【技术实现步骤摘要】
半导体失效定位测试单元及其失效定位方法
本专利技术涉及半导体领域，特别是涉及一种在wafer加工中为了监测工艺而加入在wafer固定位置的半导体失效定位测试单元。本专利技术还涉及一种利用所述半导体失效定位测试单元进行半导体失效定位的方法。
技术介绍
随着半导体制程的减小和低功耗产品工作电压的降低，snake-combtestkey结构金属层短路漏电流也变得很小，28nm制程在微安甚至纳安级别，并不容易被常规的EMMI/OBIRCH/THERMAL等测试仪器抓取到hotspot；尤其当这种结构放在metal1层时，由于metal1下面仍然有各种测试结构，比如SiGe和Poly局部突起导致metal1short，这种漏电流并不容易抓取到hotsopt。经过大量的FA测试经验发现，同型材质short导致的testkey短路，在测试原理上也不容易被EMMI/OBIRCH/Thermal定位到失效位置。这样对找到短路失效位置和原因有了更大的挑战。常规的snake-combtestkey结构把所有金属都放在同一层，互相交错的结构不利于用FIB截取相隔区域。发生短路后，整个区域...
【技术保护点】
1.一种半导体失效定位测试单元，所述测试单元是位于金属层中的梳折状结构，所述测试单元的键合线划分为第一类键合线和第二类键合线，相邻的第一类键合线之间通过第二类键合线连接，所述第一类键合线的长度大于第二类键合线，其特征在于：所述第一类键合线设置在金属层一中，所述第二类键合线设置在金属层二中，所述金属层一和金属层二是不同的金属层。
【技术特征摘要】
1.一种半导体失效定位测试单元，所述测试单元是位于金属层中的梳折状结构，所述测试单元的键合线划分为第一类键合线和第二类键合线，相邻的第一类键合线之间通过第二类键合线连接，所述第一类键合线的长度大于第二类键合线，其特征在于：所述第一类键合线设置在金属层一中，所述第二类键合线设置在金属层二中，所述金属层一和金属层二是不同的金属层。2.如权利要求1所述的半导体失效定位测试单元，其特征在于：所述金属层一和金属层二是相邻的金属层。3.如权利要求1所述的半导体失效定位测试单元，其特征在于：所述金属层一和金属层二是不相邻的金属层。4.如权利要求1所述的半导体失效定位测试单元，其特征在于：所述金属层二在金属层一上方。5.如权利要求1所述的半导体失效定位测试单元，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：李金，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。