The invention discloses a polymorphic gate based on a resistive memory for realizing various combinational logic functions of n input, including 2.
【技术实现步骤摘要】
一种基于阻变存储器的多态门
本专利技术涉及电路设计领域，尤其是涉及一种基于阻变存储器的多态门。
技术介绍
美国NASAJPL的Stoica等人于2001年首次提出了多态电路及多态电子学的概念。多态电路是一种新型的多功能电路，能够在不改变电路结构的前提下通过感知外部环境的变化(如温度、光照、电压等)自适应地改变电路的功能，节约电路资源。多态门的设计是多态电子学实现的基础，Stoica等人在晶体管级进化基础上通过无约束结构的仿真实验及实际FPTA平台实验构造了多种多态门。其中有受温度控制的AND/OR多态门，这种多态门在27℃的情况下实现与门的特性，在125℃的情况下实现或门的特性；还有受到电压控制的AND/OR多态门，当Vmorph＝0V时实现与门功能，当Vmorph＝3.3V时实现或门功能。其并于2004年利用进化方法设计了一种以Vdd作为控制信号的NAND/NOR多态门，采用HP0.5μmCMOS技术进行了实现。硅片测试表明该多态门实际性能与仿真结果一致，并且电路功能在Vdd偏差10％及温度范围20℃～200℃之间保持稳定，这也是实际构造实现的第一个多态门。然而...
【技术保护点】
1.一种基于阻变存储器的多态门，用于实现n输入的多种组合逻辑功能，包括2
【技术特征摘要】
1.一种基于阻变存储器的多态门，用于实现n输入的多种组合逻辑功能，包括2n行n列的阻变存储器阵列，每一个阻变存储器的两端分别设置引出端以接入赋值电压；每一行内的阻变存储器依次相连，且相邻两个阻变存储器之间的相连方式为正端对正端相连、正端对负端相连或负端对负端相连；每一行首个阻变存储器的左端设置选择信号输入端，各行最末一个阻变存储器的右端连接到一起形成多态门输出端；以列为单位控制各列阻变存储器两端的电压差，分别对n列阻变存储器进行赋值操作以控制阻变存储器的阻值状态，并在赋值后向2n个选择信号输入端施加多种不同组合的选择电压，实现对n输入的多种逻辑运算。2.如权利要求1所述的基于阻变存储器的多态门，其特征在于，所述以列为单位控制各列阻变存储器两端的电压差，分别对n列阻变存储器进行赋值操作包括：当输入信号的逻辑值为1时，阻变存储器的左端接电压Vp、右端接地，左端为正端的阻变存储器被置为低阻状态，右端为正端的阻变存储器被置为高阻状态；当输入信号的逻辑值为0时，阻变存储器的左端接电压-Vp...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔小乐，李响，张魁民，
申请(专利权)人：北京大学深圳研究生院，
类型：发明
国别省市：广东,44
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