The invention relates to a solar cell chip and a manufacturing method thereof. The solar cell chip comprises a substrate, a first electrode layer, a SiO 2 film layer formed on the surface of the substrate in turn, a SiONx film layer formed on the surface of the SiO 2 film layer, where x is greater than or equal to 0.2 and less than or equal to 1.1, and a Si3N4 film layer formed on the surface of the SiONx layer. The first electrode layer is formed on the surface of the Si3N4 film layer. The solar cell chip has strong bonding force and uniform thickness, so it has a long service life.
【技术实现步骤摘要】
太阳能电池芯片及其制作方法
本专利技术涉及太阳能电池
，具体涉及太阳能电池芯片及其制作方法。
技术介绍
太阳能电池是吸收太阳辐射并将太阳能直接转换为电能的装置，包括多个由P型半导体材料和N型半导体材料形成的PN结。在太阳光的照射下，在PN结界面处将会出现电子和空穴的浓度差，N型半导体的空穴往P区移动，P区中的电子往N区移动，从而形成从N区到P区的电流，然后在PN结中形成电势差，如果有外电路连接负载，就形成了由P到N极的电流，这就是太阳能电池的基本工作原理。现有的太阳能电池芯片的制作通常包括在玻璃基板上形成充当电池芯片正极的金属膜层例如Mo膜层，然后在金属膜层表面形成半导体层，再在半导体层表面形成充当电池芯片负极的金属氧化物膜层。该制作方法存在以下弊端：1.直接将金属膜层形成在玻璃基板表面，金属膜层与玻璃基板之间的附着力较弱，容易从玻璃基板表面脱落；2.玻璃基板表面平整度较差，不同区域的金属膜层厚度不同，会导致金属膜层的导电均匀性较差，对电荷的收集能力不均匀，影响发电效率；3.金属膜层厚度不均匀，在凸起点位置将汇集较多电荷，长久使用会导致膜层被击穿。专利技术内...
【技术保护点】
1.一种太阳能电池芯片，包括基板和第一电极层，其特征在于，所述太阳能电池芯片还包括依次形成于所述基板表面的SiO2膜层，形成于所述SiO2膜层表面的SiONx膜层，其中x大于或等于0.2，且小于或等于1.1，以及形成于所述SiONx膜层表面的Si3N4膜层，所述第一电极层形成于所述Si3N4膜层表面。
【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池芯片，包括基板和第一电极层，其特征在于，所述太阳能电池芯片还包括依次形成于所述基板表面的SiO2膜层，形成于所述SiO2膜层表面的SiONx膜层，其中x大于或等于0.2，且小于或等于1.1，以及形成于所述SiONx膜层表面的Si3N4膜层，所述第一电极层形成于所述Si3N4膜层表面。2.根据权利要求1所述的太阳能电池芯片，其特征在于，所述SiONx膜层为SiO2和Si3N4的混合物，所述SiONx膜层的厚度为3.根据权利要求1所述的太阳能电池芯片，其特征在于，所述SiO2膜层的厚度为4.根据权利要求1所述的太阳能电池芯片，其特征在于，所述Si3N4膜层的厚度为5.根据权利要求1所述的太阳能电池芯片，其特征在于，所述太阳能电池芯片还包括形成于所述第一电极层表面的半导体层，和形成于所述半导体层表面的透光的第二电极层，所述太阳能电池芯片具有多个贯通所述半导体层的P2刻划槽，每个P2刻划槽的一端由所述第一电极层封闭，每个P2刻划槽由所述第二电极层填充...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄亮，谢新雷，李刚，姜广增，
申请(专利权)人：北京汉能光伏投资有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11
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