形成用于封装互连应用的混合插口结构的方法及由此形成的结构技术

描述了形成封装结构的方法/结构。那些方法/结构可以包括导电插针，包括：悬臂梁部分，与封装基板的第一侧物理耦合；触针部分，其中，所述触针部分的端子末端物理地和电气地耦合到板；壳体结构，包括壳体腔，其中，所述触针部分至少部分地设置在壳体腔内；及导电材料，设置在壳体侧面上和/或壳体腔的表面附近。优化导电材料的放置以满足双倍数据速率(DDR)和/或快速外围部件接口(PCIe)接口的要求。

A method for forming a hybrid socket structure for packaging interconnection applications and the resulting structure

The method/structure of forming packaging structure is described. Those methods/structures may include conductive pins, including: a cantilever beam portion physically coupled to the first side of the package substrate; a stylus portion, in which the terminal ends of the stylus portion are physically and electrically coupled to the plate; a housing structure, including a housing cavity, in which the stylus portion is at least partially located within the housing cavity; and conductive materials, arranged on the side of the housing. And/or near the surface of the housing cavity. Optimize the placement of conductive materials to meet the requirements of double data rate (DDR) and/or fast peripheral component interface (PCIe) interfaces.

【技术实现步骤摘要】
形成用于封装互连应用的混合插口结构的方法及由此形成的结构
技术介绍
随着对未来几代动态数据速率(DDR)存储器和快速外围部件互连(PCIe)技术的带宽需求的增加，需要改进输入/输出(I/O)通道的各个部件的设计以满足期望的电性能规格。例如，将微电子封装互连到母板的插口(socket)可能是通道损耗和串扰的重要原因，从而限制较高速度下的通道裕度。因此，改进插口设计可实现未来高速DDR和PCIe链路的互连技术。附图说明尽管本说明书以特别指出并明确要求保护某些实施例的权利要求书作出结论，但当结合附图阅读时，从以下说明中可以更容易地确定这些实施例的优点，其中：图1a表示根据实施例的插口结构的横截面图。图1b表示根据实施例的插口结构的顶视图。图2表示根据实施例的封装结构的横截面图。图3a-3c表示根据实施例的电性能图。图4表示根据实施例的形成封装结构的方法的流程图。图5表示根据实施例的计算设备的示意图。具体实施方式在以下具体实施方式中，参考了附图，附图通过图示的方式示出了可以实践方法和结构的特定实施例。足够详细地描述了这些实施例，以使本领域技术人员能够实践这些实施例。应该理解的是，各种实施例虽然不同本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微电子封装插口结构，包括：导电插针，包括：悬臂梁部分，其与封装基板的第一侧物理耦合；触针部分，其中，所述触针部分的端子末端物理地和电气地耦合到板；包括壳体腔的壳体结构，其中，所述触针部分至少部分地设置在所述壳体腔内；以及导电材料，其设置在所述壳体腔的表面附近。

【技术特征摘要】
2017.09.29 US 15/720,4841.一种微电子封装插口结构，包括：导电插针，包括：悬臂梁部分，其与封装基板的第一侧物理耦合；触针部分，其中，所述触针部分的端子末端物理地和电气地耦合到板；包括壳体腔的壳体结构，其中，所述触针部分至少部分地设置在所述壳体腔内；以及导电材料，其设置在所述壳体腔的表面附近。2.根据权利要求1所述的微电子封装结构，其中，所述导电材料包括邻近所述壳体腔设置的导电过孔。3.根据前述权利要求中任一项所述的微电子封装结构，其中，所述壳体结构包括设置在所述壳体结构的侧壁的至少一部分上的导电材料。4.根据前述权利要求中任一项所述的微电子封装结构，还包括设置在所述壳体结构的第一侧上的导电材料。5.根据前述权利要求中任一项所述的微电子封装结构，还包括设置在所述壳体结构的第二侧上的导电材料。6.根据前述权利要求中任一项所述的微电子封装结构，其中，所述壳体结构包括电介质材料，所述电介质材料包括高介电常数、低电介质损耗材料。7.根据权利要求6所述的微电子封装结构，其中，所述电介质材料选自液晶聚合物材料组成的组。8.根据前述权利要求中任一项所述的微电子封装结构，其中，所述插口包括快速外围部件互连(PCIe)插口，并且所述基板包括动态数据速率(DDR)存储器管芯。9.一种形成微电子封装结构的方法，包括：提供用于导电插针的壳体结构，其中，所述壳体结构包括与第二侧相对的第一侧；将所述导电插针的一部分放置在设置在所述壳体结构内的壳体腔内；在与所述导电插针相邻的壳体腔内形成高介电常数、低损耗的电介质材料；以及在所述壳体结构的表面中的至少一个上或邻近所述壳体腔形成导电材料。10.根据权利要求9所述的形成微电子封装结构的方法，还包括将所述导电插针的悬臂梁部分物理地耦合到封装基板的第一侧，并且将所述导电插针的端子末端物理地耦合到板。11.根据前述权利要求中任一项所述的形成微电子封装结构的方法，还包括在所述壳体结构的第一侧上形...

【专利技术属性】
技术研发人员：K·艾京，张志超，C·盖伊克，G·考尔，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国,US