一种3D NAND存储器存储单元结构制造技术

一种3D NAND存储器存储单元结构，其包括：衬底；位于所述衬底之上的氧化硅/金属栅交替堆叠结构，所述堆叠结构的最顶层金属栅作为漏极选择管的栅极；至少穿过所述漏极选择管的栅极的沟道孔；位于所述沟道孔内的多晶硅沟道，所述多晶硅沟道与所述漏极选择管的栅极之间的材料层为氧化硅层。相较于现有技术中的漏极选择管，本申请制造出的漏极选择管中的栅极氧化层中不包括电荷陷阱层，因此，在存储器实际工作中，漏极选择管不会产生电荷存储和释放现象，因而，减少了垂直沟道漏电的现象，有利于降低存储器读失效风险并延长存储器寿命。而且采用MOS管具有较好的开关特性，因此，本申请制造出的漏极选择管具有更好的开关特性。

【技术实现步骤摘要】
一种3DNAND存储器存储单元结构本案是基于申请号201710772349.0的方案申请
本申请涉及存储器
，尤其涉及一种3DNAND存储器存储单元结构。
技术介绍
现有的3DNAND存储器存储单元结构的制造方法中，源极选择管(GroundSelectGate,GSG)实际为MOS管，而漏极选择管(StringSelectGate，SSG)的制造工艺与存储单元的制作工艺一致，即形成漏极选择管的栅极氧化层(GateOxide)通常包含了一层电荷陷阱层(ChargeTrapLayer)氮化硅。由于现有的这种漏极选择管的栅极氧化层中含有电荷陷阱层，导致在存储器的实际工作中，漏极选择管也会不可避免的有轻微的电荷存储和释放，这将容易引发漏极选择管栅极阈值电压漂移，从而导致垂直沟道导通电流变化甚至漏电现象。在存储器使用多次，经过反复读写后，该现象更为明显，最终将引起存储器的读失效。
技术实现思路
有鉴于此，本申请提供了一种3DNAND存储器存储单元结构及，以使其漏极选择管栅极氧化层不包含电荷陷阱层，使漏极选择管拥有更好的开关特性，减少垂直沟道的漏电现象。为了解决上述技术问题，本申请采用了如下技本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种3D NAND存储器存储单元结构，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底之上的氧化硅/金属栅交替堆叠结构，所述堆叠结构的最顶层金属栅作为漏极选择管的栅极；至少穿过所述漏极选择管的栅极的沟道孔；位于所述沟道孔内的多晶硅沟道，所述多晶硅沟道与所述漏极选择管的栅极之间的材料层为氧化硅层。

【技术特征摘要】
1.一种3DNAND存储器存储单元结构，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底之上的氧化硅/金属栅交替堆叠结构，所述堆叠结构的最顶层金属栅作为漏极选择管的栅极；至少穿过所述漏极选择管的栅极的沟道孔；位于所述沟道孔内的多晶硅沟道，所述多晶硅沟道与所述漏极选择管的栅极之间的材料层为氧化硅层。2.根据权利要求1所述的3DNAND存储器存储单元结构，其特征在于，所述沟道孔包括上下贯通的第一半径沟道孔和第二半径沟道孔，所述第一半径沟道孔位于所述第二半径沟道孔的下方，所述第二半径沟道孔至少贯穿所述漏极选择管的栅极，所述第二半径大于所述第一半径。3.根据权利要求2所述的3DNAND存储器存储单元结构，其特征在于，还包括：位于所述第一半径沟道孔内、并沿所述沟道孔的径向向内的方向依次排布的电荷阻挡层、电荷陷阱层以及电荷遂穿层，所述多晶硅沟道位于所述电荷遂穿层的内侧。4.根据权利要求3所述的3DNAND存储器存储单元结构，其特征在于，所述氧化硅层包括沿所述沟道孔的径向向内的方向依次堆叠的外氧化硅层、中氧化硅层、内氧化硅层...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈子琪，吴关平，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42