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本发明涉及一种太阳能电池芯片及其制作方法。该太阳能电池芯片包括基板、第一电极层、依次形成于所述基板表面的SiO2膜层、形成于所述SiO2膜层表面的SiONx膜层，其中x大于或等于0.2，且小于或等于1.1，以及形成于所述SiONx层表面的S...
该专利属于北京汉能光伏投资有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京汉能光伏投资有限公司授权不得商用。

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