具有对称路径的存储器字元线驱动器结构制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体生产领域，公开了一种具有对称路径的存储器字元线驱动器结构，该驱动器结构通过设置两层或者两层以上的晶体管组合电路，并将一晶体管单独置于第一层，并使该晶体管的与两侧的字元线的连接距离为相等，而实现该晶体管与两侧字元线的连接距离相等，从而使得电流路径驱动器中的电流路径对称，有利于提高存储器的性能。

Memory Character Line Driver with Symmetrical Path

The utility model relates to the field of semiconductor production, and discloses a memory character line driver structure with symmetrical path. The driver structure realizes the transistor and the character line on both sides by setting two or more transistor combinational circuits and placing a transistor on the first layer separately, and making the connection distance of the transistor and the character line on both sides equal. The same connection distance makes the current path in current path driver symmetrical, which is beneficial to improve the performance of memory.

【技术实现步骤摘要】
具有对称路径的存储器字元线驱动器结构
本技术涉及半导体生产领域，具体地涉及具有对称路径的存储器字元线驱动器结构。
技术介绍
现有的存储器的驱动器中的晶体管与两侧的字元线的连接距离不一致，因而导致驱动器中的电流路径呈现出非对称性，使驱动器在打开两侧的字元线的过程中出现时差，对存储器的性能造成负面的影响。
技术实现思路
本技术的目的是为了克服现有技术存在的存储器中的驱动器中的电流路径呈现出非对称性的问题，提供一种具有对称路径的存储器字元线驱动器结构，该驱动器结构通过设置两层或者两层以上的晶体管组合电路，并将一晶体管单独置于第一层，从而实现该晶体管与两侧字元线的连接距离相等，从而使得电流路径驱动器中的电流路径对称，有利于提高存储器的性能。为了实现上述目的，本技术的实施方式的一方面提供了一种具有对称路径的存储器字元线驱动器结构，其特征在于，所述驱动器结构包括：第一衬底，所述第一衬底的上表面包括周边区域，所述周边区域中设置第一晶体管，用于驱动连接位于所述第一衬底的阵列区域的埋入式字元线，所述第一晶体管的第一栅极、第一漏极和第一源极设置于所述第一衬底上；第一电极隔离层，形成于所述第一衬底上，所述第一电极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.具有对称路径的存储器字元线驱动器结构，其特征在于，所述驱动器结构包括：第一衬底，所述第一衬底的上表面包括周边区域，所述周边区域中设置第一晶体管，用于驱动连接位于所述第一衬底的阵列区域的埋入式字元线，所述第一晶体管的第一栅极、第一漏极和第一源极设置于所述第一衬底上；第一电极隔离层，形成于所述第一衬底上，所述第一电极隔离层覆盖所述第一晶体管，所述第一栅极、所述第一漏极和所述第一源极位于所述第一电极隔离层中；第一纵向连接件，位于所述第一电极隔离层中，所述第一纵向连接件的一端与所述埋入式字元线电连接；第一金属层，设置于所述第一电极隔离层上，所述第一金属层连接所述第一漏极并经由所述第一纵向连接件电连...

【技术特征摘要】
1.具有对称路径的存储器字元线驱动器结构，其特征在于，所述驱动器结构包括：第一衬底，所述第一衬底的上表面包括周边区域，所述周边区域中设置第一晶体管，用于驱动连接位于所述第一衬底的阵列区域的埋入式字元线，所述第一晶体管的第一栅极、第一漏极和第一源极设置于所述第一衬底上；第一电极隔离层，形成于所述第一衬底上，所述第一电极隔离层覆盖所述第一晶体管，所述第一栅极、所述第一漏极和所述第一源极位于所述第一电极隔离层中；第一纵向连接件，位于所述第一电极隔离层中，所述第一纵向连接件的一端与所述埋入式字元线电连接；第一金属层，设置于所述第一电极隔离层上，所述第一金属层连接所述第一漏极并经由所述第一纵向连接件电连接至所述埋入式字元线；第一覆盖层，形成于所述第一电极隔离层上，所述第一覆盖层覆盖所述第一金属层和所述第一电极隔离层的表面；第二衬底，位于所述第一覆盖层上，所述第二衬底包括迭层式第一有源岛块、迭层式第二有源岛块及隔离所述第一有源岛块和所述第二有源岛块的迭层式隔离结构，在所述第一有源岛块上设置有第二晶体管，在所述第二有源岛块上设置有第三晶体管，所述第二晶体管包括设置于所述第一有源岛块上的第二栅极、第二漏极和第二源极，所述第三晶体管包括设置于所述第二有源岛块上的第三栅极、第三漏极和第三源极；第二电极隔离层，形成于所述第二衬底上，所述第二栅极、所述第二漏极、所述第二源极、所述第三栅极、所述第三漏极和所述第三源极位于所述第二电极隔离层中；第二金属层，设置于所述第二电极隔离层上，所述第二金属层连接所述第二漏极和所述第三漏极；第二覆盖层，形成于所述第二电极隔离层上，所述第二覆盖层覆盖所述第二金属层和所述第二电极隔离层的表面；其中，所述第二晶体管和所述第三晶体管依照所述第一晶体管的一中间线的隔层迭层式对称配置并且具有相反于所述第一晶体管的晶体管型态；并且，所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34