薄膜透光芯片的制作方法及系统技术方案

本发明专利技术提供了一种薄膜透光芯片的制作方法，包括：将待刻蚀薄膜芯片放于工作台，所述待刻蚀薄膜芯片包括透明基板和形成于透明基板表面的膜层；根据预设程序控制激光器对所述待刻蚀薄膜芯片的预定区域的薄膜进行刻蚀，暴露出与该预定区域的薄膜对应的透明基板。本发明专利技术还提供了一种薄膜透光芯片的制作系统。本发明专利技术根据预设程序利用所述激光器发出的激光对所述待刻蚀薄膜芯片进行刻蚀，不仅加工精度高，稳定性高，制作流程还非常简单，加工周期短。同时本发明专利技术为非接触式加工，不会损害基材。

Fabrication method and system of thin film transparent chip

【技术实现步骤摘要】
薄膜透光芯片的制作方法及系统
本专利技术涉及太阳能薄膜
，特别是涉及薄膜透光芯片的制作方法及系统。
技术介绍
光伏建筑一体化(BIPV：BuildingIntegratedPhotovoltaic)，是将太阳能光伏芯片集成到建筑物上，使吸收的太阳能通过变换装置转换为电能，为建筑物及近端负荷提供电能。当太阳能光伏电池用作幕墙、天窗和遮阳板时，需要较高的透光性。薄膜太阳能芯片可应用于BIPV幕墙。一般情况下，薄膜太阳能芯片本身是不透光的。可以通过均匀地去除芯片上的部分薄膜层，暴露出与该部分薄膜层对应且形状相同的部分透明基板来实现芯片的均匀的透光效果。传统去除薄膜层的工艺采用机械喷砂法加工，包括：掩模板制作、丝网印刷、曝光、显影、UV固化、喷砂、去油墨和清洗等工序。此工艺存在的弊端包括：流程非常繁琐，加工周期长。
技术实现思路
基于此，有必要针对现有透光芯片的制作工艺存在的问题，提供一种薄膜透光芯片的制作方法及系统。一种薄膜透光芯片的制作方法，所述制作方法包括：将待刻蚀薄膜芯片放于所述工作台，所述待刻本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜透光芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：/n将待刻蚀薄膜芯片(110)放于工作台(200)，所述待刻蚀薄膜芯片(110)包括透明基板和形成于透明基板表面的膜层；/n根据预设程序利用激光器(100)刻蚀所述膜层的预定区域，暴露出与该所述预定区域对应的所述透明基板。/n

【技术特征摘要】
1.一种薄膜透光芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
将待刻蚀薄膜芯片(110)放于工作台(200)，所述待刻蚀薄膜芯片(110)包括透明基板和形成于透明基板表面的膜层；
根据预设程序利用激光器(100)刻蚀所述膜层的预定区域，暴露出与该所述预定区域对应的所述透明基板。


2.根据权利要求1所述的薄膜透光芯片的制作方法，其特征在于，所述根据预设程序利用激光器(100)刻蚀所述膜层的预定区域的步骤包括：
根据所述预设程序利用所述激光器(100)对所述待刻蚀薄膜芯片(110)的当前层进行刻蚀；
当所述待刻蚀薄膜芯片(110)的当前层刻蚀完成，则对所述待刻蚀薄膜芯片(110)的下一层的相应区域进行刻蚀。


3.根据权利要求2所述的薄膜透光芯片的制作方法，其特征在于，所述根据所述预设程序利用所述激光器(100)对所述待刻蚀薄膜芯片(110)的当前层进行刻蚀的步骤包括：
根据所述预设程序控制所述激光器(100)按照第一预设方向对所述待刻蚀薄膜芯片(110)的当前层进行刻蚀。


4.根据权利要求1所述的薄膜透光芯片的制作方法，其特征在于，所述第一预设方向是指横向或纵向。


5.根据权利要求1所述的薄膜透光芯片的制作方法，其特征在于，所述根据预设程序利用激光器(100)刻蚀所述膜层的预定区域的步骤包括：
根据所述预设程序利用所述激光器(100)对所述待...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶玉梅，
申请(专利权)人：北京汉能光伏投资有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11