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一种3D NAND存储器存储单元结构，其包括：衬底；位于所述衬底之上的氧化硅/金属栅交替堆叠结构，所述堆叠结构的最顶层金属栅作为漏极选择管的栅极；至少穿过所述漏极选择管的栅极的沟道孔；位于所述沟道孔内的多晶硅沟道，所述多晶硅沟道与所述漏极选...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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