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本发明公开了一种3D存储器件及其制造方法。所述3D存储器件包括：衬底；堆叠于所述衬底上方的第一叠层结构和堆叠与所述第一叠层结构上方的第二叠层结构，以及贯穿所述第一叠层结构和所述第二叠层结构的多个沟道柱，其中，所述沟道柱的沟道叠层位于所述第一...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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