The embodiment of the present invention relates to a semiconductor device and its forming method, in particular to an interlayer dielectric layer in a semiconductor device. In one example, the interlayer dielectric layer is located on the substrate and contains dielectrics. The dielectric constant of the dielectrics is less than 3.3 and the hardness of the dielectrics is at least about 3GPa. Semiconductor devices also include inner wires formed in interlayer dielectric layers.
【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本公开实施例关于半导体装置与其形成方法，更特别关于半导体装置中的层间介电层。
技术介绍
半导体制程技术可采用介电材料作为电路(如集成电路)与电路构件之间的绝缘层。举例来说，介电材料可用于半导体装置的多层内连线结构其内连线层之间。这些介电材料可称作“层间介电层”，亦可称作“金属间介电层”。随着半导体装置构件的尺寸缩小，使相邻的结构之间彼此隔离变得更关键也更困难。因此层间介电层的设计为克服挑战的关键。
技术实现思路
本公开一实施例提供的半导体装置，包括基板；第一层间介电层，位于基板上，其中第一层间介电层包括第一介电物，第一介电物的介电常数小于约3.3，且第一介电物的硬度为至少约3GPa；以及内连线，形成于第一层间介电层中。附图说明图1是一些实施例中，例示性半导体装置的剖视图。图2A至图2F是一些实施例中，制作部分的例示性半导体装置的剖视图。图3是一些实施例中，与腔室中射频放电功率与流速之间的比例以及压力相关的电弧。图4是一些实施例中，用于形成层间介电层的例示性设备。图5是一些实施例中，用于形成半导体装置的例示性方法的流程图。其中，附图标记说明如下：100、20...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：一基板；一第一层间介电层，位于该基板上，其中，该第一层间介电层包括一第一介电物，该第一介电物的介电常数小于约3.3，且该第一介电物的硬度为至少约3GPa；以及一内连线，形成于该第一层间介电层中。
【技术特征摘要】
2017.09.28 US 62/564,460;2018.03.29 US 15/940,1451.一种半导...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘中伟，黄冠达，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
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