一种紫外探测器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种紫外探测器，包括衬底，位于衬底表面的材质为宽禁带半导体氧化物的光电薄膜，位于光电薄膜表面的叉指电极以及位于光电薄膜表面的隔离层，其中隔离层至少对氧气具有隔离性，且至少对紫外光具有透过性。由于以宽禁带半导体氧化物作为材质的光电薄膜表面通常具有氧空位，可以吸附氧气形成氧负离子，该负氧离子可以与光生空穴结合发生脱附。通过隔离层使光电薄膜表面隔离氧气之后，可以使得从光电薄膜表面脱附的氧气增多，从而极大的增加光生载流子中的电子寿命，进而增加紫外探测器的响应度。本发明专利技术还提供了一种紫外探测器的制备方法，所制备而成的紫外探测器同样具有上述有益效果。

【技术实现步骤摘要】
一种紫外探测器及其制备方法
本专利技术涉及半导体光电探测器领域，特别是涉及一种紫外探测器及一种紫外探测器的制备方法。
技术介绍
紫外探测技术可用于军事通信、导弹尾焰探测、火灾预警、环境监测、生物效应等方面，无论在军事上还是在民用上都有广泛的应用。目前，己投入商用的紫外探测器主要有硅探测器、光电倍增管和半导体探测器。其中半导体探测器由于其具有携带方便、造价低、响应度高等优点而备受关注。目前半导体探测器的材料主要为宽禁带半导体氧化物，对于紫外探测器而言最重要的三个参数就是器件的响应度、暗电流和响应时间。响应度和暗电流决定了器件的灵敏度和对弱信号的探测能力，其中响应度越高越好。但是目前的紫外探测器响应度普遍偏低，所以如何提高器件的响应度是本领域技术人员急需解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种紫外探测器，具有较高的响应度；本专利技术还提供了一种紫外探测器的制备方法，可以有效提高紫外探测器的响应度。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种紫外探测器，包括：衬底；位于所述衬底表面的光电薄膜；其中，所述光电薄膜为宽禁带半导体氧化物薄膜；位于所述光电薄膜背向所述衬底一侧表面的叉指电极；覆本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种紫外探测器，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底表面的光电薄膜；其中，所述光电薄膜为宽禁带半导体氧化物薄膜；位于所述光电薄膜背向所述衬底一侧表面的叉指电极；覆盖所述光电薄膜背向所述衬底一侧表面的隔离层；其中，所述隔离层至少对氧气具有隔离性，且所述隔离层至少对紫外光具有透过性。

【技术特征摘要】
1.一种紫外探测器，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底表面的光电薄膜；其中，所述光电薄膜为宽禁带半导体氧化物薄膜；位于所述光电薄膜背向所述衬底一侧表面的叉指电极；覆盖所述光电薄膜背向所述衬底一侧表面的隔离层；其中，所述隔离层至少对氧气具有隔离性，且所述隔离层至少对紫外光具有透过性。2.根据权利要求1所述的紫外探测器，其特征在于，所述隔离层覆盖所述光电薄膜背向所述衬底一侧表面中，位于所述叉指电极的正电极与所述叉指电极的负电极之间的光敏区域。3.根据权利要求1所述的紫外探测器，其特征在于，所述隔离层为硅胶层。4.根据权利要求3所述的紫外探测器，其特征在于，所述光电薄膜为：氧化锌薄膜、或氧化锌镁薄膜、或氧化镓薄膜。5.根据权利要求1至4任一项权利要求所述的紫外探测器，其特征在于，所述紫外探测器还包括：位于所述叉指电极中正电极背向所述衬底一侧表面的第一接触粒；其中，所述第一接触粒突出所述隔离层；位于所述叉指电极中负电极背向所述衬底一侧表面的第二接触粒；其中，所述第二接触粒突出所述隔离层。6.根据权利要求5所述的紫外探测器，其特征在于，所述第一接触粒...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈星，刘可为，李炳辉，张振中，申德振，
申请(专利权)人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，
类型：发明
国别省市：吉林,22