘部分。一种形成绝缘间隔物的方法包括：在内间隔物上形成聚合物层；形成接触内间隔物和聚合物层中的每个的第一绝缘间隔物层；以及通过部分地去除第一绝缘间隔物层形成第一绝缘间隔物。

【技术实现步骤摘要】
集成电路器件及制造其的方法
本专利技术构思涉及集成电路器件及制造其的方法，并且更具体地，涉及包括彼此相邻的多个导电图案的集成电路器件及制造其的方法。
技术介绍
由于电子技术的发展，近年来半导体器件已经迅速按比例缩小，并且在高度地按比例缩小的半导体器件中多个布线与布置在其间的多个接触插塞之间的分隔距离已经逐渐减小。因此，彼此相邻的导电图案之间的负载电容已经增加，从而不利地影响半导体器件的操作速度和/或刷新特性。
技术实现思路
本专利技术构思提供具有能够最小化由于高度集成导致的单位单元中多个导电图案之间的负载电容的结构的集成电路器件以及制造该集成电路器件的方法。根据本专利技术构思的一方面，提供了一种集成电路器件，包括：导电线结构，其包括导电线和在导电线上的绝缘盖图案，导电线在衬底之上在第一水平方向上延伸；以及绝缘间隔物，其包括内间隔物和在内间隔物上的第一绝缘间隔物，内间隔物接触导电线结构的侧壁，并且第一绝缘间隔物在导电线结构的侧壁上，其中第一绝缘间隔物包括：在衬底上在第一水平方向上延伸的狭缝部分；下绝缘部分，其在衬底与狭缝部分之间在第一水平方向上延伸并且与内间隔物间隔开，使得下绝缘部分的一部本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成电路器件，包括：导电线结构，其包括导电线和在所述导电线上的绝缘盖图案，所述导电线在衬底之上在第一水平方向上延伸；以及绝缘间隔物，其包括内间隔物和在所述内间隔物上的第一绝缘间隔物，所述内间隔物接触所述导电线结构的侧壁，并且所述第一绝缘间隔物在所述导电线结构的所述侧壁上，其中所述第一绝缘间隔物包括：在所述衬底上在所述第一水平方向上延伸的狭缝部分；下绝缘部分，其在所述衬底与所述狭缝部分之间在所述第一水平方向上延伸并且与所述内间隔物间隔开，使得所述下绝缘部分的一部分与所述内间隔物之间的分隔距离随着离所述衬底的垂直距离增加而减小；以及上绝缘部分，其接触所述内间隔物并且与所述下绝缘部分间隔开，...

【技术特征摘要】
2017.10.20 KR 10-2017-01366011.一种集成电路器件，包括：导电线结构，其包括导电线和在所述导电线上的绝缘盖图案，所述导电线在衬底之上在第一水平方向上延伸；以及绝缘间隔物，其包括内间隔物和在所述内间隔物上的第一绝缘间隔物，所述内间隔物接触所述导电线结构的侧壁，并且所述第一绝缘间隔物在所述导电线结构的所述侧壁上，其中所述第一绝缘间隔物包括：在所述衬底上在所述第一水平方向上延伸的狭缝部分；下绝缘部分，其在所述衬底与所述狭缝部分之间在所述第一水平方向上延伸并且与所述内间隔物间隔开，使得所述下绝缘部分的一部分与所述内间隔物之间的分隔距离随着离所述衬底的垂直距离增加而减小；以及上绝缘部分，其接触所述内间隔物并且与所述下绝缘部分间隔开，并且所述狭缝部分在其间。2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述下绝缘部分邻近所述导电线延伸，以及其中所述上绝缘部分邻近所述绝缘盖图案延伸。3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述下绝缘部分在邻近所述导电线的第一水平处在所述下绝缘部分与所述内间隔物之间限定第一绝缘区域，并且在邻近所述绝缘盖图案的第二水平处在所述下绝缘部分与所述内间隔物之间限定第二绝缘区域，所述第一绝缘区域具有第一宽度，并且所述第二绝缘区域具有小于所述第一宽度的第二宽度，以及其中所述第一绝缘区域与所述第二绝缘区域物理地连接。4.根据权利要求3所述的集成电路器件，其中所述绝缘间隔物还包括在所述第一绝缘区域和所述第二绝缘区域内的空气间隔物。5.根据权利要求3所述的集成电路器件，其中所述绝缘间隔物还包括在所述第一绝缘区域和所述第二绝缘区域内的聚合物间隔物。6.根据权利要求5所述的集成电路器件，其中所述聚合物间隔物包括：在所述第一绝缘区域和所述第二绝缘区域内的接枝聚合物层，所述接枝聚合物层化学结合到所述内间隔物；以及在所述第二绝缘区域内的垂直畴层，所述垂直畴层包括自组装到所述接枝聚合物层上的聚合物嵌段。7.根据权利要求3所述的集成电路器件，其中所述下绝缘部分的最上部分与所述内间隔物间隔开，所述最上部分和所述上绝缘部分限定所述狭缝部分。8.根据权利要求3所述的集成电路器件，其中所述下绝缘部分的最上部分接触所述内间隔物，所述最上部分和所述上绝缘部分限定所述狭缝部分。9.根据权利要求3所述的集成电路器件，其中所述下绝缘部分和所述第一绝缘区域延伸到比所述衬底的顶表面低的水平。10.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述绝缘间隔物还包括在所述导电线结构的所述侧壁上的第二绝缘间隔物，其中所述第一绝缘间隔物的部分在所述第二绝缘间隔物与所述导电线结构之间，并且其中所述第二绝缘间隔物穿透所述狭缝部分。11.根据权利要求10所述的集成电路器件，其中所述第二绝缘间隔物包括插入部分，所述插入部分穿透所述狭缝部分并且延伸到所述内间隔物与所述下绝缘部分之间的空间。12.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：邻近所述导电线结构的接触结构，其间具有所述绝缘间隔物，其中，在垂直于所述第一水平方向的第二水平方向上，所述接触结构的第一部分具有第三宽度，并且所述接触结构的第二部分具有大于所述第三宽度的第四宽度，所述第一部分邻近所述下绝缘部分，并且所述第二部分邻近所述上绝缘部分。13.一种集成电路器件，包括：一对导电线结构，其包括一对导电线和在所述一对导电线上的一对绝缘盖图案，所述一对导电线在衬底之上在第一水平方向上延伸；多个接触结构，其在所述一对导电线结构之间布置成一条线；以及布置在所述一对导电线结构与所述多个接触结构之间的多个绝缘间隔物，其中所述多个绝缘间隔物中的每个包括：接触所述一对导电线结构中的每个导电线结构的侧壁的内间隔物；以及第一绝缘间隔物，...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴硕汉，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR