【技术实现步骤摘要】
存储装置及其操作方法
本公开的各种实施方式总体上涉及存储装置和操作该存储装置的方法，并且更具体地，涉及一种存储装置的编程操作。
技术介绍
存储装置被分类成易失性存储装置和非易失性存储装置。非易失性存储装置即使在电源中断时也能够保留其内容。虽然非易失性存储装置的读写速度与易失性存储装置的读写速度相比相对低，但是非易失性存储装置广泛用于便携式电子装置，这是因为它无论是否与电源连接都保留其内容。非易失性存储装置的示例可以根据数据存储方案包括只读存储器(ROM)、掩模ROM(MROM)、可编程ROM(PROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪速存储器、相变随机存取存储器(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)和铁电式RAM(FRAM)。闪速存储器可具有串水平地布置在半导体基板上的二维(2D)结构。另选地，闪速存储器可以具有串垂直地层叠在半导体基板上的三维(3D)结构。随着二维(2D)结构到达其物理比例极限，半导体制造商正在制造包括垂直地层堆在半导体基板上的存储单元的存储装置。
技术实现思路
本公开的各种实施方式...
【技术保护点】
1.一种存储装置，该存储装置包括：存储块，该存储块包括多个页；外围电路，该外围电路被配置成依次对所述页进行编程；以及控制逻辑，该控制逻辑被配置成控制所述外围电路，使得编程电压被施加至与从所述页当中选择的页联接的字线，使得不同的通过电压被施加至与除了被选页之外的未选页当中的已经执行编程操作的页联接的全部或一些字线以及与所述未选页当中的尚未执行所述编程操作的页联接的字线。
【技术特征摘要】
2017.01.05 KR 10-2017-00018751.一种存储装置，该存储装置包括：存储块，该存储块包括多个页；外围电路，该外围电路被配置成依次对所述页进行编程；以及控制逻辑，该控制逻辑被配置成控制所述外围电路，使得编程电压被施加至与从所述页当中选择的页联接的字线，使得不同的通过电压被施加至与除了被选页之外的未选页当中的已经执行编程操作的页联接的全部或一些字线以及与所述未选页当中的尚未执行所述编程操作的页联接的字线。2.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述存储块被形成为所述页在水平方向布置在基板上的二维2D结构或者所述页在垂直方向布置在所述基板上的三维3D结构。3.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述外围电路包括电压发生电路，所述电压发生电路被配置成产生：被施加至与所述被选页联接的字线的所述编程电压，以及被施加至与所述未选页联接的字线的所述通过电压。4.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述控制逻辑被配置成控制所述外围电路，使得当所述存储块的所述编程操作开始时，确定在要执行所述编程操作的页中是否包括已经执行所述编程操作的页，从而基于所确定的结果来产生所述通过电压。5.根据权利要求4所述的存储装置，其中，所述控制逻辑被配置成：控制所述外围电路，使得当所述存储块中包括已经执行所述编程操作的页时，向与已经执行所述编程操作的未选页联接的字线的全部或一些施加第一通过电压，并且使得向与尚未执行所述编程操作的未选页联接的字线施加比所述第一通过电压低的第二通过电压，并且控制所述外围电路，使得当所述存储块中不包括已经执行所述编程操作的页时，向与所述未选页联接的字线施加所述第二通过电压。6.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述控制逻辑被配置成控制所述外围电路，使得当向与已经执行所述编程操作的所述未选页联接的字线中的一些施加第一通过电压时，向与已经执行所述编程操作的所述未选页当中的剩余页联接的字线施加第二通过电压。7.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述控制逻辑被配置成控制所述外围电路，使得：将在所述页当中设置的参考页与所述被选页进行比较，并且在所述被选页到达所述参考页之前和在所述被选页到达所述参考页之后，所述通过电压被产生为不同的电压。8.根据权利要求7所述的存储装置，其中，关于所述参考页的信息被存储在所述控制逻辑中或者所述存储块的标志区域中。9.根据权利要求7所述的存储装置，其中，所述控制逻辑被配置成控制所述外围电路，使得在所述被选页到达所述参考页之前，向与所述未选页当中的尚未执行所述编程操作的页联接的字线施加第三通过电压，并且使得向与已经执行所述编程操作的页联接的字线施加所述第三通过电压或者比所述第三通过电压...
【专利技术属性】
技术研发人员：李熙烈，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR
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