一种半导体料片的整平装置及其方法制造方法及图纸

技术编号:21002675 阅读:43 留言:0更新日期:2019-04-30 21:11
一种半导体料片的整平装置,其用于光学检测设备上,以整平半导体料片。其中该整平装置包含有一真空吸附载台以及一或多个气体正压提供器。所述真空吸附载台用以设置该半导体料片,并具有多个可分别独立启闭的真空吸附区域。所述气体正压提供器设置在所述真空吸附载台的一侧,用以对所述真空吸附载台上的半导体料片提供正压。其中所述气体正压提供器可在多个真空吸附区域之间移动,且所述真空吸附载台依据该气体正压提供器的位置,而对应的启动相应位置上的真空吸附区域从而吸平半导体料片。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体料片的整平装置及其方法
本专利技术提供了一种半导体料片的整平装置及其方法,尤指一种用于光学检测设备上并于进行检测时同时进行除尘的半导体料片整平装置及其方法。
技术介绍
自动光学检查(AutomatedOpticalInspection,AOI)泛指运用机器视觉作为检测标准的技术,该技术相比于人眼检测技术具有高速、高精密度的优点。应用层面可涵盖至高科技产业的研发、制造品管,以及国防、民生、医疗、环保、电力或其他的相关领域。在自动光学检测的领域中,欲对晶圆进行检测,常见的方式是先将晶圆装设于载台上,然后用抽真空的手段对该载台提供负压,藉由载台上的气孔将晶圆吸附在载台上。然而,晶圆经由气孔吸持后,在料片的边缘常会产生翘曲的问题,导致影像侦测时所拍摄的料片影像常有失真的情形;此外,当晶圆在皱褶的状态时,利用真空吸附载台提供背压吸平晶圆有可能会造成晶圆的破损,反而降低了晶圆的良率。此外,在进行光学检测时,真空吸平装置表面上的异尘也容易与半导体料片的瑕疵产生混淆,因此,有必要对上述的问题进行改善,以增加检测的精确度。
技术实现思路
本专利技术的目的,在于解决现有技术中利用真空吸平装置吸附半导体料片时,半导体料片表面仍有可能会有皱褶及翘曲的状况。本专利技术提供了一种半导体料片的整平装置,包含有一真空吸附载台以及一或多个气体正压提供器。该真空吸附载台用以设置一半导体料片,并具有多个可分别独立启闭的真空吸附区域。所述气体正压提供器系设置在所述真空吸附载台的一侧,以对该真空吸附载台上的该半导体料片提供正压。其中所述气体正压提供器经设置而可在多个真空吸附区域之间移动,且所述真空吸附载台依据所述气体正压提供器的位置,而对应启动该位置上的真空吸附区域以吸平该半导体料片。本专利技术的另一目的,在于提供一种半导体料片的整平方法,包含:提供一或多个气体正压提供器,由该气体正压提供器产生正压至半导体料片表面,以下压该半导体料片;提供一真空吸附载台,具有多个真空吸附区域用以吸附该半导体料片;该气体正压提供器相对该真空吸附载台在所述多个真空吸附区域之间移动,并依序提供正压至该真空吸附区域上利用气体压力整平该半导体料片;以及当气体压力提供至该半导体料片的同时启动对应位置的该真空吸附区域,以经由该半导体料片的背侧吸附该半导体料片,并随着该气体正压提供器移动依序开启对应位置上的该真空吸附区域以由该半导体料片一侧至另一侧分区域个别吸附并整平该半导体料片。综上所述,本专利技术透过非接触式的方式整平半导体料片,可避免直接接触伤害半导体料片,此外,通过设置多个真空吸附区域依序单独的吸附半导体料片,在气体正压提供器向半导体料片施加正压时,可保留适当的伸展空间得以整平半导体料片翘曲的部分,避免半导体料片整面被吸附时可能造成的料片皱折、破损等问题。此外,本专利技术于对半导体料片施加正压时,不仅可以达到整平半导体料片表面的效果,同时可通过所提供的风刀吹走半导体料片表面上的异尘。再者,本专利技术利用风刀吹走的异尘,可以经由设置在一侧的吸尘罩吸附并收集,避免被吹起的异尘又重新落至半导体料片的表面。附图说明图1为本专利技术第一实施例的结构示意图。图2为本专利技术第一实施例的动作示意图(一)。图3为本专利技术第一实施例的动作示意图(二)。图4为本专利技术第一实施例的动作示意图(三)。图5为本专利技术第二实施例的外观示意图。图6为本专利技术半导体料片整平方法的流程示意图。附图标记说明:100-半导体料片整平装置,10-真空吸附载台,A1-A5-真空吸附区域,20-气体正压提供器,30-吸尘罩,40-活动载具,50-取像装置,60-控制器,70-吸尘罩,P-半导体料片,步骤S01-步骤S06。具体实施方式有关本专利技术之详细说明及
技术实现思路
,现就配合图式说明如下。请参阅图1,为本专利技术第一实施例的结构示意图,如图所示:以下是针对本专利技术的一较佳实施方式进行说明,本实施例提供了一种半导体料片整平装置100,其用于光学检测设备上,用以整平半导体料片的表面以针对半导体料片的表面进行检测。所述的光学检测设备具体系可以用于针对例如电路板(PrintedCircuitBoard,PCB)、软性电路板(FlexiblePrintedCircuit,FPC)、晶圆(Wafer)、面板(Panel)、偏光片等材料或工件进行检测,但本专利技术中不限制于上述实施例。所述的半导体料片整平装置100包含有一真空吸附载台10、一或多个气体正压提供器20、一吸尘罩30、一活动载具40、一取像装置50和一控制器60。所述的真空吸附载台10用于设置半导体料片P,在该真空吸附载台10上系具有多个可分别独立启闭的真空吸附区域A1-A5。具体而言,请一并参阅图1及图2所示,所述的真空吸附载台10上的多个真空吸附区域A1-A5依序排列在所述气体正压提供器20的移动方向上(即气体正压提供器20移动的同时将依序经过真空吸附区域A1-A5),并随着该气体正压提供器20的移动真空吸附载台10分别启动对应位置上的真空吸附区域A1-A5。在一较佳实施例中,所述的真空吸附载台10可以为顶针式真空吸附载台,通过多个设置在气孔底侧的顶针单独的控制所述真空吸附载台10上气孔的启闭,藉以透过数组方式选择性地启动对应的真空吸附区域A1-A5;在另一较佳实施例中,所述的顶针可以多个构成一个群组(或一体成型)共同升降,借此避免电子控制个别控制气孔时可能造成的延迟。在另一较佳实施例中,可利用驱动式的遮板在载台的底侧位移,借此变更真空吸附区域A1-A5的位置;在另一较佳实施例中,则可将该真空吸附载台10上的气孔依据气室分为多个群组,透过设置多个抽真空装置分别对应于个别的气室,透过控制对应气室中抽真空装置的启闭达到偏移或变更真空吸附区域A1-A5的效果。针对变更真空吸附载台10的真空吸附区域A1-A5的方式繁多,于本专利技术中并不欲限制于上述的实施例。在一较佳实施例中,在整平半导体料片P时,真空吸附区域A1-A5系可依序开启吸附的区域。在另一较佳实施例中,所述的多个真空吸附区域A1-A5可以依据计算机或控制器60的指示随意选择开启及关闭的区域。所述的气体正压提供器20设置在所述真空吸附载台10的一侧,以对所述真空吸附载台10上的该半导体料片P提供正压。具体而言,该气体正压提供器20是以非接触方式提供高速、高压气体至半导体料片P表面,借此整平半导体料片P。其中,该气体正压提供器20可以为标准型风刀、小风刀、通用型不锈钢风刀、精密型不锈钢风刀、强风型风刀、弯曲型风刀、吸屑风刀、弧形组合风刀、环形风刀、热风刀、小型热风刀、钻石型热风刀、循环型热风刀、耐腐蚀风刀、离子风刀等,于本专利技术中不予以限制。在本实施例中,该气体正压提供器20的气体出口与该真空吸附载台10的吸附面之间的夹角为90度,可以更加有效的整平半导体料片P并且在整平料片的同时亦可吹除异尘。当然,本专利技术不以此为限,该气体正压提供器20的气体出口与该真空吸附载台10的吸附面之间的夹角的范围亦落在60-120度之间。所述的吸尘罩30设置在该气体正压提供器20一侧或是与该气体正压提供器20共构为一体,在本专利技术中不予以限制。所述吸尘罩30用以吸附半导体料片P表面上的异尘,具体而言,该吸尘罩30提供大面积的气体负压至半导体料片P表面,增加气体流动的面积确本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种半导体料片的整平装置,用于光学检测设备上,以整平一半导体料片,其特征在于,所述整平装置包含有:一真空吸附载台,用以设置一半导体料片,所述真空吸附载台上设置有多个可分别独立启闭的真空吸附区域;以及一或多个气体正压提供器,所述气体正压提供器设置在所述真空吸附载台的一侧,以对所述真空吸附载台上的半导体料片提供正压;其中所述气体正压提供器可在所述的多个真空吸附区域之间移动,且所述真空吸附载台依据所述气体正压提供器的位置,而对应启动该位置上的真空吸附区域以吸平该半导体料片。

【技术特征摘要】
2017.10.23 TW 1061363621.一种半导体料片的整平装置,用于光学检测设备上,以整平一半导体料片,其特征在于,所述整平装置包含有:一真空吸附载台,用以设置一半导体料片,所述真空吸附载台上设置有多个可分别独立启闭的真空吸附区域;以及一或多个气体正压提供器,所述气体正压提供器设置在所述真空吸附载台的一侧,以对所述真空吸附载台上的半导体料片提供正压;其中所述气体正压提供器可在所述的多个真空吸附区域之间移动,且所述真空吸附载台依据所述气体正压提供器的位置,而对应启动该位置上的真空吸附区域以吸平该半导体料片。2.根据权利要求1所述的半导体料片的整平装置,其特征在于,所述半导体料片为晶圆、面板或基板。3.根据权利要求1所述的半导体料片的整平装置,其特征在于,所述气体正压提供器的一侧设置有一吸尘罩。4.根据权利要求3所述的半导体料片的整平装置,其特征在于,所述气体正压提供器的气体出口设置在所述吸尘罩内的两侧或周侧,所述吸尘罩的气体入口设置在所述气体正压提供器的二气体出口之间。5.根据权利要求1所述的半导体料片的整平装置,其特征在于,还包含有一设置在所述真空吸附载台一侧的取...

【专利技术属性】
技术研发人员:邹嘉骏赖宪平
申请(专利权)人:由田新技股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾,71

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