This application discloses a 3D memory device. The 3D memory device includes: a gate stacking structure comprising alternately stacked multiple gate conductors and multiple interlayer insulating layers; a plurality of channel pillars penetrating the gate stacking structure to form transistors; and a plurality of pseudo channel pillars penetrating at least part of the gate conductor in the gate stacking structure to provide support. At least one of the plurality of pseudo channel columns is connected with a heat dissipation structure. The utility model adopts a pseudo channel column connected to a heat dissipation structure to provide a heat dissipation way, which can improve the yield and reliability of 3D memory devices.
【技术实现步骤摘要】
3D存储器件
本技术涉及存储器
，更具体地，涉及3D存储器件。
技术介绍
存储器件的存储密度的提高与半导体制造工艺的进步密切相关。随着半导体制造工艺的特征尺寸越来越小，存储器件的存储密度越来越高。为了进一步提高存储密度，已经开发出三维结构的存储器件(即，3D存储器件)。3D存储器件包括沿着垂直方向堆叠的多个存储单元，在单位面积的晶片上可以成倍地提高集成度，并且可以降低成本。现有的3D存储器件主要用作非易失性的闪存。两种主要的非易失性闪存技术分别采用NAND和NOR结构。与NOR存储器件相比，NAND存储器件中的读取速度稍慢，但写入速度快，擦除操作简单，并且可以实现更小的存储单元，从而达到更高的存储密度。因此，采用NAND结构的3D存储器件获得了广泛的应用。在NAND结构的3D存储器件中，采用栅叠层结构形成存储单元阵列，在该3D存储器件中，采用大量金属布线提供存储单元阵列与外部电路之间的电连接，布线密度的增加将会影响3D存储器件的良率和可靠性。期望进一步改进3D存储器件的结构及其制造方法，以提高3D存储器件的良率和可靠性。
技术实现思路
鉴于上述问题，本技术的目的在于...
【技术保护点】
1.一种3D存储器件，其特征在于，包括：栅叠层结构，所述栅叠层结构包括交替堆叠的多个栅极导体和多个层间绝缘层；多个沟道柱，所述沟道柱贯穿所述栅叠层结构以形成晶体管；以及多个伪沟道柱，所述伪沟道柱贯穿所述栅叠层结构中的至少部分所述栅极导体以提供支撑，其中，所述多个伪沟道柱中的至少一个伪沟道柱连接有散热结构。
【技术特征摘要】
1.一种3D存储器件，其特征在于，包括：栅叠层结构，所述栅叠层结构包括交替堆叠的多个栅极导体和多个层间绝缘层；多个沟道柱，所述沟道柱贯穿所述栅叠层结构以形成晶体管；以及多个伪沟道柱，所述伪沟道柱贯穿所述栅叠层结构中的至少部分所述栅极导体以提供支撑，其中，所述多个伪沟道柱中的至少一个伪沟道柱连接有散热结构。2.根据权利要求1所述的3D存储器件，其特征在于，所述伪沟道柱内包括散热材料。3.根据权利要求1所述的3D存储器件，其特征在于，还包括：第一半导体衬底，所述第一半导体衬底的第一表面与所述栅叠层结构邻接；位于所述第一半导体衬底的第二表面上的第二绝缘层，所述第一半导体衬底的第二表面与第一表面彼此相对；以及覆盖所述栅叠层结构的第一绝缘层。4.根据权利要求3所述的3D存储器件，其特征在于，所述散热结构位于所述第一绝缘层。5.根据权利要求3所述的3D存储器件，其特征在于，所述散热结构位于所述第二绝缘层。6.根据权利要求3所述的3D存储器件，其特征在于，还包括：至少部分围绕所述伪沟道柱的绝缘衬里，用于将所述伪沟道柱与所述栅叠层结构和所述第一半导体衬底彼此隔开。7.根据权利要求5所述的3D存储器件，其特征在于，还包括：位于所述第一绝缘层中的多个布线层，所述伪沟道柱...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡斌，肖莉红，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：湖北,42
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