3D存储器件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种3D存储器件及其制造方法。所述3D存储器件包括：衬底；堆叠于所述衬底上方的第一叠层结构和堆叠与所述第一叠层结构上方的第二叠层结构，以及贯穿所述第一叠层结构和所述第二叠层结构的多个沟道柱，其中，所述沟道柱的沟道叠层位于所述第一叠层结构和所述第二叠层结构界面处的至少一部分平整表面上。其制作方法包括：在衬底上形成第一叠层结构；在所述第一叠层结构上形成保护层；形成贯穿所述保护层与第一叠层结构的第一柱体；在所述保护层上形成第二叠层结构；形成贯穿所述第二叠层结构的第二柱体；连通多个所述第一柱体和多个所述第二柱体；去除所述保护层并形成沟道叠层。

【技术实现步骤摘要】
3D存储器件及其制造方法
本专利技术涉及存储器技术，更具体地，涉及3D存储器件及其制造方法。
技术介绍
存储器件的存储密度的提高与半导体制造工艺的进步密切相关。随着半导体制造工艺的特征尺寸越来越小，存储器件的存储密度越来越高。为了进一步提高存储密度，已经开发出三维结构的存储器件(即，3D存储器件)。3D存储器件包括沿着垂直方向堆叠的多个存储单元，在单位面积的晶片上可以成倍地提高集成度，并且可以降低成本。现有的3D存储器件主要用作非易失性的闪存。两种主要的非易失性闪存技术分别采用NAND和NOR结构。与NOR存储器件相比，NAND存储器件中的读取速度稍慢，但写入速度快，擦除操作简单，并且可以实现更小的存储单元，从而达到更高的存储密度。因此，采用NAND结构的3D存储器件获得了广泛的应用。在NAND结构的3D存储器件中，采用叠层结构提供选择晶体管和存储晶体管的栅极导体，采用贯穿叠层结构的沟道柱实现存储单元串的存放。对于层数较高的堆叠结构，沟道柱的形成较为困难，则采用两个至多个叠层结构堆叠实现，但这样也会使上下层的沟道柱错位，在进行SNON打孔时，会造成层与层连接处的下通道孔的顶层结构受损本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种3D存储器件，包括：衬底；堆叠于所述衬底上方的第一叠层结构和堆叠与所述第一叠层结构上方的第二叠层结构，所述第一叠层结构和第二叠层结构分别包括交替堆叠的多个导体层和多个层间绝缘层；以及贯穿所述第一叠层结构和所述第二叠层结构的多个沟道柱，其中，所述沟道柱的沟道叠层位于所述第一叠层结构和所述第二叠层结构界面处的至少一部分平整表面上。

【技术特征摘要】
1.一种3D存储器件，包括：衬底；堆叠于所述衬底上方的第一叠层结构和堆叠与所述第一叠层结构上方的第二叠层结构，所述第一叠层结构和第二叠层结构分别包括交替堆叠的多个导体层和多个层间绝缘层；以及贯穿所述第一叠层结构和所述第二叠层结构的多个沟道柱，其中，所述沟道柱的沟道叠层位于所述第一叠层结构和所述第二叠层结构界面处的至少一部分平整表面上。2.根据权利要求1所述的3D存储器，其特征在于，所述3D存储器件还包括：保护层，所述沟道柱的至少一部分位于所述保护层。3.根据权利要求1所述的3D存储器件，其特征在于：所述沟道叠层包括绝缘层、氧化物层以及金属层。4.根据权利要求3所述的3D存储器件，其特征在于：所述金属层包括氮化钛或钨。5.一种3D存储器件的制造方法，其特征在于，包括：在衬底上形成第一叠层结构；在所述第一叠层结构上形成保护层；形成贯穿所述保护层与第一叠层结构的第一柱体；在所述保护层上形成第二叠层结构；形成贯穿所述第二叠层结构的第二柱体；连通多个所述第一柱体和多个所述第二柱体；去除所述保护层并形成沟道叠层。6.根据权利要求5所述的3D存储器件的制造方法，其特征在于：在形成第二叠层结构前，在所述第一柱体内沉积牺牲层，并在所述第二柱体形成后去除所述第一柱体内的牺牲层，其中，所述牺牲层可以充当硬掩膜层，用以保护所述第二叠层结构的层面平整。7.根据权利要求5所述的3D存储器件的制造方法，其特征在于，所述保护层的形成方法包括：在所述第一叠层结...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢峰，肖莉红，王恩博，杨号号，刘沙沙，徐前兵，李兆松，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42