一种背结太阳能电池及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种背结太阳能电池及其制备方法，背结太阳能电池包括P型硅基体，硅基体的正面形成有第III族元素掺杂的局部前表面场，正面由内至外设有正面钝化层、钝化减反层，正面设有正面电极，背面由内至外设有隧穿氧化层、第V族元素掺杂的掺杂硅层、背面钝化层，背面设有背面电极。制备方法包括：在P型硅基体背面形成隧穿氧化层，在隧穿氧化层上形成用V族元素掺杂的掺杂硅层，形成正面钝化层、钝化减反层与背面钝化层，在背面印银栅线，钝化减反层印金属栅线并烧结。上述方法能得到背结太阳能电池，降低金属半导体接触区的少子复合，避免硼掺杂或开槽，避免高温损伤硅基体，金属栅线上叠加银线降低栅线电阻。

A Back Junction Solar Cell and Its Preparation Method

The invention provides a back-junction solar cell and a preparation method thereof. The back-junction solar cell includes a P-type silicon substrate, the front side of the silicon substrate forms a local front surface field doped with group III elements, the front side is provided with a front passivation layer and a passivation reduction layer from inside to outside, the front side is provided with a front electrode, and the back side is provided with a tunneling oxide layer, a doped silicon layer doped with group V elements, and the back. The surface passivation layer is provided with a back electrode on the back. The preparation method includes: forming a tunneling oxide layer on the back of P-type silicon matrix, forming a V group element doped doped silicon layer on the tunneling oxide layer, forming a front passivation layer, a passivation antireflection layer and a back passivation layer, printing silver grating on the back, passivation antireflection layer printing metal grating and sintering. These methods can get back-junction solar cells, reduce minority carrier recombination in metal semiconductor contact area, avoid boron doping or grooving, avoid high temperature damage to silicon matrix, and reduce gate resistance by superimposing silver wires on metal grids.

【技术实现步骤摘要】
一种背结太阳能电池及其制备方法
本专利技术涉及太阳能电池
，特别涉及一种背结太阳能电池及其制备方法。
技术介绍
人类的生存与发展离不开能源，太阳能是最具优点的可再生、量大、清洁能源之一。晶体硅太阳能电池是一类把光能直接转化为电能的半导体器件，高效的光电转化率和较低的使用成本是人类对晶体硅太阳能电池的渴求。现阶段，限制晶硅太阳能电池光电转化效率的重要因素之一是器件中少数载流子的复合，电池内少数载流子的复合湮灭会造成器件电压和电流的损失，最终降低电池的光电转换效率。旨在降低背表面少数载流子复合的PERC(PassivatedEmitterandRearCell)电池结构，是现今硅基太阳能电池技术发展的主流方向。对于PERC电池技术而言，背表面氧化铝薄膜配合局部开孔处铝背场的协同钝化使其对长波光线的响应十分优秀，其光电转换效率可达22％以上。此时，电池片受光面金属电极与硅片接触处严重的少子复合就成为限制电池效率进一步提高的瓶颈，因此，设法降低甚至消除受光面金属与半导体硅片接触的面积是PERC太阳能电池设计和优化的方向之一。PERC电池正面采用钝化接触是降低正面金属-半导体复合速率的有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种背结太阳能电池，其特征在于，包括硅基体，所述硅基体为P型硅基体，其中，所述硅基体的正面形成有第III族元素掺杂的局部前表面场，所述硅基体的正面由内至外依次设有正面钝化层、钝化减反层，所述硅基体的正面设有与所述局部前表面场连接的正面电极，所述硅基体的背面由内至外依次设有隧穿氧化层、第V族元素掺杂的掺杂硅层与背面钝化层，所述硅基体的背面设有与所述掺杂硅层连接的背面电极。

【技术特征摘要】
1.一种背结太阳能电池，其特征在于，包括硅基体，所述硅基体为P型硅基体，其中，所述硅基体的正面形成有第III族元素掺杂的局部前表面场，所述硅基体的正面由内至外依次设有正面钝化层、钝化减反层，所述硅基体的正面设有与所述局部前表面场连接的正面电极，所述硅基体的背面由内至外依次设有隧穿氧化层、第V族元素掺杂的掺杂硅层与背面钝化层，所述硅基体的背面设有与所述掺杂硅层连接的背面电极。2.根据权利要求1所述的背结太阳能电池，其特征在于，所述局部前表面场包括多个且多个所述局部前表面场间隔开平行分布。3.根据权利要求1所述的背结太阳能电池，其特征在于，所述局部前表面场为铝掺杂的局部前表面场，所述正面电极形成为铝金属栅线。4.根据权利要求3所述的背结太阳能电池，其特征在于，所述铝金属栅线上还设有银金属栅线。5.根据权利要求3所述的背结太阳能电池，其特征在于，所述局部前表面场与所述正面电极分别形成为长条状。6.根据权利要求1所述的背结太阳能电池，其特征在于，所述掺杂硅层的掺杂源为磷离子，掺杂浓度为5×1018-9×1020atoms/cm3。7.一种背结太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1，选取P型硅基体，在所述P型硅基体的背面形成隧穿氧化层；步...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴兰峰，蒋秀林，徐礼，
申请(专利权)人：晶澳扬州太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32