一种基于SDRAM芯片的矩阵转置方法技术

本发明专利技术公开了一种基于SDRAM芯片的矩阵转置方法，提出了符合SDRAM芯片器件特性的读地址、写地址生成方法。对于采用SDRAM芯片作为大容量存储器件的矩阵转置应用来说，本发明专利技术原理简单，易于实现，数据连续输入输出时可以做到无缝对接，且无需进行刷新操作，转置效率可以达到100％。

【技术实现步骤摘要】
一种基于SDRAM芯片的矩阵转置方法
本专利技术涉及一种基于SDRAM芯片的矩阵转置方法，属于矩阵数据处理

技术介绍
矩阵转置是多维图像和信号处理中常用的处理过程，矩阵转置可以看做是两个矩阵之间的映射：Xi,j→Xj,i。当应用规模比较小时，整个矩阵可以一次读入到高速存储器中，矩阵转置就非常简单。对于大规模的应用，高速内存容量不够，大量的数据必须存储外部存储器中，转置效率在整个处理过程中就显得非常重要。同步动态随机存取存储器(以下简称SDRAM)芯片由于存储容量大、速度快、功耗低等优点，是目前应用最广泛的存储器之一。常见的基于SDRAM芯片的矩阵转置方法包括二页式、三页式、矩阵分块式等。中科院的卢世祥等人于2005年发表了论文“合成孔径雷达实时成像转置存储器的两页式结构与实现”，介绍了通过循环对两片SDRAM芯片读写的二页式转置工作原理，但其转置效率仅为49.3％。中科院的谢应科等人于2003年发表了论文“实时SAR成像系统中矩阵转置的设计和实现”，介绍了通过循环对两片SDRAM芯片读写的二页式转置工作原理，但其转置效率仅为64％。采用矩阵分块式转置方法的文章比较多，均通过本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于SDRAM芯片的矩阵转置方法，采用2组SDRAM芯片，每组SDRAM芯片包括4个BANK，突发长度为b，其特征在于步骤如下：(1)获取待转置矩阵的行数M，列数N；(2)按行连续输入待转置矩阵，并将连续b行数据划分为N/b个b×b子矩阵；(3)将奇数个b×b子矩阵转置后按行拼接，每个b×b子矩阵存储在第一组SDRAM芯片BANK的同一行中，每写完一个b×b子矩阵自上而下换行；将偶数个b×b子矩阵转置后按行拼接，每个b×b子矩阵存储在第二组SDRAM芯片相同编号BANK的同一行中，每写完一个b×b子矩阵自上而下换行；每写入b行数据后进行一次BANK切换，4个BANK遍历后按照间隔N/2b个...

【技术特征摘要】
1.一种基于SDRAM芯片的矩阵转置方法，采用2组SDRAM芯片，每组SDRAM芯片包括4个BANK，突发长度为b，其特征在于步骤如下：(1)获取待转置矩阵的行数M，列数N；(2)按行连续输入待转置矩阵，并将连续b行数据划分为N/b个b×b子矩阵；(3)将奇数个b×b子矩阵转置后按行拼接，每个b×b子矩阵存储在第一组SDRAM芯片BANK的同一行中，每写完一个b×b子矩阵自上而下换行；将偶数个b×b子矩阵转置后按行拼接，每个b×b子矩阵存储在第二组SDRAM芯片相同编号BANK的同一行中，每写完一个b×b子矩阵自上而下换行；每写入b行数据后进行一次BANK切换，4个BANK遍历后按照间隔N/2b个存储行的方式换行写，并在4个BANK之间循环遍历；(4)在第一组SDRAM芯片中，依次连续读出每个B...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭晨光，刘风华，行涛，张建军，闫昕，王琰，乐立鹏，安印龙，马城城，
申请(专利权)人：北京时代民芯科技有限公司，北京微电子技术研究所，
类型：发明
国别省市：北京,11