薄膜透光芯片的制作方法及系统技术方案

本发明专利技术提供了一种薄膜透光芯片的制作方法，包括：将待刻蚀薄膜芯片放于工作台，所述待刻蚀薄膜芯片包括透明基板和形成于透明基板表面的膜层；根据预设程序控制激光器对所述待刻蚀薄膜芯片的预定区域的薄膜进行刻蚀，暴露出与该预定区域的薄膜对应的透明基板。本发明专利技术还提供了一种薄膜透光芯片的制作系统。本发明专利技术根据预设程序利用所述激光器发出的激光对所述待刻蚀薄膜芯片进行刻蚀，不仅加工精度高，稳定性高，制作流程还非常简单，加工周期短。同时本发明专利技术为非接触式加工，不会损害基材。

Fabrication method and system of thin film transparent chip

【技术实现步骤摘要】
薄膜透光芯片的制作方法及系统
本专利技术涉及太阳能薄膜
，特别是涉及薄膜透光芯片的制作方法及系统。
技术介绍
光伏建筑一体化(BIPV：BuildingIntegratedPhotovoltaic)，是将太阳能光伏芯片集成到建筑物上，使吸收的太阳能通过变换装置转换为电能，为建筑物及近端负荷提供电能。当太阳能光伏电池用作幕墙、天窗和遮阳板时，需要较高的透光性。薄膜太阳能芯片可应用于BIPV幕墙。一般情况下，薄膜太阳能芯片本身是不透光的。可以通过均匀地去除芯片上的部分薄膜层，暴露出与该部分薄膜层对应且形状相同的部分透明基板来实现芯片的均匀的透光效果。传统去除薄膜层的工艺采用机械喷砂法加工，包括：掩模板制作、丝网印刷、曝光、显影、UV固化、喷砂、去油墨和清洗等工序。此工艺存在的弊端包括：流程非常繁琐，加工周期长。
技术实现思路
基于此，有必要针对现有透光芯片的制作工艺存在的问题，提供一种薄膜透光芯片的制作方法及系统。一种薄膜透光芯片的制作方法，所述制作方法包括：将待刻蚀薄膜芯片放于所述工作台，所述待刻蚀薄膜芯片包括透明基板和形成于透明基板表面的膜层；根据预设程序利用激光器刻蚀所述膜层的预定区域，暴露出与该所述预定区域对应的所述透明基板。在其中一个实施例中，所述的根据预设程序控制所述激光器对所述待刻蚀薄膜芯片进行刻蚀，以制作透光薄膜芯片的步骤包括：根据所述预设程序控制所述激光器对所述待刻蚀薄膜芯片的当前层进行刻蚀；若所述待刻蚀薄膜芯片的当前层刻蚀完成，则对所述刻蚀薄膜芯片的下一层进行刻蚀，以制作所述透光薄膜芯片。在其中一个实施例中，所述根据预设程序利用激光器刻蚀所述膜层的预定区域的步骤包括：根据所述预设程序利用所述激光器对所述待刻蚀薄膜芯片的当前层进行刻蚀；当所述待刻蚀薄膜芯片的当前层刻蚀完成，则对所述待刻蚀薄膜芯片的下一层的相应区域进行刻蚀。在其中一个实施例中，所述根据所述预设程序利用所述激光器对所述待刻蚀薄膜芯片的当前层进行刻蚀的步骤包括：根据所述预设程序控制所述激光器按照第一预设方向对所述待刻蚀薄膜芯片的当前层进行刻蚀。在其中一个实施例中，所述第一预设方向是指横向或纵向。在其中一个实施例中，所述根据预设程序利用激光器刻蚀所述膜层的预定区域的步骤包括：根据所述预设程序利用所述激光器对所述待刻蚀薄膜芯片的当前位置进行刻蚀；当所述待刻蚀薄膜芯片的当前位置透光刻蚀完成，则对所述待刻蚀薄膜芯片的其它位置进行刻蚀。在其中一个实施例中，所述当所述待刻蚀薄膜芯片的当前位置透光刻蚀完成，则对所述待刻蚀薄膜芯片的其它位置进行刻蚀的步骤包括：若所述待刻蚀薄膜芯片的当前位置透光刻蚀完成，则按照第二预设方向依次对所述待刻蚀薄膜芯片的其它位置进行刻蚀。在其中一个实施例中，所述第二预设方向是指横向或纵向。一种薄膜透光芯片的制作系统，所述制作系统包括：工作台；激光器，用于根据预设程序对所述待刻蚀薄膜芯片的膜层的预定区域进行刻蚀，以暴露出与该所述预定区域对应的透明基板。在其中一个实施例中，所述制作系统还包括：凸透镜，设置于所述激光器和所述工作台之间，用于对所述激光器发出的激光进行聚焦。在其中一个实施例中，所述制作系统还包括：吸尘装置，设置于所述工作台，用于吸收因刻蚀产生的膜层或尘埃。与现有技术相比，前述技术方案具有以下优点：根据预设程序利用激光对待刻蚀薄膜芯片进行刻蚀，不仅加工精度高，稳定性高，制作流程还非常简单，加工周期短；本专利技术为非接触式加工，不会损害基材；工艺流程简单，加工自由度大，可自由变换透光图案；该技术方案不会对环境造成污染。附图说明图1为本专利技术一实施例提供的薄膜透光芯片的制作方法的流程图；图2为本专利技术一实施例提供的薄膜透光芯片的制作系统的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似改进，因此本专利技术不受下面公开的具体实施的限制。需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本专利技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。本申请所述的薄膜太阳能芯片，可是本领域常用的薄膜太阳能芯片，例如包括透明基板和形成于该透明基板表面的膜层。该透明基板可以是玻璃基板，也可以是其他透明基板。该膜层的材质可以不限，例如可以包括两个电极、PN半导体层，和其他功能层。所述膜层，是薄膜太阳能芯片中除了透明基板外的其他层的统称。具体举例而言，所述薄膜太阳能芯片可以是玻璃基(或其他透明基材)的非晶硅/微晶硅薄膜、CIGS薄膜、CIS薄膜、碲化镉薄膜等薄膜太阳能芯片。请参见图1，本专利技术一实施例提供一种薄膜透光芯片的制作方法。该制作方法采用激光，按预设程序设置的预定透光图案，刻蚀掉太阳能芯片膜层与该预定透光图案对应的区域，由此暴露出透明基板的与该预定透光图案对应的区域作为该太阳能芯片的透光区。具体地，该制作方法包括：S102：将待刻蚀薄膜芯片110放于工作台200，所述待刻蚀薄膜芯片110包括透明基板和形成于透明基板表面的膜层。可以理解，所述待刻蚀薄膜芯片110的形状不限。在一个实施例中，所述待刻蚀薄膜芯片110的形状可为圆形。在一个实施例中，所述待刻蚀薄膜芯片110的形状也可为方形。所述待刻蚀薄膜芯片110的具体形状，可根据实际需求进行选择。可以理解，所述工作台200的材质不限，只要保证形状即可。在一个实施例中，所述工作台200的材质可为玻璃。在一个实施例中，所述工作台200的材质可为金刚石。所述工作台200的具体材质，可根据实际需求进行选择。S104：根据预设程序利用激光器100刻蚀所述膜层的预定区域，暴露出与该所述预定区域对应的所述透明基板。在一个实施例中，可将所述预设程序存储在计算机中，通过所述计算机控制所述激光器100对所述待刻蚀薄膜芯片110进行刻蚀。在一个实施例中，也可将所述预设程序存储在终端中，通过所述终端控制所述激光器100对所述待刻蚀薄膜芯片110进行刻蚀。在一个实施例中，所述终端可为手机、平板等等。在一个实施例中，可直接通过所述计算机或终端对所述预设程序进行设定。所述预设程序可包括所需的透光图形的图案，尺寸及相邻透光图形的间距等等。在一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜透光芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：/n将待刻蚀薄膜芯片(110)放于工作台(200)，所述待刻蚀薄膜芯片(110)包括透明基板和形成于透明基板表面的膜层；/n根据预设程序利用激光器(100)刻蚀所述膜层的预定区域，暴露出与该所述预定区域对应的所述透明基板。/n

【技术特征摘要】
1.一种薄膜透光芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
将待刻蚀薄膜芯片(110)放于工作台(200)，所述待刻蚀薄膜芯片(110)包括透明基板和形成于透明基板表面的膜层；
根据预设程序利用激光器(100)刻蚀所述膜层的预定区域，暴露出与该所述预定区域对应的所述透明基板。


2.根据权利要求1所述的薄膜透光芯片的制作方法，其特征在于，所述根据预设程序利用激光器(100)刻蚀所述膜层的预定区域的步骤包括：
根据所述预设程序利用所述激光器(100)对所述待刻蚀薄膜芯片(110)的当前层进行刻蚀；
当所述待刻蚀薄膜芯片(110)的当前层刻蚀完成，则对所述待刻蚀薄膜芯片(110)的下一层的相应区域进行刻蚀。


3.根据权利要求2所述的薄膜透光芯片的制作方法，其特征在于，所述根据所述预设程序利用所述激光器(100)对所述待刻蚀薄膜芯片(110)的当前层进行刻蚀的步骤包括：
根据所述预设程序控制所述激光器(100)按照第一预设方向对所述待刻蚀薄膜芯片(110)的当前层进行刻蚀。


4.根据权利要求1所述的薄膜透光芯片的制作方法，其特征在于，所述第一预设方向是指横向或纵向。


5.根据权利要求1所述的薄膜透光芯片的制作方法，其特征在于，所述根据预设程序利用激光器(100)刻蚀所述膜层的预定区域的步骤包括：
根据所述预设程序利用所述激光器(100)对所述待...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶玉梅，
申请(专利权)人：北京汉能光伏投资有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11