The present invention provides an evaluation method for silicon wafers, which includes: first, a light scattering surface inspection device is used to inspect the surface of the silicon wafer as the evaluation object to determine whether there is an abnormal object; and second, an atomic force microscope is used to observe the area where the abnormal object exists on the surface of the silicon wafer as the evaluation object in the first determination. Determine whether there is an exception object.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】硅晶片的评价方法、硅晶片制造工序的评价方法、硅晶片的制造方法以及硅晶片相关申请的交叉引用本申请主张2016年9月29日提交申请的日本特愿2016-191212号的优先权，特在此将其全部记载内容作为公开内容进行引用。
本专利技术涉及硅晶片的评价方法、硅晶片制造工序的评价方法、硅晶片的制造方法以及硅晶片。
技术介绍
作为存在于硅晶片表面上的各种异常对象的评价方法，公知一种使用光散射式表面检查装置的方法(例如参见日本特开2002-340811号公报(特在此将其全部记载内容作为公开内容进行引用))。
技术实现思路
光散射式表面检查装置是如下装置：向作为评价对象的试样表面照射光，基于来自该表面的散射光，检测存在于作为评价对象的试样表面的异常对象，该光散射式表面检查装置亦被称为激光表面检查装置、表面检查装置、面检查机等。光散射式表面检查装置通过扫描照射光，能够容易地评价作为评价对象的表面整体，因此广泛用于评价存在于硅晶片表面上的异常对象。作为存在于硅晶片表面上的异常对象，可以举出凹状或凸状的表面的局部形状异常(缺陷)和被称为颗粒(Particle)的表面附着异物。在用作半导体基板...
【技术保护点】
1.一种硅晶片的评价方法，其特征在于，包括：第一判定，利用光散射式表面检查装置检查作为评价对象的硅晶片的表面，判定是否存在异常对象；以及第二判定，利用原子力显微镜观察在作为评价对象的硅晶片的表面中在第一判定中未确认到异常对象存在的区域，判定是否存在异常对象。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.09.29 JP 2016-1912121.一种硅晶片的评价方法，其特征在于，包括：第一判定，利用光散射式表面检查装置检查作为评价对象的硅晶片的表面，判定是否存在异常对象；以及第二判定，利用原子力显微镜观察在作为评价对象的硅晶片的表面中在第一判定中未确认到异常对象存在的区域，判定是否存在异常对象。2.根据权利要求1所述的硅晶片的评价方法，其特征在于，所述异常对象是起因于加工的缺陷。3.根据权利要求1或2所述的硅晶片的评价方法，其特征在于，所述异常对象是从由凹状缺陷和凸状缺陷构成的组中选出的一种以上的异常对象。4.根据权利要求1至3中任一项所述的硅晶片的评价方法，其特征在于，作为评价对象的硅晶片是具有研磨面的抛光晶片，并且判定是否存在所述异常对象的表面是所述研磨面。5.根据权利要求1至4中任一项所述的硅晶片的评价方法，其特征在于，所述异常对象是线状缺陷。6.根据权利要求5所述的硅晶片的评价方法，其特征在于，所述线状缺陷包括宽度在200nm以下的线状缺陷。7.根据权利要求6所述的硅晶片的评价方法，其特征在于，第一判定包括判定是否存在所述宽度在200nm以下的线状缺陷。8.一种硅晶片制造工序的评价方法，其特征在于，包括：利用权利要求1至7中任一项所述的评价方法评价在作为评价对象的硅晶片的制造工序中制造的硅晶片；以及基于所述评价的结果判定是否需要进行作为评价对象的硅晶片的制造工序的工序维护作业。9.根据权利要求8所述的硅晶片制造工序的评价方法，其特征在于，作为评...
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